pmos与nmos增强型与耗尽
@国典4293：集成电路反相器中的nmos和pmos是增强型还是耗尽型的?为什么? -
田高15361522071…… 一般是用增强型的,如果用耗尽型,低压的mos管也会有输出电压,就不好了...当然,不排除用耗尽型也能设计出反相器哈
@国典4293：什么是增强型MOS管?什么是增强型MOS管?什么是耗尽型MOS管
田高15361522071…… 增强型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面没有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压大于0;PMOS,小于0.耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0.通过改变有源区的掺杂浓度,控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料,可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET.
@国典4293：二极管和mosfet在损耗方面有什么不同 -
田高15361522071…… MOSFET 全称是“金属氧化物半导体场效应管”(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗,在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件.由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流...
@国典4293：MOSFET - P和MOSFET - N区别在那里?谢谢了 -
田高15361522071…… MOSFET-P和MOSFET-N的区别: 1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道; 2、为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极. 而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负...
@国典4293：如何选择场效应管 -
田高15361522071…… MOS使用确实比三极管麻烦很多.主要原因是:1、学习的时候MOS本来就学得少,不像三极管这样可以经常摸,可以说,很多人连MOS管的样子都没见过,更不用说三个脚如何分辨以及如何使用的问题.2、MOS使用条件比三极管要麻烦,它...
@国典4293：N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别 -
田高15361522071…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道. 2、控制方法是不一样的.耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的 增强型NMOS,都是正电压控制的.
@国典4293：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? -
田高15361522071…… NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
@国典4293：MOS管技术开关电路问路
田高15361522071…… 1、你既然不了解MOS管的作用,我建议你还是在使用前看一下童诗白的《模拟电子技术基础》(第四版).2、PMOS要分成两种类型,一种是增强型,一种是耗尽型.两种控制手法有点不一样.我帮你查了一下,AO4409是增强型PMOS,这...
@国典4293：pmos晶体管的工作原理 -
田高15361522071…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@国典4293：P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? -
田高15361522071…… 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强
田高15361522071…… 一般是用增强型的,如果用耗尽型,低压的mos管也会有输出电压,就不好了...当然,不排除用耗尽型也能设计出反相器哈
@国典4293：什么是增强型MOS管?什么是增强型MOS管?什么是耗尽型MOS管
田高15361522071…… 增强型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面没有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压大于0;PMOS,小于0.耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0.通过改变有源区的掺杂浓度,控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料,可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET.
@国典4293：二极管和mosfet在损耗方面有什么不同 -
田高15361522071…… MOSFET 全称是“金属氧化物半导体场效应管”(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗,在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件.由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流...
@国典4293：MOSFET - P和MOSFET - N区别在那里?谢谢了 -
田高15361522071…… MOSFET-P和MOSFET-N的区别: 1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道; 2、为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极. 而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负...
@国典4293：如何选择场效应管 -
田高15361522071…… MOS使用确实比三极管麻烦很多.主要原因是:1、学习的时候MOS本来就学得少,不像三极管这样可以经常摸,可以说,很多人连MOS管的样子都没见过,更不用说三个脚如何分辨以及如何使用的问题.2、MOS使用条件比三极管要麻烦,它...
@国典4293：N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别 -
田高15361522071…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道. 2、控制方法是不一样的.耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的 增强型NMOS,都是正电压控制的.
@国典4293：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? -
田高15361522071…… NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
@国典4293：MOS管技术开关电路问路
田高15361522071…… 1、你既然不了解MOS管的作用,我建议你还是在使用前看一下童诗白的《模拟电子技术基础》(第四版).2、PMOS要分成两种类型,一种是增强型,一种是耗尽型.两种控制手法有点不一样.我帮你查了一下,AO4409是增强型PMOS,这...
@国典4293：pmos晶体管的工作原理 -
田高15361522071…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@国典4293：P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? -
田高15361522071…… 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强
