肖特基结和异质结的区别
@姚芳6088：真空二极管和半导体二极管区别? -
融饱13411294223…… 一、工作原理不同,真空电子二极管是依靠阴极发射电子到阳极实现导通,而半导体二极管是依靠PN结的单向导通(肖特基管特殊);二、体积、功耗不同,电子真空管的体积、功耗较大;三、电子真空管在开始工作前需要预热,而半导体二极管不需要预热.目前在绝大部分多数场合已经淘汰了电子真空管.
@姚芳6088：有机太阳能电池的介绍 -
融饱13411294223…… 有机这个概念貌似很新,但其实它的历史也不短——跟硅基太阳能电池的历史差不多.第一个硅基太阳能电池是贝尔实验室在1954年制造出来的,它的太阳光电转化效率接近6%;而第一个有机光电转化器件是由Kearns和Calvin在1958年制备的...
@姚芳6088：半导体二极管的分类特征 -
融饱13411294223…… 按材料分有锗、硅或砷化镓;按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒、异质结;按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等.主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等.光通信发展后,出现发光、光电、雪崩光电、pin光电、半导体激光等二极管.
@姚芳6088：半导体的全耗尽是什么意思? -
融饱13411294223…… 在半导体pn结、肖特基结、异质结中,由于界面两侧半导体原有化学势的差异导致界面附近能带弯曲,从而形成能带弯曲区域电子或空穴浓度的下降,这一界面区域在半导体物理中称为耗尽区. 而全耗尽是指某一区域的电子或空穴浓度下降为极低(接近于零).
@姚芳6088：肖特基与普通二极管的区别,简单说明下… -
融饱13411294223…… 肖特基二极管是金属与半导体直接接触而制成的,比普通pn结二极管的正向电压低(~0.45V),而且反向电流也较大.最大的差别是:肖特基二极管是多数载流子工作的器件,开关速度快;并且串联电阻小,工作频率高.
@姚芳6088：肖特基二极管与其他二极管在结构上的区别及具有的优是什么? -
融饱13411294223…… 肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管,是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管.与普通二极管(多指用PN结形成的硅...
@姚芳6088：肖特基势垒高度为什么会低于PN结势垒高度 -
融饱13411294223…… 肖特基二极管是以金属为正极,N型半导体为负极,利用二者接触面上形成的势垒,从而具有整流特性的金属-半导体器件.因此它不是P-N结,而是金属-N结.由于金属导体内部有大量的导电电子,使得金属的费米能级低于半导体的费米能级,所以当金属与半导体接触时,形成的势垒高度低于PN结势垒高度,势垒高度低的外在表现为正向导通压降小,因而损耗小.
@姚芳6088：肖特基三极管结构和是什么工作原理? -
融饱13411294223…… 肖特基三极管是 由肖特基二极管和一个普通三极管组合而成的.一般是将肖特基二极管接在三极管的 B---C 极之间 用以改善三极管的一些高频性能. 肖特基二极管的原理和结构你可以到下面这个网站去看看 是百度文库的一个网站http://wenku.baidu.com/view/f83dfb563c1ec5da50e27032.html
@姚芳6088：如何判断 半导体激光器 p - n结的方向 -
融饱13411294223…… 用模拟的万用表(数字式的万用表会有问题)电阻档的xk欧姆档可以确定pn结的方向.给pn结加正向偏置时(p接正,n接负.),电阻很低,在几欧姆或者十几欧姆,反向时电阻较大.由此可以确定pn结的方向. 注意万用表的表笔输出正负的问题,正的是黑色表笔,千万不可用错!
