n沟道mos开关电路
@赫庆2923：求高手分析下这个mos管驱动电路的原理,主要讲解下两个电阻的选型 -
訾贫15354402477…… 这是一个电机驱动电路,MOS管在这起了一个开关的作用.这是两个N沟道增强型CMOS管,在其栅极施加正电压将形成导电沟道,MOS管的漏-源极呈现低阻状态,相当于开关接通,电机转动.由于该类型管子的输入电阻极大,如果不是工作在高频状态,对电阻选择要求不高,R24、R26数百欧姆到数K欧姆都可以,R25、R27在10K-20K范围也都可以.
@赫庆2923：mos如何管构成二极管 -
訾贫15354402477…… 对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET,漏极到源极之间有一个本体二极管,其特性是:电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流,耐压=场效应管耐压,方向N沟道的是源极为正、漏极为负,P沟道相反! 只要加适当的电...
@赫庆2923：【求教】MOS管开关电路. -
訾贫15354402477…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
@赫庆2923：请问p沟道与n沟道mos管的电路图画法 -
訾贫15354402477…… 你看看这个图. http://image.baidu.com/i?ct=503316480&z=0&tn=baiduimagedetail&word=p%B9%B5%B5%C0&in=11380&cl=2&cm=1&sc=0&lm=-1&pn=29&rn=1&di=2751762856&ln=99 左边是N沟道,右边是P沟道.
@赫庆2923：场效应管如何做开关使用,硬件如何连,单片机如何控制? -
訾贫15354402477…… 1、串联电阻不需要计算,取一个大点的数值就可以,因为场效应管输入阻抗很高. 2、也许3.3V电压太低,不能使场效应管开启. 解决方案: (1)在P1.0到电源之间接一个5K的上拉电阻,看看行不行. (2)如果不行,说明3.3V电压太低,不能使场效应管开启.那么最好改用三极管;如果坚持使用场效应管,需要中间增加一级三极管电路.用1只9014,集电极接栅极,栅极接电阻R35(改成5-10K),再接电源;9014发射极接地;9014基极接P1.0,P1.0到电源之间接一个10K的上拉电阻.此时低电平有效,不再是原来设计的高电平有效. 3、记得好像小功率管可以互换,不知道大功率管可以不.
@赫庆2923：CMOS逻辑电路的MOS参数 -
訾贫15354402477…… 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...
@赫庆2923：功率开关管(MOS)如何控制电压输出?
訾贫15354402477…… (1有三只脚,其中G是栅极,对P沟道MOS管,高电平导通;对N沟道MOS管,低电平导通.关键的是处于下桥电路的N沟道MOS才真正控制输出电压. (2)电路中有PWM调制电路,由调速霍尔调制其占空比例.根据PWM占空比,开关管MOS导通为开、截止为关,由开和关在一个周期内所占时间比例不同来决定输出电压高低,比如在一个周期内,导通时间占60%、截止时间占40%,则占空比为6:4,或称占空比为60%. 要提高输出电压,应提高占空比,即导通时间增多,截止时间减少,电动机就会提高转速.
@赫庆2923：N沟道增强型MOS开关的截止条件是什么? -
訾贫15354402477…… N沟道增强型MOS开关的截止条件是G、S极间的电压Ugs大于或等于Ugs(th)(也用UT表示)、D、S极间的电压Uds大于0.
@赫庆2923：用8051单片机控制mosfet管做开关的问题 -
訾贫15354402477…… 分开说,30分钟定时开关,这个可以通过写程序实现,程序定时控制一个IO,比如说P1.0,30分钟P1.0输出一个高电平,30分钟后再变为低电平.再说P1.0的控制信号有了,需要通过驱动电路控制MOS管,来控制外部设备,这个驱动电路和MOS管需要根据你的负载来选择,如果负载电流大,电压高,相应的需要选择一个电压高、功率大的MOS管,反之,则仅需要一个小功率的MOS管.MOS的参数不一样,价格、体积相差很多.MOS管还分P沟道和N沟道的.确定了MOS管,再根据MOS管的要求设计一个驱动电路,这个具体要看MOS管的型号来定.最后,如果是30分钟的开关,可以考虑使用继电器,不一定用MOS管.
@赫庆2923：什么是开关型MOSFET -
訾贫15354402477…… 什么是MOS场效应管 MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型.其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高...
