n+mos导通内阻是多少
@屠呼573：CMOS.MOS管导通电阻 -
晋荆15768517640…… 导通电阻的大小是一种非线性变化,跟GS两端电压有关,如果UGS=UGS(th)时,一般这个电阻大概有几欧到几十欧,当UGS=8~10V时,这个电阻会下降到零点几欧甚至零点几毫欧,非常小. 这方面属于半导体物理领域,作为电子工程师需要知道这个特性,但不需要去关心它为什么这样,只要会用就可以了.
@屠呼573：MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢?
晋荆15768517640…… 首先大家要知道一个MOS的内部结构图,MOS管里面其实就是一个稳压二极管.大家都知道二极管是有正向导通阻值的,正向值大约在400-800左右.反向为无穷大!大家可以到搜搜里搜一下MOS管的结构图 找到图之后我们可以看到,一个...
@屠呼573：CMOS逻辑电路的MOS参数 -
晋荆15768517640…… 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...
@屠呼573：如何选择MOS管?
晋荆15768517640…… 您好! MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道.在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关.当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通.导通时,电流可经开关从漏极流向源极.漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电...
@屠呼573：用单片机控制N - MOSFET(IRF540)控制功率电阻加热,水泥电阻为60W22RJ. -
晋荆15768517640…… 选择一个Mos管的导通电阻大概是44毫欧姆算小的; 如果发热你要加散热片了. 你电阻为22欧姆60W,你的电流不会太大啊.你的持续电流不超过2A;不算大; 我到建议你使用更高的电阻,和更高的电压;负载电阻大了,Mos管分压也低,功耗也小; 你看看你的电压是多少?可以提高你的电压和电阻电压;把电流适当的降低点; 另外可以选择加热丝;加热丝,有热有光输出,加热效果更好;Mos管损耗小.
@屠呼573：关于MOS开关管驱动 -
晋荆15768517640…… Vd<Vg-Vth时,NMOS工作在线性区,也就是不饱和导通区,并不是真正的导通.和你的理解正好相反.高压NMOS的开启在2V左右,所以30V的GS电压已经够了,甚至偏高.因为一般DS耐压100V左右的NMOS,其栅极耐压也就20或30V,这个要看你的MOS的说明书.理论上,GS电压越高,NMOS导通内阻越小,但是,由于要给栅极电容充电到高压,所以整个开启速度会变慢,所以并不是电压越高越好.关于周期,你可以用你的驱动电流和栅极电容进行计算,看看开启速度能不能满足你的要求.
@屠呼573：请教MOS导通电阻?? -
晋荆15768517640…… 实在没有什么必要.导通电阻是温度的函数,按照你的电路,管子发热量相当大(注意电阻的额定功率),必然温度上升.结果是每次测量结果都不一样.另外,导通电阻往往厂家只给一个最大值(并注明测试条件),厂家制订的测试条件通常接近使用者实际使用条件(否则不好卖).实际的管子,导通电阻可能比厂家给出的数值小一半.要想知道施加不同GS之间电压时管子的电流,参考红线标出的两个参数.
@屠呼573：N沟道MOS管 衬底上的N+是“+号”是什么含义?还有为什么衬底通常要跟源极连接? -
晋荆15768517640…… +的意思是高掺杂浓度. 源极金属板将N+和P连接在一起,可以等效为源极和漏极间寄生了一个二极管,用于导通反向电压,防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏. 这种结构一般多出现在中功率及以上的增强型N-MOSFET设计中.
@屠呼573：求救nmos电容和pmos电容的区别 -
晋荆15768517640…… NMOS的电流Id必须从D流到S,而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS(ON)非常小,在导通时D与S电压几乎一样;“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压,这是N沟道MOS管导通的必要条件....
@屠呼573：mos管内阻搞好,还是低好?比如5n50内阻1.2和5n50内阻0.95哪个好一点 -
晋荆15768517640…… 大体上讲,内阻总归低一点好,但也要考虑全面一点,比如内阻低了管子的抗冲击性能下降,是否还能满足应用要求,且回路内阻低了电流的上升率总归会更大一点,如果这方面管子能满足要求,那内阻就越低越好.
