耗尽型mos管控制漏极电流
@夔码6663：MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件 -
钭咸17732513289…… MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上.2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省.3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中. MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和...
@夔码6663：耗尽型和增强型的mos管使用上有什么区别 -
钭咸17732513289…… 耗尽型与增强型都属于MOS管(绝缘栅型场效应管).前者在不加栅源电压时漏极和源极为耗尽层不能导通,而且工作是栅源电压只能是正向的;增强型则可以导通,栅源电压可正可负.
@夔码6663：mos如何管构成二极管 -
钭咸17732513289…… 对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET,漏极到源极之间有一个本体二极管,其特性是:电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流,耐压=场效应管耐压,方向N沟道的是源极为正、漏极为负,P沟道相反! 只要加适当的电...
@夔码6663：什么叫mos场效应管 -
钭咸17732513289…… 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...
@夔码6663：请问高频整流电路用的p沟道耗尽型mos管有哪些型号?最好是好买到的,谢谢大侠了 -
钭咸17732513289…… 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,栅极上加有足够的正电压(源极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反...
@夔码6663：请教开关电路三极管和MOS管选型 -
钭咸17732513289…… 分成NPN和PNP两种.我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理. 我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic.这两个电流的方向都是流出...
@夔码6663：谁能告诉我:MOS场效应管的选用方法 -
钭咸17732513289…… 国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管),这几个都不错,不过建议使用日立的产品.
@夔码6663：mos管原理是什么?
钭咸17732513289…… MOS管的原理:它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID.当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化.
@夔码6663：MOS晶体管的概念和特性分别是什么? -
钭咸17732513289…… MOSFET 的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor 场效应晶体管), 即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管. 功率场效应晶体管也分为...
钭咸17732513289…… MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上.2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省.3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中. MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和...
@夔码6663：耗尽型和增强型的mos管使用上有什么区别 -
钭咸17732513289…… 耗尽型与增强型都属于MOS管(绝缘栅型场效应管).前者在不加栅源电压时漏极和源极为耗尽层不能导通,而且工作是栅源电压只能是正向的;增强型则可以导通,栅源电压可正可负.
@夔码6663：mos如何管构成二极管 -
钭咸17732513289…… 对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET,漏极到源极之间有一个本体二极管,其特性是:电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流,耐压=场效应管耐压,方向N沟道的是源极为正、漏极为负,P沟道相反! 只要加适当的电...
@夔码6663：什么叫mos场效应管 -
钭咸17732513289…… 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...
@夔码6663：请问高频整流电路用的p沟道耗尽型mos管有哪些型号?最好是好买到的,谢谢大侠了 -
钭咸17732513289…… 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,栅极上加有足够的正电压(源极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反...
@夔码6663：请教开关电路三极管和MOS管选型 -
钭咸17732513289…… 分成NPN和PNP两种.我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理. 我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic.这两个电流的方向都是流出...
@夔码6663：谁能告诉我:MOS场效应管的选用方法 -
钭咸17732513289…… 国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4(以上均为单栅管),4DO1(双栅管),这几个都不错,不过建议使用日立的产品.
@夔码6663：mos管原理是什么?
钭咸17732513289…… MOS管的原理:它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID.当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化.
@夔码6663：MOS晶体管的概念和特性分别是什么? -
钭咸17732513289…… MOSFET 的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor 场效应晶体管), 即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管. 功率场效应晶体管也分为...
