mos管用作开关
@郎药4834：请教:MOS管做开关电路 -
人阎18425376363…… 你电路的问题很明显,要了解原理,请参考以下电路: 带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》.
@郎药4834：怎样用MOS管做开关电路 -
人阎18425376363…… 楼主可以选用Rds较小的低压MOSFET,比如几十个毫欧甚至几个毫欧左右的. 很简单的,MOSFET本身就是一个开关 MP3电流应该是几百个毫安吧,一般的MOSFET都能应付.
@郎药4834：为何开关电源普遍使用MOS管? -
人阎18425376363…… MOS管是一个通过改变电压来控制电流的器件,有时候也被称为绝缘栅场效应管.近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率MOS管作为开关管,之所以采用MOS管是基于以下几方面的优势: 1. 输入阻抗高.输入阻抗之高,是普通大功率三极管无法比拟.使用MOS管做开关管,其输入阻抗高达100MΩ,这对激励信号不会产生压降,只要有一点电压就可驱动. 2.开关速度快.开关速度在10~100ns,工作频率高达100kHz以上.普通三极管由于载流子的存储效应,其开关总会存在滞后现象,进而影响开关速度. 3.不存在二次击穿.
@郎药4834：三极管,mos管,达林顿管都有开关的作用.当作为开关元件选择时,三者如何选择?谢谢啦! -
人阎18425376363…… 三极管和达林顿管都是电流型驱动,MOS管是电压型驱动.另MOS导通电阻小.适合在高频开关上用.开关损耗小.
@郎药4834：mos管做开关 请问哈 这个电路是否可行? -
人阎18425376363…… 你这个电路很明显是放大小信号的电路:第一级源极负反馈的共源极放大,第二级是源极跟随器.不能作为开关驱动. 要弄清楚,想做开关MOS管必须处于深线性区,不能处于饱和区. 也就是说: Q2导通的时候栅极电压要远远大于源漏任何一端电压:Vg>>12V; Q2关闭的时候,栅极电压要小于源漏任何一端电压:Vg<5V; 而第一级驱动输出的电压摆幅,是无法完全推开MOS管(Vg>>12V)的.
@郎药4834：MOS管开关电路? -
人阎18425376363…… MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态.由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态.MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间,而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的.
@郎药4834：Mos管 在开关电路中 是怎么工作的? -
人阎18425376363…… ■mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关,场效应管有三个极:源极S、漏极 D和栅极(或叫控制极)G.工作原理是:在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压(因为管型而异)后,再给G极和源极之间加上控制电压,就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ,如果信号电压够大,这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了.
@郎药4834：开关电源中是使用MOS管的好处是什么呢?
人阎18425376363…… 在开关电源的开关管中常用的是MOS管,那是因为1、MOS管比三极管来说损耗更低, 2、MOS管为电压驱动型,有电压就能够导通 3、MOS管的温度控制特性(导热、发热)比三极管好 4、MOS管驱需要的动率小一个驱动信号可以控制大电源电流,方便.三极管需要需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲. 5、MOS管是电压控制器件,栅极电流极小,MOS管饱和导通时产生的压降低,耗散功率小,效率也更高 6、MOS管开关静态时漏电小,功耗小
@郎药4834：开关MOS管一般MOS管作为开关Vgs一般为3~5V,哪种型号的MOS管做开关用时用单片驱动是可以完全导通并且有低导通电阻(IRF540型号不能完全导通) - 作业帮
人阎18425376363…… [答案] 这里有可供你选择 IRF540 N-FET 100V 28A 150W 0.077| IRF630 N-FET 200V 9A 75W 0.4E IRF640 N-FET 200V 18A 125W 0.18R| IRF644 N-FET 250V 14A 125W
@郎药4834：MOS管作为开关和晶体管作为开关使用时两者的区别?可以用晶体管替代MOS管么? -
人阎18425376363…… MOS管是电压控制型半导体器件,输入阻抗高,功耗低.而晶体管是电流控制型半导体器件器件,输入阻抗低,对前级电路的影响较大.两者都可以做开关使用,如果设计电路最好用MOS管,如果维修的话要按照原来的型号更换.
