mosfet的三个工作区域
@钭纪2388：电力MOSFET输出特性曲线分为哪三个区? -
闵胜17312687018…… ＂有的分为非饱和区(可变电阻区)、饱和区、截止区三区,有的又分为可调电阻区、饱和区、雪崩区(过度饱和所至)三区＂ 叫法不同,但表达的意思都是一样的,比较通用的叫法是: 可变电阻区(对应三极管的放大区.此时Id受Vgs的控制);饱和区(Id基本不随Vgs的变化而变化.若再继续加大Vgs则管子就会进入雪崩击穿)和截止区三区.
@钭纪2388：MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件 -
闵胜17312687018…… MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上.2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省.3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中. MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和...
@钭纪2388：电力场效应管MOSFET是什么现象 -
闵胜17312687018…… 电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称电力MOSFET(Power MOSFET) 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor...
@钭纪2388：MOSFET关断过程中处于什么区
闵胜17312687018…… 自己看了看资料,不知道了解对不对,请大家指教.1)MOSFET关闭时,Vgs降低,MOSFET关闭.这时感性负载产生的感应电动势把MOSFET内部的箝位二极管击穿,抬升栅极电压,将MOSFET再次打开,此时MOSFET工作在横流区.2)Vgs在箝位的这段时间里,好像是保持在Vth的电压,基本没变.3)感性负载上的能量主要释放在MOSFET的沟道上了,箝位二极管上有一小部分.
@钭纪2388：4、电力MOSFET静态特性的三个区 、 、 - 上学吧普法考试
闵胜17312687018…… (1)漏极电流ID和栅源间电压 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性. ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs. (2)MOSFET的漏极伏安特性(即输出特性): 截止区(对应于GTR的截止区) 饱和区...
闵胜17312687018…… ＂有的分为非饱和区(可变电阻区)、饱和区、截止区三区,有的又分为可调电阻区、饱和区、雪崩区(过度饱和所至)三区＂ 叫法不同,但表达的意思都是一样的,比较通用的叫法是: 可变电阻区(对应三极管的放大区.此时Id受Vgs的控制);饱和区(Id基本不随Vgs的变化而变化.若再继续加大Vgs则管子就会进入雪崩击穿)和截止区三区.
@钭纪2388：MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件 -
闵胜17312687018…… MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上.2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省.3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中. MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和...
@钭纪2388：电力场效应管MOSFET是什么现象 -
闵胜17312687018…… 电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称电力MOSFET(Power MOSFET) 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction Transistor...
@钭纪2388：MOSFET关断过程中处于什么区
闵胜17312687018…… 自己看了看资料,不知道了解对不对,请大家指教.1)MOSFET关闭时,Vgs降低,MOSFET关闭.这时感性负载产生的感应电动势把MOSFET内部的箝位二极管击穿,抬升栅极电压,将MOSFET再次打开,此时MOSFET工作在横流区.2)Vgs在箝位的这段时间里,好像是保持在Vth的电压,基本没变.3)感性负载上的能量主要释放在MOSFET的沟道上了,箝位二极管上有一小部分.
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闵胜17312687018…… (1)漏极电流ID和栅源间电压 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性. ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs. (2)MOSFET的漏极伏安特性(即输出特性): 截止区(对应于GTR的截止区) 饱和区...