@姚芳6088：肖特基二极管与快恢复二极管有什么区别 -
融饱13411294223…… 从原理上说,肖特基二极管并不是利用PN结原理制作的,而是一种金属——半导体结的结构.而快恢复二极管也不完全是纯粹的PN结,有些中间插入了一个基区. 所以两者呈现的特点是不太一样的: 肖特基的反向耐压值比较小,一般是几十V
融饱13411294223…… 一、工作原理不同,真空电子二极管是依靠阴极发射电子到阳极实现导通,而半导体二极管是依靠PN结的单向导通(肖特基管特殊);二、体积、功耗不同,电子真空管的体积、功耗较大;三、电子真空管在开始工作前需要预热,而半导体二极管不需要预热.目前在绝大部分多数场合已经淘汰了电子真空管.
@姚芳6088：有机太阳能电池的介绍 -
融饱13411294223…… 有机这个概念貌似很新,但其实它的历史也不短——跟硅基太阳能电池的历史差不多.第一个硅基太阳能电池是贝尔实验室在1954年制造出来的,它的太阳光电转化效率接近6%;而第一个有机光电转化器件是由Kearns和Calvin在1958年制备的...
@姚芳6088：半导体二极管的分类特征 -
融饱13411294223…… 按材料分有锗、硅或砷化镓;按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒、异质结;按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等.主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等.光通信发展后,出现发光、光电、雪崩光电、pin光电、半导体激光等二极管.
@姚芳6088：半导体的全耗尽是什么意思? -
融饱13411294223…… 在半导体pn结、肖特基结、异质结中,由于界面两侧半导体原有化学势的差异导致界面附近能带弯曲,从而形成能带弯曲区域电子或空穴浓度的下降,这一界面区域在半导体物理中称为耗尽区. 而全耗尽是指某一区域的电子或空穴浓度下降为极低(接近于零).
@姚芳6088：肖特基与普通二极管的区别,简单说明下… -
融饱13411294223…… 肖特基二极管是金属与半导体直接接触而制成的,比普通pn结二极管的正向电压低(~0.45V),而且反向电流也较大.最大的差别是:肖特基二极管是多数载流子工作的器件,开关速度快;并且串联电阻小,工作频率高.
@姚芳6088：肖特基二极管与其他二极管在结构上的区别及具有的优是什么? -
融饱13411294223…… 肖特基(Schottky)二极管,又称肖特基势垒二极管,是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管.与普通二极管(多指用PN结形成的硅...
@姚芳6088：肖特基势垒高度为什么会低于PN结势垒高度 -
融饱13411294223…… 肖特基二极管是以金属为正极,N型半导体为负极,利用二者接触面上形成的势垒,从而具有整流特性的金属-半导体器件.因此它不是P-N结,而是金属-N结.由于金属导体内部有大量的导电电子,使得金属的费米能级低于半导体的费米能级,所以当金属与半导体接触时,形成的势垒高度低于PN结势垒高度,势垒高度低的外在表现为正向导通压降小,因而损耗小.
@姚芳6088：肖特基三极管结构和是什么工作原理? -
融饱13411294223…… 肖特基三极管是 由肖特基二极管和一个普通三极管组合而成的.一般是将肖特基二极管接在三极管的 B---C 极之间 用以改善三极管的一些高频性能. 肖特基二极管的原理和结构你可以到下面这个网站去看看 是百度文库的一个网站http://wenku.baidu.com/view/f83dfb563c1ec5da50e27032.html
@姚芳6088：如何判断 半导体激光器 p - n结的方向 -
融饱13411294223…… 用模拟的万用表(数字式的万用表会有问题)电阻档的xk欧姆档可以确定pn结的方向.给pn结加正向偏置时(p接正,n接负.),电阻很低,在几欧姆或者十几欧姆,反向时电阻较大.由此可以确定pn结的方向. 注意万用表的表笔输出正负的问题,正的是黑色表笔,千万不可用错!
@姚芳6088：肖特基二极管与快恢复二极管有什么区别 -
融饱13411294223…… 从原理上说,肖特基二极管并不是利用PN结原理制作的,而是一种金属——半导体结的结构.而快恢复二极管也不完全是纯粹的PN结,有些中间插入了一个基区. 所以两者呈现的特点是不太一样的: 肖特基的反向耐压值比较小,一般是几十V