人阎18425376363…… 你电路的问题很明显,要了解原理,请参考以下电路: 带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》.
@郎药4834：怎样用MOS管做开关电路 -
人阎18425376363…… 楼主可以选用Rds较小的低压MOSFET,比如几十个毫欧甚至几个毫欧左右的. 很简单的,MOSFET本身就是一个开关 MP3电流应该是几百个毫安吧,一般的MOSFET都能应付.
@郎药4834：为何开关电源普遍使用MOS管? -
人阎18425376363…… MOS管是一个通过改变电压来控制电流的器件,有时候也被称为绝缘栅场效应管.近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率MOS管作为开关管,之所以采用MOS管是基于以下几方面的优势: 1. 输入阻抗高.输入阻抗之高,是普通大功率三极管无法比拟.使用MOS管做开关管,其输入阻抗高达100MΩ,这对激励信号不会产生压降,只要有一点电压就可驱动. 2.开关速度快.开关速度在10~100ns,工作频率高达100kHz以上.普通三极管由于载流子的存储效应,其开关总会存在滞后现象,进而影响开关速度. 3.不存在二次击穿.
@郎药4834：三极管,mos管,达林顿管都有开关的作用.当作为开关元件选择时,三者如何选择?谢谢啦! -
人阎18425376363…… 三极管和达林顿管都是电流型驱动,MOS管是电压型驱动.另MOS导通电阻小.适合在高频开关上用.开关损耗小.
@郎药4834：mos管做开关 请问哈 这个电路是否可行? -
人阎18425376363…… 你这个电路很明显是放大小信号的电路:第一级源极负反馈的共源极放大,第二级是源极跟随器.不能作为开关驱动. 要弄清楚,想做开关MOS管必须处于深线性区,不能处于饱和区. 也就是说: Q2导通的时候栅极电压要远远大于源漏任何一端电压:Vg>>12V; Q2关闭的时候,栅极电压要小于源漏任何一端电压:Vg<5V; 而第一级驱动输出的电压摆幅,是无法完全推开MOS管(Vg>>12V)的.
@郎药4834：MOS管开关电路? -
人阎18425376363…… MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态.由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态.MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间,而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的.
@郎药4834：Mos管 在开关电路中 是怎么工作的? -
人阎18425376363…… ■mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关,场效应管有三个极:源极S、漏极 D和栅极(或叫控制极)G.工作原理是:在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压(因为管型而异)后,再给G极和源极之间加上控制电压,就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ,如果信号电压够大,这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了.
@郎药4834：开关电源中是使用MOS管的好处是什么呢?
人阎18425376363…… 在开关电源的开关管中常用的是MOS管,那是因为1、MOS管比三极管来说损耗更低, 2、MOS管为电压驱动型,有电压就能够导通 3、MOS管的温度控制特性(导热、发热)比三极管好 4、MOS管驱需要的动率小一个驱动信号可以控制大电源电流,方便.三极管需要需要几级推动电路,将控制电流逐步加大,也就是多级放大,常见的方式是达林顿电路,这样在设计电路时就很繁琐了,调试也费劲. 5、MOS管是电压控制器件,栅极电流极小,MOS管饱和导通时产生的压降低,耗散功率小,效率也更高 6、MOS管开关静态时漏电小,功耗小
@郎药4834：开关MOS管一般MOS管作为开关Vgs一般为3~5V,哪种型号的MOS管做开关用时用单片驱动是可以完全导通并且有低导通电阻(IRF540型号不能完全导通) - 作业帮
人阎18425376363…… [答案] 这里有可供你选择 IRF540 N-FET 100V 28A 150W 0.077| IRF630 N-FET 200V 9A 75W 0.4E IRF640 N-FET 200V 18A 125W 0.18R| IRF644 N-FET 250V 14A 125W
@郎药4834：MOS管作为开关和晶体管作为开关使用时两者的区别?可以用晶体管替代MOS管么? -
人阎18425376363…… MOS管是电压控制型半导体器件,输入阻抗高,功耗低.而晶体管是电流控制型半导体器件器件,输入阻抗低,对前级电路的影响较大.两者都可以做开关使用,如果设计电路最好用MOS管,如果维修的话要按照原来的型号更换.
