bjt工作在饱和区的条件
@蔡雷6112：三极管(BJT)工作在饱和区为什么要求集电极正偏? -
茹王13162783728…… 三极管集电极正偏或反偏是由其材料性质决定的,NPN型三极管集电极必须正偏,PNP型三极管集电极必须反偏.
@蔡雷6112：何为三级管的临界饱和状态 -
茹王13162783728…… 当“Vce=Vbe≈0.7V”,是电路的一种特殊工作状态(方式).理论上,一般把Vce=Vbe的状态称为临界饱和,Vce
@蔡雷6112：饱和状态的不用分类的区分 -
茹王13162783728…… 对于BJT(双极型晶体管)和对于FET(场效应晶体管),饱和状态的含义大不相同,要特别注意区分开来· 一. 在电子科学技术中,饱和状态是指晶体管的一种低电压、大电流工作状态(即开态).晶体管的工作状态(或工作模式)包...
@蔡雷6112：请问场效应管的工作条件 -
茹王13162783728…… 场效应管一般工作在开关状态,即在饱和和截止区之间转换. 具体要求一般是: 栅极(G)与源极(S)之间的电压高于开启电压(Ugs(th),场效应管的datasheet里面有,一般是2-4V),又小于8V左右时,漏源电压(UDS)小于漏源击穿电压(BUDS)时,场效应管可以工作在饱和区. 截止区的条件就很简单了,只要Ugs小于开启电压即可. 按照我以前的经验,UGS最好不要太小,靠近8V这样会好一些,导通电阻Rds会小一些,整个管子的功耗也可以小一点.
@蔡雷6112：各种场效应管的工作条件? -
茹王13162783728…… 场效应管FET种类比三极管BJT多得多.这里以与NPN型BJT相似的N沟道FET为例聊一聊各种场效应管的工作条件. JFET及耗尽型MOSFET:漏极D加正电源,源极S接地,栅极G在零电压左右摆动时管子都工作,栅极G电压很负时即低于夹断电压时截止; 增强型MOSFET:漏极D加正电源,源极S接地,栅极G电压小于开启电压时截止,栅极G大于开启电压时管子工作. 会用NPN型BJT管子了自然很快会用PNP型BJT管子. 会用N沟道FET管子了自然很快会用P沟道FET管子.
@蔡雷6112：BJT三极管问题:如图,请问我不知道管子是NPN型还是PNP型,要怎么判断它工作在什么区域? -
茹王13162783728…… 判断三极管,可以看压降值.b级对e级的的压降值,锗管是0.7V,硅管是0.3V 放大区:Vc>Vb>Ve 饱和区:集电结和发射结均正偏 截止区:集电结和发射结均反偏
@蔡雷6112：BJT什么时候用作数字器件什么时候用作模拟器件 -
茹王13162783728…… 是由电压决定的,BJT工作在三区的时候的两个PN结处于不同的状态. 放大区:发射结正偏,集电结反偏 饱和区:集电结和发射结均正偏 截至区:集电结和发射结均反偏 PN结的正反偏说的是受外加电压的作用才这样的,所以BJT的工作在什么状态时受电压决定的.
茹王13162783728…… 三极管集电极正偏或反偏是由其材料性质决定的,NPN型三极管集电极必须正偏,PNP型三极管集电极必须反偏.
@蔡雷6112：何为三级管的临界饱和状态 -
茹王13162783728…… 当“Vce=Vbe≈0.7V”,是电路的一种特殊工作状态(方式).理论上,一般把Vce=Vbe的状态称为临界饱和,Vce
@蔡雷6112：饱和状态的不用分类的区分 -
茹王13162783728…… 对于BJT(双极型晶体管)和对于FET(场效应晶体管),饱和状态的含义大不相同,要特别注意区分开来· 一. 在电子科学技术中,饱和状态是指晶体管的一种低电压、大电流工作状态(即开态).晶体管的工作状态(或工作模式)包...
@蔡雷6112：请问场效应管的工作条件 -
茹王13162783728…… 场效应管一般工作在开关状态,即在饱和和截止区之间转换. 具体要求一般是: 栅极(G)与源极(S)之间的电压高于开启电压(Ugs(th),场效应管的datasheet里面有,一般是2-4V),又小于8V左右时,漏源电压(UDS)小于漏源击穿电压(BUDS)时,场效应管可以工作在饱和区. 截止区的条件就很简单了,只要Ugs小于开启电压即可. 按照我以前的经验,UGS最好不要太小,靠近8V这样会好一些,导通电阻Rds会小一些,整个管子的功耗也可以小一点.
@蔡雷6112：各种场效应管的工作条件? -
茹王13162783728…… 场效应管FET种类比三极管BJT多得多.这里以与NPN型BJT相似的N沟道FET为例聊一聊各种场效应管的工作条件. JFET及耗尽型MOSFET:漏极D加正电源,源极S接地,栅极G在零电压左右摆动时管子都工作,栅极G电压很负时即低于夹断电压时截止; 增强型MOSFET:漏极D加正电源,源极S接地,栅极G电压小于开启电压时截止,栅极G大于开启电压时管子工作. 会用NPN型BJT管子了自然很快会用PNP型BJT管子. 会用N沟道FET管子了自然很快会用P沟道FET管子.
@蔡雷6112：BJT三极管问题:如图,请问我不知道管子是NPN型还是PNP型,要怎么判断它工作在什么区域? -
茹王13162783728…… 判断三极管,可以看压降值.b级对e级的的压降值,锗管是0.7V,硅管是0.3V 放大区:Vc>Vb>Ve 饱和区:集电结和发射结均正偏 截止区:集电结和发射结均反偏
@蔡雷6112：BJT什么时候用作数字器件什么时候用作模拟器件 -
茹王13162783728…… 是由电压决定的,BJT工作在三区的时候的两个PN结处于不同的状态. 放大区:发射结正偏,集电结反偏 饱和区:集电结和发射结均正偏 截至区:集电结和发射结均反偏 PN结的正反偏说的是受外加电压的作用才这样的,所以BJT的工作在什么状态时受电压决定的.