晋荆15768517640…… 导通电阻的大小是一种非线性变化,跟GS两端电压有关,如果UGS=UGS(th)时,一般这个电阻大概有几欧到几十欧,当UGS=8~10V时,这个电阻会下降到零点几欧甚至零点几毫欧,非常小. 这方面属于半导体物理领域,作为电子工程师需要知道这个特性,但不需要去关心它为什么这样,只要会用就可以了.
@屠呼573：MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢?
晋荆15768517640…… 首先大家要知道一个MOS的内部结构图,MOS管里面其实就是一个稳压二极管.大家都知道二极管是有正向导通阻值的,正向值大约在400-800左右.反向为无穷大!大家可以到搜搜里搜一下MOS管的结构图 找到图之后我们可以看到,一个...
@屠呼573：CMOS逻辑电路的MOS参数 -
晋荆15768517640…… 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...
@屠呼573：如何选择MOS管?
晋荆15768517640…… 您好! MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道.在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关.当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通.导通时,电流可经开关从漏极流向源极.漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电...
@屠呼573：用单片机控制N - MOSFET(IRF540)控制功率电阻加热,水泥电阻为60W22RJ. -
晋荆15768517640…… 选择一个Mos管的导通电阻大概是44毫欧姆算小的; 如果发热你要加散热片了. 你电阻为22欧姆60W,你的电流不会太大啊.你的持续电流不超过2A;不算大; 我到建议你使用更高的电阻,和更高的电压;负载电阻大了,Mos管分压也低,功耗也小; 你看看你的电压是多少?可以提高你的电压和电阻电压;把电流适当的降低点; 另外可以选择加热丝;加热丝,有热有光输出,加热效果更好;Mos管损耗小.
@屠呼573：关于MOS开关管驱动 -
晋荆15768517640…… Vd<Vg-Vth时,NMOS工作在线性区,也就是不饱和导通区,并不是真正的导通.和你的理解正好相反.高压NMOS的开启在2V左右,所以30V的GS电压已经够了,甚至偏高.因为一般DS耐压100V左右的NMOS,其栅极耐压也就20或30V,这个要看你的MOS的说明书.理论上,GS电压越高,NMOS导通内阻越小,但是,由于要给栅极电容充电到高压,所以整个开启速度会变慢,所以并不是电压越高越好.关于周期,你可以用你的驱动电流和栅极电容进行计算,看看开启速度能不能满足你的要求.
@屠呼573：请教MOS导通电阻?? -
晋荆15768517640…… 实在没有什么必要.导通电阻是温度的函数,按照你的电路,管子发热量相当大(注意电阻的额定功率),必然温度上升.结果是每次测量结果都不一样.另外,导通电阻往往厂家只给一个最大值(并注明测试条件),厂家制订的测试条件通常接近使用者实际使用条件(否则不好卖).实际的管子,导通电阻可能比厂家给出的数值小一半.要想知道施加不同GS之间电压时管子的电流,参考红线标出的两个参数.
@屠呼573：N沟道MOS管 衬底上的N+是“+号”是什么含义?还有为什么衬底通常要跟源极连接? -
晋荆15768517640…… +的意思是高掺杂浓度. 源极金属板将N+和P连接在一起,可以等效为源极和漏极间寄生了一个二极管,用于导通反向电压,防止VDD过压的情况下,烧坏mos管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏. 这种结构一般多出现在中功率及以上的增强型N-MOSFET设计中.
@屠呼573：求救nmos电容和pmos电容的区别 -
晋荆15768517640…… NMOS的电流Id必须从D流到S,而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS(ON)非常小,在导通时D与S电压几乎一样;“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压,这是N沟道MOS管导通的必要条件....
@屠呼573：mos管内阻搞好,还是低好?比如5n50内阻1.2和5n50内阻0.95哪个好一点 -
晋荆15768517640…… 大体上讲,内阻总归低一点好,但也要考虑全面一点,比如内阻低了管子的抗冲击性能下降,是否还能满足应用要求,且回路内阻低了电流的上升率总归会更大一点,如果这方面管子能满足要求,那内阻就越低越好.
