饱和管压降和导通电压
@沙荔4126：晶体管的饱和管压降与PN借的导通压降有什么关系 -
楚雷17316692136…… 晶体管的饱和压降也就是两个PN结正偏时、C-E之间的电压,即等于两个PN结正向电压的差,因此,对于理想晶体管,饱和压降与PN结的导通压降,严格来说,是有一定的关系. 但是,实际上晶体管饱和压降与PN结的导通压降关系不大,因为晶体管饱和压降主要决定于晶体管的集电极串联电阻;而这与衬底外延层的电阻率和厚度有很大的关系,另外也与电极接触电阻有关. 想要详细了解的话,请参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.
@沙荔4126：什么是IGBT饱和压降?饱和压降和导通压降的区别是什么? -
楚雷17316692136…… IGBT开通进入饱和区以后的压降,一般来说正常工作时候的饱和压降就是IGBT的导通压降
@沙荔4126：三极管的饱和管压降指的是 -
楚雷17316692136…… 三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降,一般在1V左右.
@沙荔4126：〈数字电路,三极管〉饱和压降是什么?具体如何使用? -
楚雷17316692136…… 饱和压降是说三极管工作在饱和区内.在这个工作区,三极管的集电极电流不再随着基极电流变化,而只和电源和负载有关.此时集电极和发射极之间的电压就是饱和压降.
@沙荔4126：什么叫饱和压降.放大倍数.和开关时间? -
楚雷17316692136…… 饱和压降指的是三极管饱和时,其集电极和发射极之间的电压.当三极管饱和后,基极电流的增加不会引起集电极电流的变化,此时三极管饱和,其饱和压降在0.4-0.2V(管子不同这个数字也不同). 在三极管放大电路中存在电流放大倍数和电...
@沙荔4126：晶体管的β=50,|UBE|=0.2V,饱和 晶体管的β=50,|UBE|=0.2V,饱和管压降|UCES|=0.1V;稳压管的稳定电压UZ=5V,正向导通电压UD=0.5V.当u1=0V时u0=?... - 作业帮
楚雷17316692136…… [答案] 经计算,该电路在u1=-2.58V时处于临界饱和状态,现U1=-5V<-2.58V,所以处于饱和状态,于是:U.=-0.1V(即饱和压降).稳压管的作用是限制U.≮-5V,现U.=-O.1V>-0.5V且U.<5V,所以它处于非工作状态,即不产生影响.(你的问题...
@沙荔4126：饱和管压降 什么饱和 -
楚雷17316692136…… 集电结处于正向偏置时,晶体管工作于饱和状态,这个饱和状态值的是电流饱和,因为当集电结处于正向偏置时,导通,管压降也就是他导通时的电压降
@沙荔4126：模拟电子技术中的 三极管 饱和管压降 Uces 是指什么概念 -
楚雷17316692136…… 饱和管压降也就是临界饱和电压,理论上说是放大区与饱和区的边界.对于小功率管来说,大概是0.7V左右,对于大功率管子来说,可以达到2-3V. 工程中,其实饱和和放大的边界远没有那么清楚,是一个很模糊的概念,对于小功率管而言,基本上UCE=1V开始,就逐步进入饱和区了,UCE越小,饱和程度越深.到了UCES后,就完全进入饱和状态了,但是饱和程度还可以继续加深,小功率管最多可以达到UCE=0.3V左右,这时候可以说是深度饱和了. UCES这个数值在功率放大电路计算过程中特别有用,可以计算功率管自身管耗,进而计算效率. 把追问也回答好吧. 你按UCES计算出来的是放大区的最大基极电流,但对于饱和区来说,这个电流还不是最大的基极电流.
@沙荔4126：如图晶体管β=50,|Ube|=0.2V,饱和管压降|Uces|=0.1V稳压管的稳定电压Uz=5V,正向导通电压Ud=0.5V问:当U1= - 5V时,U0=? - 作业帮
楚雷17316692136…… [答案] 经计算,该电路在u1=-2.58V时处于临界饱和状态,现U1=-5V<-2.58V,所以处于饱和状态,于是:U.=-0.1V(即饱和压降).稳压管的作用是限制U.≮-5V,现U.=-O.1V>-0.5V且U.<5V,所以它处于非工作状态,即不产生影响.(你的问题...
