uce和ube关系
@韶泡6533：直接耦合放大电路,T1管的Uce和T2管Ube的关系是怎样的? -
左沾15857067047…… a)共射-共基.t1从基极输入、集电极输出,t2从发射极输入、集电极输出.(没用到的电极就是“共”用的级、下同.) b)共射-共射.t1、t2都是从基极输入、集电极输出.
@韶泡6533：为什么三极管饱和时Uce=0.3V而Ube=0.7V, - 作业帮
左沾15857067047…… [答案] Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区自由电子浓度一负一正,结果形成扩散势.扩散势的数...
@韶泡6533：三极管各个电极电平高低关系? -
左沾15857067047…… NPN管判断方法如下: 截止状态:Ube<0.7V; (如果是锗管则Ube<0.3V) 放大状态:Ube>0.7V,Uce>Ube; 饱和状态:Ube>0.7V,Uce<Ube. 你的图(d)中,三极管是NPN. Ube=10.75-10=0.75V ;Uce=10.3-10=0.3V . 这样, Ube>0.7V,Uce<Ube,所以此三极管工作在饱和状态. PNP管判断如下: 截止状态:Ueb<0.7V; (如果是锗管则Ueb<0.3V) 放大状态:Ueb>0.7V,Uec>Ueb; 饱和状态:Ueb>0.7V,Uec<Ueb.
@韶泡6533：三极管中Ube Ie,Ib Ic,Ube Uce的相位关系是什么? -
左沾15857067047…… Ube Ie Ib同相,Uce与之反相
@韶泡6533：集电极与发射极之间的电压Uce是否等于Ucb+Ube -
左沾15857067047…… 看电路工作状态情况.正常放大导通状态是,饱和导通状态不是.
@韶泡6533：三极管输入曲线 -
左沾15857067047…… 三极管输入特性曲线就是基极电流Ib与基极发射极电压Ube的关系,与Uce基本无关. Ube大于零时表示有基极电流Ib,Ib放大为Ic,Uce=Ucc-RcIc,Ucc是12V等电源电压,Uce是一个派生参数,当Ib、Ic较大、电阻压降RcIc较大时Uce自然会很小,这就是晶体管饱和,甚至降低到0.1V以下近似等于零. Ube<Uce指的是放大情况,晶体管饱和时Uce很小甚至接近0,从硅三极管输入特性曲线上可以看出,Ube总是在0.7V上下变化,所以Ube<Uce在饱和时就不成立了.
@韶泡6533：ube之间不应该只有0.7v的压差吗?为何说Uce与Ube相等呢? -
左沾15857067047…… 因为C极和B极接在一起呀,所以必然有Uce=Ube. 由于正向偏置不高,所以管子没办法进入到饱和区,只能维持在易于受控的放大区.
@韶泡6533：请教三极管各电极之间的电压关系?我是一个电子业余爱好者,现碰到一
左沾15857067047…… 目前使用的基本上都是硅三极管.硅管的Ube=0.7V左右(不同极性的三极管Ube电压正、负极性就不标出了).在放大电路中,Uce>Ube. 一般不会测量Ubc、Ucb,这样测量时会影响三极管的工作点,通常只测Ube、Uce. 你说的那个关系是成立的.三极管可以看作是发射结与集电结的串联,故Uce=Ucb+Ube.因为Ucb=-Ubc,故Uce=-Ubc+Ube,就得到你说的结论了.
@韶泡6533：基极电压、集电极电压与管压降之间的关系 -
左沾15857067047…… 基极电压升高引起集电极负载电阻Rc两端电压升高,而管压降Uce则下降.管压降一般指集电极与发射极之间的电压,即: Uce=Uc-Ue,其中Uc、Ue分别表示集电极和发射极对“地”(即参考点)电压. 正常工作时,基极电压Ub比发射极电压...
@韶泡6533：三极管临界饱和与深度饱和问题那么三极管临界饱和时的定义是UBE等于UCE,而三极管导通时UBE等于0.7V,但求临界饱和电流IBS时用的UCES是0.3V,... - 作业帮
左沾15857067047…… [答案] 临界饱和是指管子处于饱和和放大的交界处,对NPN管.VC再大一点 管子放大 ,再小一点 ,管子饱和的特殊状态.管子饱和跟IB有关,IB越大,UCE就会越低,直至IB大到管子饱和.计算临界饱和电流的用意本来是方便我们判断电路元件...
