nmos的跨导一般是多少
@惠季619：电路中MOS管的跨导值是什么意思? -
单畅17278512811…… 跨导的定义:漏极电流变化量与栅源电压变化量的比值,叫做跨导.跨导可以用Gm表示: 跨导的单位为S(西),为欧姆的倒数,即1S=1/Ω. 此定义适用于任何电压控制型放大元件,如电子管(真空三极管)、场效应管等. 点击图片放大看:跨导值越大,意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化,意味着放大作用更大.跨导和漏极电阻的乘积,等于共源放大器的空载电压放大倍数(空载电压增益系数).
@惠季619：MOS管的跨导的大小对MOS管有什么影响 -
单畅17278512811…… MOS管的gm如同三极管的β,是衡量MOS管放大能力的标志之一. 不过话说回来,不是什么时候都需要放大能力强,比如在做开关管的时候,就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换,达到深度饱和的速度要快.这时候,gm就不能太大. 另外,gm越大,要造出大功率的管子难度也越大,价格越高.市面上的小功率管gm可以很高,但大功率管的话,gm一般都很小.
@惠季619：CMOS逻辑电路的MOS参数 -
单畅17278512811…… 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...
@惠季619：MOS管和DCDC升压转换器的主要参数是···? -
单畅17278512811…… MOS管嘛也是场效应管的一种,分结型和绝缘栅型,结型和绝缘栅型又各分为NMOS和PMOS,然后PMOS+NMOS=CMOS.P和N的原理相同,只是电源极性相反. 主要参数记住以下几点: Idss :饱和漏源电流,是指结型或耗尽型绝缘栅场效...
@惠季619：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
单畅17278512811…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@惠季619：pmos晶体管的工作原理 -
单畅17278512811…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@惠季619：MOSFET主要参数什么意思? -
单畅17278512811…… Mosfet参数含义说明 Features: Vds: DS击穿电压.当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on):DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻 Id: 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为:-20V~+20V Idm...
@惠季619：电力场效应管的电力MOSFET的基本特性 -
单畅17278512811…… (1)漏极电流ID和栅源间电压 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性. ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs. (2)MOSFET的漏极伏安特性(即输出特性): 截止区(对应于GTR的截止区) 饱和区...
@惠季619：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? -
单畅17278512811…… NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数. 耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
@惠季619：【求教】MOS管开关电路. -
单畅17278512811…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
单畅17278512811…… 跨导的定义:漏极电流变化量与栅源电压变化量的比值,叫做跨导.跨导可以用Gm表示: 跨导的单位为S(西),为欧姆的倒数,即1S=1/Ω. 此定义适用于任何电压控制型放大元件,如电子管(真空三极管)、场效应管等. 点击图片放大看:跨导值越大,意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化,意味着放大作用更大.跨导和漏极电阻的乘积,等于共源放大器的空载电压放大倍数(空载电压增益系数).
@惠季619：MOS管的跨导的大小对MOS管有什么影响 -
单畅17278512811…… MOS管的gm如同三极管的β,是衡量MOS管放大能力的标志之一. 不过话说回来,不是什么时候都需要放大能力强,比如在做开关管的时候,就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换,达到深度饱和的速度要快.这时候,gm就不能太大. 另外,gm越大,要造出大功率的管子难度也越大,价格越高.市面上的小功率管gm可以很高,但大功率管的话,gm一般都很小.
@惠季619：CMOS逻辑电路的MOS参数 -
单畅17278512811…… 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...
@惠季619：MOS管和DCDC升压转换器的主要参数是···? -
单畅17278512811…… MOS管嘛也是场效应管的一种,分结型和绝缘栅型,结型和绝缘栅型又各分为NMOS和PMOS,然后PMOS+NMOS=CMOS.P和N的原理相同,只是电源极性相反. 主要参数记住以下几点: Idss :饱和漏源电流,是指结型或耗尽型绝缘栅场效...
@惠季619：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
单畅17278512811…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@惠季619：pmos晶体管的工作原理 -
单畅17278512811…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@惠季619：MOSFET主要参数什么意思? -
单畅17278512811…… Mosfet参数含义说明 Features: Vds: DS击穿电压.当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on):DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻 Id: 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为:-20V~+20V Idm...
@惠季619：电力场效应管的电力MOSFET的基本特性 -
单畅17278512811…… (1)漏极电流ID和栅源间电压 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性. ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs. (2)MOSFET的漏极伏安特性(即输出特性): 截止区(对应于GTR的截止区) 饱和区...
@惠季619：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? -
单畅17278512811…… NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数. 耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
@惠季619：【求教】MOS管开关电路. -
单畅17278512811…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
