p沟道增强型mos管导通
@楚严450：请问这个电路里面P0.3低电平的时候为什么MOS管导通? -
益侵18468076866…… 图中的MOS管为P沟道增强型场效应管,其开启电压为高电平,即当其栅极为高电平时,该MOS管导通. 当P0.3为低电平时,9013截止,集电极为高电平,故MOS管导通.
@楚严450：MOS管P沟道不用栅极触发就通?
益侵18468076866…… Pmos要截止,由于电机接了12V电源,需要栅极接12V才能关闭.对于PMOS来说,和PNP类似.需要把12V当零,GND当做-12V.这时,0V截止,负电压导通.接的+5V相当于-7V,当然要导通了.
@楚严450：谁能简明扼要介绍MOS 管,包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异? -
益侵18468076866…… 其实网上这方面资料有的是,你也应该看到不少.我说说我自己的理解. 关于MOS管记住几点就可以了 1、P和N .这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5...
@楚严450：p沟道场效应管怎么导通 ?如果在d极加上5v电压,s极接地,g极悬空 场效应管会导通吗?如图 -
益侵18468076866…… 能导通!实际所有N沟道Mos场效应管都有一个S极指向D极的“寄生二极管”(P沟道是D指向S,故能导通!),书本上可能简化了,国外的Mos场效应管符号图上都把它画上的. 不过g极禁止悬空,以免静电击穿!
@楚严450：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
益侵18468076866…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@楚严450：结型、MOS 增强性、耗尽型都是如何完全导通的? -
益侵18468076866…… 结型和耗尽型沟道是已经存在的 增强型P沟道的栅极对源极加的是负电压 我们知道P型半导体的多子是空穴,带正电荷,怎样才能在靠近栅极的N型半导体形成P型呢,把衬底里面的正电荷吸引过来就行(比如学校里面老师少学生多,我们可以通知老师到一个地方去,在学校的这个地方就是老师比学生多了),这样源极和漏极这两快P形半导体之间再也不是N型的半导体,而是P型(叫反型层)的了,既然都一样,没有了PN结的反向截止,导电沟道就形成了. 增强型P沟道的栅极对源极加的是负电压就是为了吸引带正电荷的空穴
@楚严450：MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢? -
益侵18468076866…… MOS管导通的时候,沟道是什么类型的就是什么沟道,比如源漏都是N型的,那么MOS管要导通,沟道必须也是N型的才能把源漏连接起来进行导电,所以最简单的判断就是看源漏是什么类型掺杂的,就是什么类型的沟道.当然上面说的这些是针对你初学半导体器件时候知道器件截面图时用来判断的,如果是实际的产品的话,就看栅压是加正压MOS管能导通,还是栅压加负压能导通,如果加正压能导通的就是N沟道MOS管,如果加负压能导通的就是P沟道MOS管了
@楚严450：P沟道增强型场效应管 -
益侵18468076866…… IXTH8p50 ------------- IXTH10P50 -500V -10 A IXTH11P50 ------------- IXTK32P60 -600V -32 A
@楚严450：p沟道的工作状态怎么判断...p沟道怎么求vgs -
益侵18468076866…… P沟道的MOS管,当Vgs<Vgs(th)【其实是|Vgs|>|Vgs(th)|】时导通 当Vds>Vgs-Vgs(th)时,工作在线性区 当Vds<Vgs-Vgs(th)时,工作在饱和区 【注意:这里的Vds是负数,Vds的绝对值大的时候是饱和的,Vds的绝对值太小就进入线性区了】 一般在分析电路的时候,都是先算出Vgs,判断MOS管状态,再去求漏极电流的Id,当然做题之类的可能会先给漏极电流,再去算栅源电压,这种情况套公式就好了
益侵18468076866…… 图中的MOS管为P沟道增强型场效应管,其开启电压为高电平,即当其栅极为高电平时,该MOS管导通. 当P0.3为低电平时,9013截止,集电极为高电平,故MOS管导通.
@楚严450：MOS管P沟道不用栅极触发就通?
益侵18468076866…… Pmos要截止,由于电机接了12V电源,需要栅极接12V才能关闭.对于PMOS来说,和PNP类似.需要把12V当零,GND当做-12V.这时,0V截止,负电压导通.接的+5V相当于-7V,当然要导通了.
@楚严450：谁能简明扼要介绍MOS 管,包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异? -
益侵18468076866…… 其实网上这方面资料有的是,你也应该看到不少.我说说我自己的理解. 关于MOS管记住几点就可以了 1、P和N .这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5...
@楚严450：p沟道场效应管怎么导通 ?如果在d极加上5v电压,s极接地,g极悬空 场效应管会导通吗?如图 -
益侵18468076866…… 能导通!实际所有N沟道Mos场效应管都有一个S极指向D极的“寄生二极管”(P沟道是D指向S,故能导通!),书本上可能简化了,国外的Mos场效应管符号图上都把它画上的. 不过g极禁止悬空,以免静电击穿!
@楚严450：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
益侵18468076866…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@楚严450：结型、MOS 增强性、耗尽型都是如何完全导通的? -
益侵18468076866…… 结型和耗尽型沟道是已经存在的 增强型P沟道的栅极对源极加的是负电压 我们知道P型半导体的多子是空穴,带正电荷,怎样才能在靠近栅极的N型半导体形成P型呢,把衬底里面的正电荷吸引过来就行(比如学校里面老师少学生多,我们可以通知老师到一个地方去,在学校的这个地方就是老师比学生多了),这样源极和漏极这两快P形半导体之间再也不是N型的半导体,而是P型(叫反型层)的了,既然都一样,没有了PN结的反向截止,导电沟道就形成了. 增强型P沟道的栅极对源极加的是负电压就是为了吸引带正电荷的空穴
@楚严450：MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢? -
益侵18468076866…… MOS管导通的时候,沟道是什么类型的就是什么沟道,比如源漏都是N型的,那么MOS管要导通,沟道必须也是N型的才能把源漏连接起来进行导电,所以最简单的判断就是看源漏是什么类型掺杂的,就是什么类型的沟道.当然上面说的这些是针对你初学半导体器件时候知道器件截面图时用来判断的,如果是实际的产品的话,就看栅压是加正压MOS管能导通,还是栅压加负压能导通,如果加正压能导通的就是N沟道MOS管,如果加负压能导通的就是P沟道MOS管了
@楚严450：P沟道增强型场效应管 -
益侵18468076866…… IXTH8p50 ------------- IXTH10P50 -500V -10 A IXTH11P50 ------------- IXTK32P60 -600V -32 A
@楚严450：p沟道的工作状态怎么判断...p沟道怎么求vgs -
益侵18468076866…… P沟道的MOS管,当Vgs<Vgs(th)【其实是|Vgs|>|Vgs(th)|】时导通 当Vds>Vgs-Vgs(th)时,工作在线性区 当Vds<Vgs-Vgs(th)时,工作在饱和区 【注意:这里的Vds是负数,Vds的绝对值大的时候是饱和的,Vds的绝对值太小就进入线性区了】 一般在分析电路的时候,都是先算出Vgs,判断MOS管状态,再去求漏极电流的Id,当然做题之类的可能会先给漏极电流,再去算栅源电压,这种情况套公式就好了
