p沟道场效应管导通条件
@蔡吉210：场效应管分为N沟道和P沟道,它的导通条件分别是什么? - 作业帮
壤贴18985407641…… [答案] 都是靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通.对N沟道G极电压为+极性.对P沟道的G极电压为-极性.
@蔡吉210：P型场效应管在基极加低电压还是高电压导通
壤贴18985407641…… CMOS管和结型场效应管的判断方法不一样. P沟道要在DG之间加负电压才能导通. N沟道要在DG之间加正电压才能导通. JFET不加电压就导通,加负压才好工作
@蔡吉210：p沟道场效应管怎么导通 ?如果在d极加上5v电压,s极接地,g极悬空 场效应管会导通吗?如图 -
壤贴18985407641…… 能导通!实际所有N沟道Mos场效应管都有一个S极指向D极的“寄生二极管”(P沟道是D指向S,故能导通!),书本上可能简化了,国外的Mos场效应管符号图上都把它画上的. 不过g极禁止悬空,以免静电击穿!
@蔡吉210：P沟道增强型场效应管 -
壤贴18985407641…… IXTH8p50 ------------- IXTH10P50 -500V -10 A IXTH11P50 ------------- IXTK32P60 -600V -32 A
@蔡吉210：场效应管的截止条件? -
壤贴18985407641…… 当然不能导通了. 场效应管的导通条件是,栅源电压(UGS,栅极与源极之间的电压差,万用表红笔接栅极,黑笔接源极,万用表显示的就是栅源电压,不是栅极对地电压)至少大于开启电压(2-4V),也就是说,源极是19V的话,栅极电压至少要在21-23V以上才导通. PS:我建议你还是先看一下简单的电路基础,有电平、电势这样的概念后再看模电这样的东西.
@蔡吉210：场效应管中N沟道和P沟道的工作原理 -
壤贴18985407641…… 原理:两种沟道都是利用多数载流移动来导电,N沟道的多数载流子是电子,p沟道是空穴,当沟道中有电场时,就会有大量载流子,形成通路,,电场消失,沟道消失. 增强型场效应管是高电平导通(高电平时形成沟道),耗尽型是低电平导通 谢谢采纳
@蔡吉210：各种场效应管的工作条件? -
壤贴18985407641…… 场效应管FET种类比三极管BJT多得多.这里以与NPN型BJT相似的N沟道FET为例聊一聊各种场效应管的工作条件. JFET及耗尽型MOSFET:漏极D加正电源,源极S接地,栅极G在零电压左右摆动时管子都工作,栅极G电压很负时即低于夹断电压时截止; 增强型MOSFET:漏极D加正电源,源极S接地,栅极G电压小于开启电压时截止,栅极G大于开启电压时管子工作. 会用NPN型BJT管子了自然很快会用PNP型BJT管子. 会用N沟道FET管子了自然很快会用P沟道FET管子.
@蔡吉210：如果是增强型P沟道场效应管, -
壤贴18985407641…… 这个G为负是相对于源极而言的,意思是栅极的电位要比源极低对到一定程度才导通.导通之后,如果是不带阻尼二极管的那种,漏极的电压相对于源极电压没有要求,这两个极都可以调换使用的.电流方向也是那边电位低,电流就向那边流,但是现在很多场管源极到漏极都有一个二极管,对于P沟道管,如果漏极电位比源极高,会出现短路的情况.
@蔡吉210：如何确定场效应管是p - ch 还是n - ch?各自的导通条件是什么? -
壤贴18985407641…… 确定方法是把他们的型号输入到搜索引擎中查找. P 导通的条件是Gate 脚 和Drain脚的电势差大于它的门限开启电压Vth 当然 Source 要接正极方向,Drain接地. N沟道正好相反.
@蔡吉210：地和负接极,P沟道的场效应管的控制极接地才开始导通,但地只有0V,管子不是还没有完全导通吗嘛, -
壤贴18985407641…… 只要G和地之间电压大于开启电压就导通!一般大于5伏特就可以了.
