13n50场效应管参数
@艾杭2774：场效应管: 谁知道IRF3315、13n50ct的参数及代换元件? -
阎冠17219159648…… 您好: ①、这ⅠRF3315属于:N一M0SET功率场效应管其参数如:/耐压:150Ⅴ//电流:27A//功率:136W// 可直接用:ⅠRF3415型场效应管代换.②、关于13N50T场效应管参数:/耐压:500Ⅴ// /电流:13.4A//功率:190W// 向这个管可直接用 FQA13N50C代换.
@艾杭2774：场效应管10n60参数是多少? -
阎冠17219159648…… 10N60 :N沟道MOSFET功率,10A 600V. 10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管. 13N50是耐压500V,电流13A的N沟道场效应管. 只要你的实际应用电压不超过400V,就可以代换.电流不用考虑了. 场效应晶体管简称场效应管....
@艾杭2774：800 13n50三极管怎么测好坏? -
阎冠17219159648…… 13n50是绝缘栅极场效应管,一般功率场效应管D、S极有一个反向并联二极管,所以用万用表量DS间成二极管特性,栅极是绝缘型的,和任意脚电阻无穷大.
@艾杭2774：电脑长城电源三极管13N50C坏用什么代换 -
阎冠17219159648…… 电脑开关电源里面的功率管13N50C,是一只N沟道MOS场效应管,它的主要电参数是:Vdss=500V,Id=13A,Rds(on) max = 0.3 Ω.可以使用FDPF13N50N直接代换,它们的参数一样,只是序号有差别.也可以使用EUM091R、EUM092R直接代换,参数一模一样.
@艾杭2774：13N60 13N50c的参数 -
阎冠17219159648…… 两者均为13A、N沟道场效应功率管,只不过前者耐压是600V,而后者耐压为500V.
@艾杭2774：场效应管的主要参数
阎冠17219159648…… 饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流. 夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS. 开启电压UT它可定义为:当UDS...
@艾杭2774：20n60c可以代换18n50c吗 -
阎冠17219159648…… 2N60是功率场效应管,参数是:硅、 500V、 2A、 55W 、 RDS(on) ≤ 5.1 Ω 、带阻尼; 12N60C也是功率场效应管,参数:硅、 600V 、12A 、51W 、RDS(on)=0.65Ω 、带阻尼. 由以上参数看,12N60C是可以代换2N60的.
@艾杭2774：场效应管20n60能替代k13a60d -
阎冠17219159648…… 10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管. 13N50是耐压500V,电流13A的N沟道场效应管. 只要你的实际应用电压不超过400V,就可以代换.电流不用考虑了.
@艾杭2774：场效应管的主要参数有哪些?
阎冠17219159648…… 场效应管交流参数交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高
@艾杭2774：场效应管L3nm60n的参数是多少 -
阎冠17219159648…… 11N60C3的参数是600V, 11A,50W, 0.55Ω K2645参数是600V, 9A,50W, 0.75Ω 一般不能代换,小功率场合可以,代换后发热稍大. 可以用20N60C3场效应管, 650V 20A 208W 0.19Ω N-FET 或者STD11NM60N,13NM60,14NM60,,15NM60,21NM60等也可代换
阎冠17219159648…… 您好: ①、这ⅠRF3315属于:N一M0SET功率场效应管其参数如:/耐压:150Ⅴ//电流:27A//功率:136W// 可直接用:ⅠRF3415型场效应管代换.②、关于13N50T场效应管参数:/耐压:500Ⅴ// /电流:13.4A//功率:190W// 向这个管可直接用 FQA13N50C代换.
@艾杭2774：场效应管10n60参数是多少? -
阎冠17219159648…… 10N60 :N沟道MOSFET功率,10A 600V. 10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管. 13N50是耐压500V,电流13A的N沟道场效应管. 只要你的实际应用电压不超过400V,就可以代换.电流不用考虑了. 场效应晶体管简称场效应管....
@艾杭2774：800 13n50三极管怎么测好坏? -
阎冠17219159648…… 13n50是绝缘栅极场效应管,一般功率场效应管D、S极有一个反向并联二极管,所以用万用表量DS间成二极管特性,栅极是绝缘型的,和任意脚电阻无穷大.
@艾杭2774：电脑长城电源三极管13N50C坏用什么代换 -
阎冠17219159648…… 电脑开关电源里面的功率管13N50C,是一只N沟道MOS场效应管,它的主要电参数是:Vdss=500V,Id=13A,Rds(on) max = 0.3 Ω.可以使用FDPF13N50N直接代换,它们的参数一样,只是序号有差别.也可以使用EUM091R、EUM092R直接代换,参数一模一样.
@艾杭2774：13N60 13N50c的参数 -
阎冠17219159648…… 两者均为13A、N沟道场效应功率管,只不过前者耐压是600V,而后者耐压为500V.
@艾杭2774：场效应管的主要参数
阎冠17219159648…… 饱和漏极电流IDSS它可定义为:当栅、源极之间的电压等于零,而漏、源极之间的电压大于夹断电压时,对应的漏极电流. 夹断电压UP它可定义为:当UDS一定时,使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS. 开启电压UT它可定义为:当UDS...
@艾杭2774：20n60c可以代换18n50c吗 -
阎冠17219159648…… 2N60是功率场效应管,参数是:硅、 500V、 2A、 55W 、 RDS(on) ≤ 5.1 Ω 、带阻尼; 12N60C也是功率场效应管,参数:硅、 600V 、12A 、51W 、RDS(on)=0.65Ω 、带阻尼. 由以上参数看,12N60C是可以代换2N60的.
@艾杭2774：场效应管20n60能替代k13a60d -
阎冠17219159648…… 10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管. 13N50是耐压500V,电流13A的N沟道场效应管. 只要你的实际应用电压不超过400V,就可以代换.电流不用考虑了.
@艾杭2774：场效应管的主要参数有哪些?
阎冠17219159648…… 场效应管交流参数交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高
@艾杭2774：场效应管L3nm60n的参数是多少 -
阎冠17219159648…… 11N60C3的参数是600V, 11A,50W, 0.55Ω K2645参数是600V, 9A,50W, 0.75Ω 一般不能代换,小功率场合可以,代换后发热稍大. 可以用20N60C3场效应管, 650V 20A 208W 0.19Ω N-FET 或者STD11NM60N,13NM60,14NM60,,15NM60,21NM60等也可代换
