nmos管经典开关电路
@荀侍5156：【求教】MOS管开关电路. -
汲从19539681401…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
@荀侍5156：寻求真正的电子工程师,irf640 NMOS管开关电路 ,求解!!! -
汲从19539681401…… 大哥,不是这样做的吧,NPN+PMOS才做电源控制,你这是NPN+NMOS,R21直接换成0欧,你去量,肯定就通了,只不过没有控制啥事了. 还有NMOS的衬底一般做出来的时候是和源极接在一起的,开机NMOS需控制电压(相对衬底)大于开启电压,你这样接 衬底完全悬空了,现在的电路无论你怎么控制都达不到你的要求,电路本身设计就错了,NMOS一般是做低输出的,PMOS才是高输出电路,这个性质和三极管的NPN和PNP差不多的.
@荀侍5156：MOS管开关电路 -
汲从19539681401…… 1 这个电路采用是NMOS管,如果COP是高组态,那么为什么A点处是高电平,那个Rcop上拉电阻如果达到1M,那么A处还是高电平吗? 答:正是由于Rcop所以COP是高组态时处是高电平.即便Rcop阻值高达10MA处还会是高电平,只是阻值太高容易引入干扰,所以取几K的阻值就好. 2 图中标识的放电用FET,我大概分析下是:NMOS管的栅极B如果是低电平,那么放电用MOS管应该是导通的,此时电流流向是D流向S的,这个分析对吗?答:应该DOB是高电平时放电FET导通.
@荀侍5156：有木有不用IC的控制的轻触开关控制的电路图,电源电路用,电流不是很大. -
汲从19539681401…… 用NMOS管作为开关元件,用2只轻触开关分别用作开关按钮,用一只不漏电的103pf电容接在GS之间,开通用的轻触开关接在5V左右的电源与NOMS的G端,关断开关与电容并联.一般NMOS管的开通电压5V左右,因此可能需要把电路电压变换到5V,具体需要查元件手册.因为NMOS元件属于电压器件,G极只需要有开通的电压,无需电流,因此,只需给电容充电到NMOS开通的电压既可以维持开通状态.需要关断时,按下关断开关,电容放电,NMOS退出开通恢复关断状态.
@荀侍5156：BOOST电路中nmos开关驱动电路怎么做,要有电路图和器件参数. -
汲从19539681401…… NMOS管栅极接一个10~20欧姆的电阻,电阻另一端接图腾柱,图腾柱基极接控制芯片的输出端
@荀侍5156：求一个mos管的开关电路 -
汲从19539681401…… 你的要求能不能改下,全部用Nmos?因为Pmos价格比较高,而且型号少.三极管集电极串个电阻,然后从电阻下方引出一条线到Nmos的栅极,电阻多大都可以.只要栅极电压乘以跨度满足远远大于漏极或源极电流即可.Pmos...必须用负电压控制,否则无法工作,所以建议换掉
@荀侍5156：一个NPN三极管,一个PMOS管,一个NMOS管,多个电阻,2个灯泡,一个电源,一个单刀开关组成一个开关电路 -
汲从19539681401…… P管和N管并联接入电路.G极接在一起并通过一个大电阻知接地;再通过开关接入电源正极.电灯泡分别接在道管子的漏极(回或源极都行).开关打开,G极电位通过电阻被拉低至0,P管导通.开关闭合,G极电位为IR(R较大)答,N管导通.
@荀侍5156：图中是一个开关电源IC的电路.哪位大侠能帮我详细讲解一下圈红圈的电容跟二极管的作用? -
汲从19539681401…… 这个电容和二极管,后面都带了一个BST,全称是Boost-trap,自举电路,这是一个典型的BUCK电路,开关管是NMOS管,因此它的GATE驱动电压必须高于VIN才能够导通,但是在输入端,没有电压能够高于VIN,因此需要一个自举电路产生一个高于VIN的电压,来驱动NMOS管. 具体的原理就是在SW为低时,由DRV脚为CBST充电3.3V,当需要将NMOS管导通时,将CBST的负端短路到VIN,这样CBST的正端电压,也就是BST脚的电压就会比VIN高3.3V.DBST的作用是保证在CBST抬高到VIN以上时,不会有反向的电流从CBST再流回DRV脚.
@荀侍5156：一个PNP普通三极管控制一个NMOS的开关电路,开关ON时灯泡亮,求电路图并说明原理 -
汲从19539681401…… 给你这个电路图做参考,手摸AN1,灯逐渐亮,摸AN2灯逐渐暗.