壤贴18985407641…… [答案] 都是靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通.对N沟道G极电压为+极性.对P沟道的G极电压为-极性.
@蔡吉210：P型场效应管在基极加低电压还是高电压导通
壤贴18985407641…… CMOS管和结型场效应管的判断方法不一样. P沟道要在DG之间加负电压才能导通. N沟道要在DG之间加正电压才能导通. JFET不加电压就导通,加负压才好工作
@蔡吉210：p沟道场效应管怎么导通 ?如果在d极加上5v电压,s极接地,g极悬空 场效应管会导通吗?如图 -
壤贴18985407641…… 能导通!实际所有N沟道Mos场效应管都有一个S极指向D极的“寄生二极管”(P沟道是D指向S,故能导通!),书本上可能简化了,国外的Mos场效应管符号图上都把它画上的. 不过g极禁止悬空,以免静电击穿!
@蔡吉210：P沟道增强型场效应管 -
壤贴18985407641…… IXTH8p50 ------------- IXTH10P50 -500V -10 A IXTH11P50 ------------- IXTK32P60 -600V -32 A
@蔡吉210：场效应管的截止条件? -
壤贴18985407641…… 当然不能导通了. 场效应管的导通条件是,栅源电压(UGS,栅极与源极之间的电压差,万用表红笔接栅极,黑笔接源极,万用表显示的就是栅源电压,不是栅极对地电压)至少大于开启电压(2-4V),也就是说,源极是19V的话,栅极电压至少要在21-23V以上才导通. PS:我建议你还是先看一下简单的电路基础,有电平、电势这样的概念后再看模电这样的东西.
@蔡吉210：场效应管中N沟道和P沟道的工作原理 -
壤贴18985407641…… 原理:两种沟道都是利用多数载流移动来导电,N沟道的多数载流子是电子,p沟道是空穴,当沟道中有电场时,就会有大量载流子,形成通路,,电场消失,沟道消失. 增强型场效应管是高电平导通(高电平时形成沟道),耗尽型是低电平导通 谢谢采纳
@蔡吉210：各种场效应管的工作条件? -
壤贴18985407641…… 场效应管FET种类比三极管BJT多得多.这里以与NPN型BJT相似的N沟道FET为例聊一聊各种场效应管的工作条件. JFET及耗尽型MOSFET:漏极D加正电源,源极S接地,栅极G在零电压左右摆动时管子都工作,栅极G电压很负时即低于夹断电压时截止; 增强型MOSFET:漏极D加正电源,源极S接地,栅极G电压小于开启电压时截止,栅极G大于开启电压时管子工作. 会用NPN型BJT管子了自然很快会用PNP型BJT管子. 会用N沟道FET管子了自然很快会用P沟道FET管子.
@蔡吉210：如果是增强型P沟道场效应管, -
壤贴18985407641…… 这个G为负是相对于源极而言的,意思是栅极的电位要比源极低对到一定程度才导通.导通之后,如果是不带阻尼二极管的那种,漏极的电压相对于源极电压没有要求,这两个极都可以调换使用的.电流方向也是那边电位低,电流就向那边流,但是现在很多场管源极到漏极都有一个二极管,对于P沟道管,如果漏极电位比源极高,会出现短路的情况.
@蔡吉210：如何确定场效应管是p - ch 还是n - ch?各自的导通条件是什么? -
壤贴18985407641…… 确定方法是把他们的型号输入到搜索引擎中查找. P 导通的条件是Gate 脚 和Drain脚的电势差大于它的门限开启电压Vth 当然 Source 要接正极方向,Drain接地. N沟道正好相反.
@蔡吉210：地和负接极,P沟道的场效应管的控制极接地才开始导通,但地只有0V,管子不是还没有完全导通吗嘛, -
壤贴18985407641…… 只要G和地之间电压大于开启电压就导通!一般大于5伏特就可以了.