@沙荔4126：有关晶体管饱和管压降的问题 -
楚雷17316692136…… 书上说的是对的呀,你说的uce小于0.7只是一个范围,范围比较大,它只是相对发射结导通压降而言的,只有这样两结才能同时正偏,实际上你测试的话就在书上说的范围内
楚雷17316692136…… 晶体管的饱和压降也就是两个PN结正偏时、C-E之间的电压,即等于两个PN结正向电压的差,因此,对于理想晶体管,饱和压降与PN结的导通压降,严格来说,是有一定的关系. 但是,实际上晶体管饱和压降与PN结的导通压降关系不大,因为晶体管饱和压降主要决定于晶体管的集电极串联电阻;而这与衬底外延层的电阻率和厚度有很大的关系,另外也与电极接触电阻有关. 想要详细了解的话,请参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.
@沙荔4126：什么是IGBT饱和压降?饱和压降和导通压降的区别是什么? -
楚雷17316692136…… IGBT开通进入饱和区以后的压降,一般来说正常工作时候的饱和压降就是IGBT的导通压降
@沙荔4126：三极管的饱和管压降指的是 -
楚雷17316692136…… 三极管的饱和压降指的是工作在开关状态的三极管处于导通状态时的发射极与集电极之间的压降,一般在1V左右.
@沙荔4126：〈数字电路,三极管〉饱和压降是什么?具体如何使用? -
楚雷17316692136…… 饱和压降是说三极管工作在饱和区内.在这个工作区,三极管的集电极电流不再随着基极电流变化,而只和电源和负载有关.此时集电极和发射极之间的电压就是饱和压降.
@沙荔4126：什么叫饱和压降.放大倍数.和开关时间? -
楚雷17316692136…… 饱和压降指的是三极管饱和时,其集电极和发射极之间的电压.当三极管饱和后,基极电流的增加不会引起集电极电流的变化,此时三极管饱和,其饱和压降在0.4-0.2V(管子不同这个数字也不同). 在三极管放大电路中存在电流放大倍数和电...
@沙荔4126：晶体管的β=50,|UBE|=0.2V,饱和 晶体管的β=50,|UBE|=0.2V,饱和管压降|UCES|=0.1V;稳压管的稳定电压UZ=5V,正向导通电压UD=0.5V.当u1=0V时u0=?... - 作业帮
楚雷17316692136…… [答案] 经计算,该电路在u1=-2.58V时处于临界饱和状态,现U1=-5V<-2.58V,所以处于饱和状态,于是:U.=-0.1V(即饱和压降).稳压管的作用是限制U.≮-5V,现U.=-O.1V>-0.5V且U.<5V,所以它处于非工作状态,即不产生影响.(你的问题...
@沙荔4126：饱和管压降 什么饱和 -
楚雷17316692136…… 集电结处于正向偏置时,晶体管工作于饱和状态,这个饱和状态值的是电流饱和,因为当集电结处于正向偏置时,导通,管压降也就是他导通时的电压降
@沙荔4126：模拟电子技术中的 三极管 饱和管压降 Uces 是指什么概念 -
楚雷17316692136…… 饱和管压降也就是临界饱和电压,理论上说是放大区与饱和区的边界.对于小功率管来说,大概是0.7V左右,对于大功率管子来说,可以达到2-3V. 工程中,其实饱和和放大的边界远没有那么清楚,是一个很模糊的概念,对于小功率管而言,基本上UCE=1V开始,就逐步进入饱和区了,UCE越小,饱和程度越深.到了UCES后,就完全进入饱和状态了,但是饱和程度还可以继续加深,小功率管最多可以达到UCE=0.3V左右,这时候可以说是深度饱和了. UCES这个数值在功率放大电路计算过程中特别有用,可以计算功率管自身管耗,进而计算效率. 把追问也回答好吧. 你按UCES计算出来的是放大区的最大基极电流,但对于饱和区来说,这个电流还不是最大的基极电流.
@沙荔4126：如图晶体管β=50,|Ube|=0.2V,饱和管压降|Uces|=0.1V稳压管的稳定电压Uz=5V,正向导通电压Ud=0.5V问:当U1= - 5V时,U0=? - 作业帮
楚雷17316692136…… [答案] 经计算,该电路在u1=-2.58V时处于临界饱和状态,现U1=-5V<-2.58V,所以处于饱和状态,于是:U.=-0.1V(即饱和压降).稳压管的作用是限制U.≮-5V,现U.=-O.1V>-0.5V且U.<5V,所以它处于非工作状态,即不产生影响.(你的问题...
@沙荔4126：有关晶体管饱和管压降的问题 -
楚雷17316692136…… 书上说的是对的呀,你说的uce小于0.7只是一个范围,范围比较大,它只是相对发射结导通压降而言的,只有这样两结才能同时正偏,实际上你测试的话就在书上说的范围内
