pn结的形成过程简述
@钟明5361：PN结的形成过程是怎样的?
巴钧15097843719…… PN结的形成:将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN结.
@钟明5361：PN结的形成原理? -
巴钧15097843719…… 把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为PN结.不加电压时,PN结呈电中性.
@钟明5361：说明PN结形成的原理 - 作业帮
巴钧15097843719…… [答案] 一般说明. P型和N型半导体接触后,在接触面,N型区的多子电子向P型区扩散,同时P型区的多子空穴也向N型区扩散,叫做载流子的扩散.这时在接触面的N型区留下了正电荷,在P型区留下了负电荷.两者正好形成自建电场,自建电场又使载流子漂...
@钟明5361：简述PN结的形成.谁有准确一点的答案啊,既要答到关键点又要简短 -
巴钧15097843719…… 通过掺杂工艺,把本征半导体一半做成P型半导体,另一半做成N型半导体,则P型和N型的交界面处会形成一个有特殊物理性质的薄层,也就是PN结.
@钟明5361：简述PN结形成的原理. -
巴钧15097843719…… 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体(掺杂三阶元素,空位较多)与N型半导体(掺杂五阶元素,自由电子较多)制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,价电子因为扩散作用,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结
@钟明5361：请问多晶硅中PN结是怎样形成的? -
巴钧15097843719…… PN结及其形成过程 在杂质半导体中, 正负电荷数是相等的,它们的作用相互抵消,因此保持电中性. 1、载流子的浓度差产生的多子的扩散运动 在P型半导体和N型半导体结合后,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差,N型区内...
@钟明5361：PN结的形成详解
巴钧15097843719…… 一般有合金型的PN结,比如锗晶体管3AX31,就是利用铟和镓在锗晶体上通过烧结形成合金的PN结. 硅的PN结是平面工艺,就是通过掩模和印刷的工艺,蒸发、扩散、烧结,使铝的原子进入硅晶体,形成PN结.集成电路也是这样生产,就是CPU都是几千万个PN结烧结在一个几平方毫米的晶片上面的.
@钟明5361：PN结是怎么形成的呢?
巴钧15097843719…… 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PNjunction)
@钟明5361：LED的PN结是如何制成的? -
巴钧15097843719…… 你的问题还挺多,要分开来慢慢解释.1、led发光:要搞清楚这个问题,首先,你需要了解pn结的形成原理.pn结是一个“由p型和n型半导体材料组成的半导体器件”中,其p型与 n型半导体材料相互结合的部分.p型材料有着“多数可以移动的...
巴钧15097843719…… PN结的形成:将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成PN结.
@钟明5361：PN结的形成原理? -
巴钧15097843719…… 把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为PN结.不加电压时,PN结呈电中性.
@钟明5361：说明PN结形成的原理 - 作业帮
巴钧15097843719…… [答案] 一般说明. P型和N型半导体接触后,在接触面,N型区的多子电子向P型区扩散,同时P型区的多子空穴也向N型区扩散,叫做载流子的扩散.这时在接触面的N型区留下了正电荷,在P型区留下了负电荷.两者正好形成自建电场,自建电场又使载流子漂...
@钟明5361：简述PN结的形成.谁有准确一点的答案啊,既要答到关键点又要简短 -
巴钧15097843719…… 通过掺杂工艺,把本征半导体一半做成P型半导体,另一半做成N型半导体,则P型和N型的交界面处会形成一个有特殊物理性质的薄层,也就是PN结.
@钟明5361：简述PN结形成的原理. -
巴钧15097843719…… 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体(掺杂三阶元素,空位较多)与N型半导体(掺杂五阶元素,自由电子较多)制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,价电子因为扩散作用,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结
@钟明5361：请问多晶硅中PN结是怎样形成的? -
巴钧15097843719…… PN结及其形成过程 在杂质半导体中, 正负电荷数是相等的,它们的作用相互抵消,因此保持电中性. 1、载流子的浓度差产生的多子的扩散运动 在P型半导体和N型半导体结合后,在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差,N型区内...
@钟明5361：PN结的形成详解
巴钧15097843719…… 一般有合金型的PN结,比如锗晶体管3AX31,就是利用铟和镓在锗晶体上通过烧结形成合金的PN结. 硅的PN结是平面工艺,就是通过掩模和印刷的工艺,蒸发、扩散、烧结,使铝的原子进入硅晶体,形成PN结.集成电路也是这样生产,就是CPU都是几千万个PN结烧结在一个几平方毫米的晶片上面的.
@钟明5361：PN结是怎么形成的呢?
巴钧15097843719…… 采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结(英语:PNjunction)
@钟明5361：LED的PN结是如何制成的? -
巴钧15097843719…… 你的问题还挺多,要分开来慢慢解释.1、led发光:要搞清楚这个问题,首先,你需要了解pn结的形成原理.pn结是一个“由p型和n型半导体材料组成的半导体器件”中,其p型与 n型半导体材料相互结合的部分.p型材料有着“多数可以移动的...