訾贫15354402477…… 这是一个电机驱动电路,MOS管在这起了一个开关的作用.这是两个N沟道增强型CMOS管,在其栅极施加正电压将形成导电沟道,MOS管的漏-源极呈现低阻状态,相当于开关接通,电机转动.由于该类型管子的输入电阻极大,如果不是工作在高频状态,对电阻选择要求不高,R24、R26数百欧姆到数K欧姆都可以,R25、R27在10K-20K范围也都可以.
@赫庆2923：mos如何管构成二极管 -
訾贫15354402477…… 对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET,漏极到源极之间有一个本体二极管,其特性是:电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流,耐压=场效应管耐压,方向N沟道的是源极为正、漏极为负,P沟道相反! 只要加适当的电...
@赫庆2923：【求教】MOS管开关电路. -
訾贫15354402477…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
@赫庆2923：请问p沟道与n沟道mos管的电路图画法 -
訾贫15354402477…… 你看看这个图. http://image.baidu.com/i?ct=503316480&z=0&tn=baiduimagedetail&word=p%B9%B5%B5%C0&in=11380&cl=2&cm=1&sc=0&lm=-1&pn=29&rn=1&di=2751762856&ln=99 左边是N沟道,右边是P沟道.
@赫庆2923：场效应管如何做开关使用,硬件如何连,单片机如何控制? -
訾贫15354402477…… 1、串联电阻不需要计算,取一个大点的数值就可以,因为场效应管输入阻抗很高. 2、也许3.3V电压太低,不能使场效应管开启. 解决方案: (1)在P1.0到电源之间接一个5K的上拉电阻,看看行不行. (2)如果不行,说明3.3V电压太低,不能使场效应管开启.那么最好改用三极管;如果坚持使用场效应管,需要中间增加一级三极管电路.用1只9014,集电极接栅极,栅极接电阻R35(改成5-10K),再接电源;9014发射极接地;9014基极接P1.0,P1.0到电源之间接一个10K的上拉电阻.此时低电平有效,不再是原来设计的高电平有效. 3、记得好像小功率管可以互换,不知道大功率管可以不.
@赫庆2923：CMOS逻辑电路的MOS参数 -
訾贫15354402477…… 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...
@赫庆2923：功率开关管(MOS)如何控制电压输出?
訾贫15354402477…… (1有三只脚,其中G是栅极,对P沟道MOS管,高电平导通;对N沟道MOS管,低电平导通.关键的是处于下桥电路的N沟道MOS才真正控制输出电压. (2)电路中有PWM调制电路,由调速霍尔调制其占空比例.根据PWM占空比,开关管MOS导通为开、截止为关,由开和关在一个周期内所占时间比例不同来决定输出电压高低,比如在一个周期内,导通时间占60%、截止时间占40%,则占空比为6:4,或称占空比为60%. 要提高输出电压,应提高占空比,即导通时间增多,截止时间减少,电动机就会提高转速.
@赫庆2923：N沟道增强型MOS开关的截止条件是什么? -
訾贫15354402477…… N沟道增强型MOS开关的截止条件是G、S极间的电压Ugs大于或等于Ugs(th)(也用UT表示)、D、S极间的电压Uds大于0.
@赫庆2923：用8051单片机控制mosfet管做开关的问题 -
訾贫15354402477…… 分开说,30分钟定时开关,这个可以通过写程序实现,程序定时控制一个IO,比如说P1.0,30分钟P1.0输出一个高电平,30分钟后再变为低电平.再说P1.0的控制信号有了,需要通过驱动电路控制MOS管,来控制外部设备,这个驱动电路和MOS管需要根据你的负载来选择,如果负载电流大,电压高,相应的需要选择一个电压高、功率大的MOS管,反之,则仅需要一个小功率的MOS管.MOS的参数不一样,价格、体积相差很多.MOS管还分P沟道和N沟道的.确定了MOS管,再根据MOS管的要求设计一个驱动电路,这个具体要看MOS管的型号来定.最后,如果是30分钟的开关,可以考虑使用继电器,不一定用MOS管.
@赫庆2923：什么是开关型MOSFET -
訾贫15354402477…… 什么是MOS场效应管 MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor),属于绝缘栅型.其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高...