左沾15857067047…… a)共射-共基.t1从基极输入、集电极输出,t2从发射极输入、集电极输出.(没用到的电极就是“共”用的级、下同.) b)共射-共射.t1、t2都是从基极输入、集电极输出.
@韶泡6533：为什么三极管饱和时Uce=0.3V而Ube=0.7V, - 作业帮
左沾15857067047…… [答案] Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区自由电子浓度一负一正,结果形成扩散势.扩散势的数...
@韶泡6533：三极管各个电极电平高低关系? -
左沾15857067047…… NPN管判断方法如下: 截止状态:Ube<0.7V; (如果是锗管则Ube<0.3V) 放大状态:Ube>0.7V,Uce>Ube; 饱和状态:Ube>0.7V,Uce<Ube. 你的图(d)中,三极管是NPN. Ube=10.75-10=0.75V ;Uce=10.3-10=0.3V . 这样, Ube>0.7V,Uce<Ube,所以此三极管工作在饱和状态. PNP管判断如下: 截止状态:Ueb<0.7V; (如果是锗管则Ueb<0.3V) 放大状态:Ueb>0.7V,Uec>Ueb; 饱和状态:Ueb>0.7V,Uec<Ueb.
@韶泡6533：三极管中Ube Ie,Ib Ic,Ube Uce的相位关系是什么? -
左沾15857067047…… Ube Ie Ib同相,Uce与之反相
@韶泡6533：集电极与发射极之间的电压Uce是否等于Ucb+Ube -
左沾15857067047…… 看电路工作状态情况.正常放大导通状态是,饱和导通状态不是.
@韶泡6533：三极管输入曲线 -
左沾15857067047…… 三极管输入特性曲线就是基极电流Ib与基极发射极电压Ube的关系,与Uce基本无关. Ube大于零时表示有基极电流Ib,Ib放大为Ic,Uce=Ucc-RcIc,Ucc是12V等电源电压,Uce是一个派生参数,当Ib、Ic较大、电阻压降RcIc较大时Uce自然会很小,这就是晶体管饱和,甚至降低到0.1V以下近似等于零. Ube<Uce指的是放大情况,晶体管饱和时Uce很小甚至接近0,从硅三极管输入特性曲线上可以看出,Ube总是在0.7V上下变化,所以Ube<Uce在饱和时就不成立了.
@韶泡6533：ube之间不应该只有0.7v的压差吗?为何说Uce与Ube相等呢? -
左沾15857067047…… 因为C极和B极接在一起呀,所以必然有Uce=Ube. 由于正向偏置不高,所以管子没办法进入到饱和区,只能维持在易于受控的放大区.
@韶泡6533：请教三极管各电极之间的电压关系?我是一个电子业余爱好者,现碰到一
左沾15857067047…… 目前使用的基本上都是硅三极管.硅管的Ube=0.7V左右(不同极性的三极管Ube电压正、负极性就不标出了).在放大电路中,Uce>Ube. 一般不会测量Ubc、Ucb,这样测量时会影响三极管的工作点,通常只测Ube、Uce. 你说的那个关系是成立的.三极管可以看作是发射结与集电结的串联,故Uce=Ucb+Ube.因为Ucb=-Ubc,故Uce=-Ubc+Ube,就得到你说的结论了.
@韶泡6533：基极电压、集电极电压与管压降之间的关系 -
左沾15857067047…… 基极电压升高引起集电极负载电阻Rc两端电压升高,而管压降Uce则下降.管压降一般指集电极与发射极之间的电压,即: Uce=Uc-Ue,其中Uc、Ue分别表示集电极和发射极对“地”(即参考点)电压. 正常工作时,基极电压Ub比发射极电压...
@韶泡6533：三极管临界饱和与深度饱和问题那么三极管临界饱和时的定义是UBE等于UCE,而三极管导通时UBE等于0.7V,但求临界饱和电流IBS时用的UCES是0.3V,... - 作业帮
左沾15857067047…… [答案] 临界饱和是指管子处于饱和和放大的交界处,对NPN管.VC再大一点 管子放大 ,再小一点 ,管子饱和的特殊状态.管子饱和跟IB有关,IB越大,UCE就会越低,直至IB大到管子饱和.计算临界饱和电流的用意本来是方便我们判断电路元件...
