场效应管参数手册大全
@靳景1824：场效应管10n60参数是多少? -
邴方19540568625…… 10N60 :N沟道MOSFET功率,10A 600V. 10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管. 13N50是耐压500V,电流13A的N沟道场效应管. 只要你的实际应用电压不超过400V,就可以代换.电流不用考虑了. 场效应晶体管简称场效应管....
@靳景1824：场效应管的主要参数有哪些?
邴方19540568625…… 场效应管交流参数交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高
@靳景1824：场效应管有哪几种参数?
邴方19540568625…… VDSS----最大-耐压 VDGR----栅漏耐压 VGS(th)------控制栅门限电压(或叫最低栅控制电压) VGSM---控制栅最大电压 ID---------漏极最大电流 tr----------最大工作频率(或叫响应速度) RDS(on)--D/S导通电阻 使用者注意以上参数便行.
@靳景1824：场效应管5n60c技术参数 -
邴方19540568625…… 5N60C是N沟道MOS场效应管,漏极电流4.5A,脉冲电流允许18A,D-S耐压600V, 功耗:33W,工作温度范围:-55°C to +150°C,封装类型:TO-220F,功率, Pd:33W,封装类型:TO-220F,常用于开关电源中作开关管.
@靳景1824：260m场效应管参数
邴方19540568625…… IRFP260M:200V,40mO,50A,300W制造商: International Rectifier产品种类: ... Enhancement商标: International Rectifier配置: Single 260m场效应管参数 效应管参数:...
@靳景1824：场效应管j37 参数 -
邴方19540568625…… 它的参数是25A 、1200V的场效应管.25N120 即表示这个场效应管的两个主要参数. irf3205就是mos管,耐压50v,过电流90A,直接去电子市场买3205也很容易,买不到的话,可以用BUK7510替代,还有提到的75n75也是可以的,耐压都是够的,就是电流不是那么大;不过用在捕鱼机上是没问题的. 在安装的时候注意,将功率管的散热片一定要上紧,这样在过大电流的时候,热量能够在较短的时间内散出,不容易损坏.
@靳景1824：irfpg50场效应管参数
邴方19540568625……   irfpg50场效应管参数:   其型号为IRFPG50,类型为N沟道场效应管,耗散功率(PD)为180W,漏极电流(ID)为6.1A,漏极和源极电压(VDSS)为1000V,封装TO-247AC.   场效应晶体管有两种类型(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.
@靳景1824：电力场效应管的电力MOSFET的主要参数
邴方19540568625…… 除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有:(1)漏极电压UDS——电力MOSFET电压定额(2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额(3)栅源电压UGS—— UGS>20V将导致绝缘层击穿 .(4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS
@靳景1824：场效应管参数大全(K3116) -
邴方19540568625…… 用IRFPC50代替.
邴方19540568625…… 10N60 :N沟道MOSFET功率,10A 600V. 10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管. 13N50是耐压500V,电流13A的N沟道场效应管. 只要你的实际应用电压不超过400V,就可以代换.电流不用考虑了. 场效应晶体管简称场效应管....
@靳景1824：场效应管的主要参数有哪些?
邴方19540568625…… 场效应管交流参数交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高
@靳景1824：场效应管有哪几种参数?
邴方19540568625…… VDSS----最大-耐压 VDGR----栅漏耐压 VGS(th)------控制栅门限电压(或叫最低栅控制电压) VGSM---控制栅最大电压 ID---------漏极最大电流 tr----------最大工作频率(或叫响应速度) RDS(on)--D/S导通电阻 使用者注意以上参数便行.
@靳景1824：场效应管5n60c技术参数 -
邴方19540568625…… 5N60C是N沟道MOS场效应管,漏极电流4.5A,脉冲电流允许18A,D-S耐压600V, 功耗:33W,工作温度范围:-55°C to +150°C,封装类型:TO-220F,功率, Pd:33W,封装类型:TO-220F,常用于开关电源中作开关管.
@靳景1824：260m场效应管参数
邴方19540568625…… IRFP260M:200V,40mO,50A,300W制造商: International Rectifier产品种类: ... Enhancement商标: International Rectifier配置: Single 260m场效应管参数 效应管参数:...
@靳景1824：场效应管j37 参数 -
邴方19540568625…… 它的参数是25A 、1200V的场效应管.25N120 即表示这个场效应管的两个主要参数. irf3205就是mos管,耐压50v,过电流90A,直接去电子市场买3205也很容易,买不到的话,可以用BUK7510替代,还有提到的75n75也是可以的,耐压都是够的,就是电流不是那么大;不过用在捕鱼机上是没问题的. 在安装的时候注意,将功率管的散热片一定要上紧,这样在过大电流的时候,热量能够在较短的时间内散出,不容易损坏.
@靳景1824：irfpg50场效应管参数
邴方19540568625……   irfpg50场效应管参数:   其型号为IRFPG50,类型为N沟道场效应管,耗散功率(PD)为180W,漏极电流(ID)为6.1A,漏极和源极电压(VDSS)为1000V,封装TO-247AC.   场效应晶体管有两种类型(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.
@靳景1824：电力场效应管的电力MOSFET的主要参数
邴方19540568625…… 除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有:(1)漏极电压UDS——电力MOSFET电压定额(2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额(3)栅源电压UGS—— UGS>20V将导致绝缘层击穿 .(4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS
@靳景1824：场效应管参数大全(K3116) -
邴方19540568625…… 用IRFPC50代替.