@荀侍5156：在设计一个Nmos管功率驱动电路来控制48VDC电压的通断,采用IRF3810mos管 -
汲从19539681401…… 对于场效应管的输入阻抗来说,光耦关断时的漏电流足以使它导通,你应该在场效应管的控制极接一只下偏置电阻才行,因为光耦不管是导通还是截止对场效应管来说都是导通状态,在R10和R15下端各接上一只下偏置电阻就行了,取值以光耦导通时的分压足以使场效应管导通,关断时又可以将电压置于接近零为准,哦,R10和R15取值太小了,光耦会烧断的,可以将阻值增大一千倍
汲从19539681401…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
@荀侍5156：寻求真正的电子工程师,irf640 NMOS管开关电路 ,求解!!! -
汲从19539681401…… 大哥,不是这样做的吧,NPN+PMOS才做电源控制,你这是NPN+NMOS,R21直接换成0欧,你去量,肯定就通了,只不过没有控制啥事了. 还有NMOS的衬底一般做出来的时候是和源极接在一起的,开机NMOS需控制电压(相对衬底)大于开启电压,你这样接 衬底完全悬空了,现在的电路无论你怎么控制都达不到你的要求,电路本身设计就错了,NMOS一般是做低输出的,PMOS才是高输出电路,这个性质和三极管的NPN和PNP差不多的.
@荀侍5156：MOS管开关电路 -
汲从19539681401…… 1 这个电路采用是NMOS管,如果COP是高组态,那么为什么A点处是高电平,那个Rcop上拉电阻如果达到1M,那么A处还是高电平吗? 答:正是由于Rcop所以COP是高组态时处是高电平.即便Rcop阻值高达10MA处还会是高电平,只是阻值太高容易引入干扰,所以取几K的阻值就好. 2 图中标识的放电用FET,我大概分析下是:NMOS管的栅极B如果是低电平,那么放电用MOS管应该是导通的,此时电流流向是D流向S的,这个分析对吗?答:应该DOB是高电平时放电FET导通.
@荀侍5156：有木有不用IC的控制的轻触开关控制的电路图,电源电路用,电流不是很大. -
汲从19539681401…… 用NMOS管作为开关元件,用2只轻触开关分别用作开关按钮,用一只不漏电的103pf电容接在GS之间,开通用的轻触开关接在5V左右的电源与NOMS的G端,关断开关与电容并联.一般NMOS管的开通电压5V左右,因此可能需要把电路电压变换到5V,具体需要查元件手册.因为NMOS元件属于电压器件,G极只需要有开通的电压,无需电流,因此,只需给电容充电到NMOS开通的电压既可以维持开通状态.需要关断时,按下关断开关,电容放电,NMOS退出开通恢复关断状态.
@荀侍5156：BOOST电路中nmos开关驱动电路怎么做,要有电路图和器件参数. -
汲从19539681401…… NMOS管栅极接一个10~20欧姆的电阻,电阻另一端接图腾柱,图腾柱基极接控制芯片的输出端
@荀侍5156：求一个mos管的开关电路 -
汲从19539681401…… 你的要求能不能改下,全部用Nmos?因为Pmos价格比较高,而且型号少.三极管集电极串个电阻,然后从电阻下方引出一条线到Nmos的栅极,电阻多大都可以.只要栅极电压乘以跨度满足远远大于漏极或源极电流即可.Pmos...必须用负电压控制,否则无法工作,所以建议换掉
@荀侍5156：一个NPN三极管,一个PMOS管,一个NMOS管,多个电阻,2个灯泡,一个电源,一个单刀开关组成一个开关电路 -
汲从19539681401…… P管和N管并联接入电路.G极接在一起并通过一个大电阻知接地;再通过开关接入电源正极.电灯泡分别接在道管子的漏极(回或源极都行).开关打开,G极电位通过电阻被拉低至0,P管导通.开关闭合,G极电位为IR(R较大)答,N管导通.
@荀侍5156：图中是一个开关电源IC的电路.哪位大侠能帮我详细讲解一下圈红圈的电容跟二极管的作用? -
汲从19539681401…… 这个电容和二极管,后面都带了一个BST,全称是Boost-trap,自举电路,这是一个典型的BUCK电路,开关管是NMOS管,因此它的GATE驱动电压必须高于VIN才能够导通,但是在输入端,没有电压能够高于VIN,因此需要一个自举电路产生一个高于VIN的电压,来驱动NMOS管. 具体的原理就是在SW为低时,由DRV脚为CBST充电3.3V,当需要将NMOS管导通时,将CBST的负端短路到VIN,这样CBST的正端电压,也就是BST脚的电压就会比VIN高3.3V.DBST的作用是保证在CBST抬高到VIN以上时,不会有反向的电流从CBST再流回DRV脚.
@荀侍5156：一个PNP普通三极管控制一个NMOS的开关电路,开关ON时灯泡亮,求电路图并说明原理 -
汲从19539681401…… 给你这个电路图做参考,手摸AN1,灯逐渐亮,摸AN2灯逐渐暗.
@荀侍5156：在设计一个Nmos管功率驱动电路来控制48VDC电压的通断,采用IRF3810mos管 -
汲从19539681401…… 对于场效应管的输入阻抗来说,光耦关断时的漏电流足以使它导通,你应该在场效应管的控制极接一只下偏置电阻才行,因为光耦不管是导通还是截止对场效应管来说都是导通状态,在R10和R15下端各接上一只下偏置电阻就行了,取值以光耦导通时的分压足以使场效应管导通,关断时又可以将电压置于接近零为准,哦,R10和R15取值太小了,光耦会烧断的,可以将阻值增大一千倍
