8n65场效应管参数功能
@安哈4225：8n60 三极管的详细参数? -
刁汪18945978219…… 8n60基本参数 (1)晶体管极性:N (2)漏极电流, Id最大值:7.5A (3)电压, Vds最大:600V (4)开态电阻, Rds(on):1.2ohm (5)电压@ Rds测量:10V (6)电压, Vgs最高:30V (7)功耗:48W (8)工作温度范围:-55°C to +150°C (9)封装:TO-...
@安哈4225：场效应管4N60和8N60性能上有什么差别?8N60指的是什么? -
刁汪18945978219…… SSP4N60B:N 4A,600V,2.5Ω,VGS=10V,100W SSS4N60B:N 4A,600V,2.5Ω,VGS=10V,33W FQB8N60C :N 7.5A, 600V, 1.2Ω,VGS = 10V,147W FQI8N60C: N 7.5A, 600V, 1.2Ω,VGS = 10V,147W 8N60性能好些,功率大,电流大,内阻小.
@安哈4225：场效应管是干什么用,主要参数? -
刁汪18945978219…… 场效应管主要是用来做开关或者用在升压板上,主要的参数为Vds(耐电压),Ids(耐电流)以及Rds(on)(导通电阻).
@安哈4225：场效应管在电路中有什么作用啊为什么要叫它场效应管它的参数是多少啊谁能告诉我啊谢谢了 -
刁汪18945978219…… 从我的使用经验方面通俗地讲一下(其它正规说明网上很多,我就不说了):场效应管相当于CMOS型的三极管,N沟道的相当于NPN三极管,P沟道的相当于PNP三极管;其栅极(G)相当于三极管的基级,;漏极(S)相当于发射极;源极(D)相当于集极极.但由于它比起三极管有输入阻抗大、功耗低、抗干扰强的特点,在需要用小信号控制放大的情况下使用比用普通三极管要好得多.
@安哈4225：8n60参数 -
刁汪18945978219…… UTC公司的8N60, 额定电压7.5A,耐压600V,功率147W,开启时间16.5ns,关闭时间81ns,其他参数详见pdf.
@安哈4225：场效应管的主要参数有哪些?
刁汪18945978219…… 场效应管交流参数交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高
@安哈4225：场效应管是个什么东西?原理作用都是什么? -
刁汪18945978219…… 1.场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点...
@安哈4225：场效应管8N60C的参数及代换 -
刁汪18945978219…… 8N60顾名思义是8A600V的N沟道MOS场效应管. 可用8N80,10N60,11N60等代换.
@安哈4225：8脚电阻场效应管是什么,各引脚功能 -
刁汪18945978219…… 引脚有,漏极D和源极S,栅极G. 漏极D和源极S功能差不多:属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点. 栅极:多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极,起控制阴极表面电场强度从而改变阴极放射电流或捕获二次放射电子的作用.
@安哈4225：随能介绍下场效应管的型号,标识,及如何用万用表判别好坏 -
刁汪18945978219…… 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二...
刁汪18945978219…… 8n60基本参数 (1)晶体管极性:N (2)漏极电流, Id最大值:7.5A (3)电压, Vds最大:600V (4)开态电阻, Rds(on):1.2ohm (5)电压@ Rds测量:10V (6)电压, Vgs最高:30V (7)功耗:48W (8)工作温度范围:-55°C to +150°C (9)封装:TO-...
@安哈4225：场效应管4N60和8N60性能上有什么差别?8N60指的是什么? -
刁汪18945978219…… SSP4N60B:N 4A,600V,2.5Ω,VGS=10V,100W SSS4N60B:N 4A,600V,2.5Ω,VGS=10V,33W FQB8N60C :N 7.5A, 600V, 1.2Ω,VGS = 10V,147W FQI8N60C: N 7.5A, 600V, 1.2Ω,VGS = 10V,147W 8N60性能好些,功率大,电流大,内阻小.
@安哈4225：场效应管是干什么用,主要参数? -
刁汪18945978219…… 场效应管主要是用来做开关或者用在升压板上,主要的参数为Vds(耐电压),Ids(耐电流)以及Rds(on)(导通电阻).
@安哈4225：场效应管在电路中有什么作用啊为什么要叫它场效应管它的参数是多少啊谁能告诉我啊谢谢了 -
刁汪18945978219…… 从我的使用经验方面通俗地讲一下(其它正规说明网上很多,我就不说了):场效应管相当于CMOS型的三极管,N沟道的相当于NPN三极管,P沟道的相当于PNP三极管;其栅极(G)相当于三极管的基级,;漏极(S)相当于发射极;源极(D)相当于集极极.但由于它比起三极管有输入阻抗大、功耗低、抗干扰强的特点,在需要用小信号控制放大的情况下使用比用普通三极管要好得多.
@安哈4225：8n60参数 -
刁汪18945978219…… UTC公司的8N60, 额定电压7.5A,耐压600V,功率147W,开启时间16.5ns,关闭时间81ns,其他参数详见pdf.
@安哈4225：场效应管的主要参数有哪些?
刁汪18945978219…… 场效应管交流参数交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高
@安哈4225：场效应管是个什么东西?原理作用都是什么? -
刁汪18945978219…… 1.场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点...
@安哈4225：场效应管8N60C的参数及代换 -
刁汪18945978219…… 8N60顾名思义是8A600V的N沟道MOS场效应管. 可用8N80,10N60,11N60等代换.
@安哈4225：8脚电阻场效应管是什么,各引脚功能 -
刁汪18945978219…… 引脚有,漏极D和源极S,栅极G. 漏极D和源极S功能差不多:属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点. 栅极:多极电子管中排列在阳极和阴极之间的一个或多个具有细丝网或螺旋线形状的电极,起控制阴极表面电场强度从而改变阴极放射电流或捕获二次放射电子的作用.
@安哈4225：随能介绍下场效应管的型号,标识,及如何用万用表判别好坏 -
刁汪18945978219…… 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二...
