mos管完全导通压降
@龙娟1552：场管怎么样才能判断为完全导通? -
门录15858238671…… MOS管处于饱和状态就是完全通导. 如果用在降压电路,输出电压要低于输入电压.控制输出电压不是只有一种方法. 在LDO里是控制MOS管的通导电阻,当然是用G极的电压来控制,改变这个电压改变了MOS的电阻,把合适的电压分配给负载电...
@龙娟1552：为什么mos管压降那么大,具体如下图 -
门录15858238671…… 选的型号不对额,可能mos管没有完全导通,可能mos管本身的内阻就大,那是因为mos管的内阻太大了;第二.第一,所以内阻很大
@龙娟1552：你好,我想问一下,如何做到mos管导通时其源漏间的压降等于0??谢谢! -
门录15858238671…… 1 mos管有内阻,在有电流通过的时候,绝对的压降为0是不可能的2 合理选型,mos管内阻小于0.1欧时很平常的,在MA级的电流下压降可接近0V
@龙娟1552：什么型号的N沟道场效应管在4v栅极电压下可以完全导通? -
门录15858238671…… 4V完全导通?不可能的.一般MOS管完全导通要10V以上,而且MOS管的导通其实也是一个过程,UGS(th)只是开始导通,这个值一般也都有2-4V了.我建议你还是换固态继电器这种当开关比较好,适合你的要求.
@龙娟1552：MOS管打开时,是否正向和反向都能导通? -
门录15858238671…… 是的. 一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压,那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通,当然,对于PMOS也一样. 因为对于MOS管来说,管内的衬底在制造时被连接到了S端,S端已经被确定了,而DS端无法互换,但是DS间的电流方向却可以是双向的.
@龙娟1552：请问,就是什么样的直插MOS管,G端的驱动电压在5v时完全导通,此时压降最小,是用单片机驱动的 -
门录15858238671…… IRF640是完全可以的.我用PIC单片机,用IRF640驱动继电器,很好用的.不知道适合你不.
@龙娟1552：单片机pwm驱动mos管的问题 -
门录15858238671…… MOS管内阻很小,普通的有 40mΩ 左右,导通电流支持20A;好的能到4mΩ左右,导通电流支持80A; 10A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为2.1V~4V,标称3V;3.7V的锂电池,饱和是4.2V,选择3.3...
@龙娟1552：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
门录15858238671…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@龙娟1552：MOS管开关电路? -
门录15858238671…… MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态.由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态.MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间,而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的.
@龙娟1552：电压通过导通的mos管会变小吗 -
门录15858238671…… 不会.电压变小只有电源内阻压降才可能.
门录15858238671…… MOS管处于饱和状态就是完全通导. 如果用在降压电路,输出电压要低于输入电压.控制输出电压不是只有一种方法. 在LDO里是控制MOS管的通导电阻,当然是用G极的电压来控制,改变这个电压改变了MOS的电阻,把合适的电压分配给负载电...
@龙娟1552：为什么mos管压降那么大,具体如下图 -
门录15858238671…… 选的型号不对额,可能mos管没有完全导通,可能mos管本身的内阻就大,那是因为mos管的内阻太大了;第二.第一,所以内阻很大
@龙娟1552：你好,我想问一下,如何做到mos管导通时其源漏间的压降等于0??谢谢! -
门录15858238671…… 1 mos管有内阻,在有电流通过的时候,绝对的压降为0是不可能的2 合理选型,mos管内阻小于0.1欧时很平常的,在MA级的电流下压降可接近0V
@龙娟1552：什么型号的N沟道场效应管在4v栅极电压下可以完全导通? -
门录15858238671…… 4V完全导通?不可能的.一般MOS管完全导通要10V以上,而且MOS管的导通其实也是一个过程,UGS(th)只是开始导通,这个值一般也都有2-4V了.我建议你还是换固态继电器这种当开关比较好,适合你的要求.
@龙娟1552：MOS管打开时,是否正向和反向都能导通? -
门录15858238671…… 是的. 一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压,那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通,当然,对于PMOS也一样. 因为对于MOS管来说,管内的衬底在制造时被连接到了S端,S端已经被确定了,而DS端无法互换,但是DS间的电流方向却可以是双向的.
@龙娟1552：请问,就是什么样的直插MOS管,G端的驱动电压在5v时完全导通,此时压降最小,是用单片机驱动的 -
门录15858238671…… IRF640是完全可以的.我用PIC单片机,用IRF640驱动继电器,很好用的.不知道适合你不.
@龙娟1552：单片机pwm驱动mos管的问题 -
门录15858238671…… MOS管内阻很小,普通的有 40mΩ 左右,导通电流支持20A;好的能到4mΩ左右,导通电流支持80A; 10A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为2.1V~4V,标称3V;3.7V的锂电池,饱和是4.2V,选择3.3...
@龙娟1552：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
门录15858238671…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@龙娟1552：MOS管开关电路? -
门录15858238671…… MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态.由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态.MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间,而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的.
@龙娟1552：电压通过导通的mos管会变小吗 -
门录15858238671…… 不会.电压变小只有电源内阻压降才可能.
