两个nmos+漏极相接
@倪河6612：请问:用图中的2个共漏极的NMOS管子如何接线驱动10v 350ma 的LED灯珠,请大神帮忙设计一下电路,谢谢~~ -
邹孟19238897416…… 如图一般是这样的,将蜂鸣器改成LED,VDD改成10即可,至于电流,放心,NMOS一般5A起步.你的比较特别,那就只能串在源极然后接地了.还有H桥的电路,不过那是一个PMOS和一个NMOS
@倪河6612：比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... -
邹孟19238897416…… 电流只经过沟道,不经过衬底,没毛病.这里的沟道也叫“反型层”. 沟道的作用:连接两个N掺杂区,这样就可以导通了.沟道来自于P掺杂区,因为G极和衬底B之间电场的作用,电子大量聚集在G极这里,所以这一块的P区就变成了N区(所...
@倪河6612：双mos管连接问题.图中管子应该怎样连接,做功率放大用. -
邹孟19238897416…… 较为简单的方法是两管并联:分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联,最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻,如图所示.其中R3、R4由漏极电流决定,使其上的压降1V左右即可.
@倪河6612：CMOS门电路两输入端分别接相同逻辑电平是时,输出端在并联使用可以吗? -
邹孟19238897416…… 由于各个逻辑门的传输延时有差异,标准输出(推挽)的门电路一般不并联使用,集电极(漏极)开路输出的逻辑门可以并联使用.同一个芯片的逻辑门参数一致性好,估计问题不大,但是不建议这么做.提高驱动能力可以选择驱动器类型的逻辑门.
@倪河6612：静态RAM基本存储电路 -
邹孟19238897416…… 那个T3,T4是有源负载,相当于电阻,T3是T1的负载电阻,T4是T2的负载电阻,都是导通的,为T1,T2提供漏极电压的.而真正导通和截止形成反相的,有两个稳定状态的是T1,T2.因为在集成电路内部不方便做电阻,所以,就用这种电路做电阻...
@倪河6612：请高手指教,这两个MOS管的电路应该怎么设计? -
邹孟19238897416…… 这里,两个MOS管作为开关,N/P 沟道的管子都可以,只是你还需要给其配置驱动电路和散热片装置,简单的用一个双刀双掷继电器就是了
@倪河6612：mos的非门电路,是两个mos管串联在一起的还是并联在一起的? -
邹孟19238897416…… 单输入的非门需用到俩个mos管一个N沟道一个P沟道并联,栅极连在一起是输入,漏极连在一起是输出,
@倪河6612：怎样用mos电路实现两节锂电池的串并连 -
邹孟19238897416…… 那个是8205A的寄生体二极管,mos管的原理决定了从NMOS管的衬底B到漏极D之间有一个反向偏置的二极管,由于分立器件的mos管,源端S和衬底B内部短接,因此在原理图上看到的就是从S到D的一个二极管,在锂电池保护电路中,必须正确连接S和D的方向,用来控制充电回路的mos管,应该使寄生体二极管与充电电流方向相反,如果接反的话,本来需要关闭这个mos管,但是由于体二极管的存在,导致充电电流无法截止.8205A的优点在于内部集成了两颗完全相同的nmos管,对于锂电池保护电路来说非常方便,也可以用其他的mos管代替,需要注意mos管的G端输入电压范围,耐压,电流能力,功率耗散能力,等等,根据锂电池规格选择合适的mos管.
@倪河6612：NMOS的源极与漏极的标示有什么含?NMOS的源极与漏极的标示有
邹孟19238897416…… 左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义:(1)N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;(2)“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavilydopedregion),也就是此区的电子浓度远高于其他区域
@倪河6612：什么是NMOS工艺 -
邹孟19238897416…… 英文全称为:N-Mental-Oxide-Semiconductor;Metal-Oxide-SemIConductor的意思为金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为MOS晶体管.它有P型MOS管和N型MOS管之分.由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由...
邹孟19238897416…… 如图一般是这样的,将蜂鸣器改成LED,VDD改成10即可,至于电流,放心,NMOS一般5A起步.你的比较特别,那就只能串在源极然后接地了.还有H桥的电路,不过那是一个PMOS和一个NMOS
@倪河6612：比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... -
邹孟19238897416…… 电流只经过沟道,不经过衬底,没毛病.这里的沟道也叫“反型层”. 沟道的作用:连接两个N掺杂区,这样就可以导通了.沟道来自于P掺杂区,因为G极和衬底B之间电场的作用,电子大量聚集在G极这里,所以这一块的P区就变成了N区(所...
@倪河6612：双mos管连接问题.图中管子应该怎样连接,做功率放大用. -
邹孟19238897416…… 较为简单的方法是两管并联:分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联,最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻,如图所示.其中R3、R4由漏极电流决定,使其上的压降1V左右即可.
@倪河6612：CMOS门电路两输入端分别接相同逻辑电平是时,输出端在并联使用可以吗? -
邹孟19238897416…… 由于各个逻辑门的传输延时有差异,标准输出(推挽)的门电路一般不并联使用,集电极(漏极)开路输出的逻辑门可以并联使用.同一个芯片的逻辑门参数一致性好,估计问题不大,但是不建议这么做.提高驱动能力可以选择驱动器类型的逻辑门.
@倪河6612：静态RAM基本存储电路 -
邹孟19238897416…… 那个T3,T4是有源负载,相当于电阻,T3是T1的负载电阻,T4是T2的负载电阻,都是导通的,为T1,T2提供漏极电压的.而真正导通和截止形成反相的,有两个稳定状态的是T1,T2.因为在集成电路内部不方便做电阻,所以,就用这种电路做电阻...
@倪河6612：请高手指教,这两个MOS管的电路应该怎么设计? -
邹孟19238897416…… 这里,两个MOS管作为开关,N/P 沟道的管子都可以,只是你还需要给其配置驱动电路和散热片装置,简单的用一个双刀双掷继电器就是了
@倪河6612：mos的非门电路,是两个mos管串联在一起的还是并联在一起的? -
邹孟19238897416…… 单输入的非门需用到俩个mos管一个N沟道一个P沟道并联,栅极连在一起是输入,漏极连在一起是输出,
@倪河6612：怎样用mos电路实现两节锂电池的串并连 -
邹孟19238897416…… 那个是8205A的寄生体二极管,mos管的原理决定了从NMOS管的衬底B到漏极D之间有一个反向偏置的二极管,由于分立器件的mos管,源端S和衬底B内部短接,因此在原理图上看到的就是从S到D的一个二极管,在锂电池保护电路中,必须正确连接S和D的方向,用来控制充电回路的mos管,应该使寄生体二极管与充电电流方向相反,如果接反的话,本来需要关闭这个mos管,但是由于体二极管的存在,导致充电电流无法截止.8205A的优点在于内部集成了两颗完全相同的nmos管,对于锂电池保护电路来说非常方便,也可以用其他的mos管代替,需要注意mos管的G端输入电压范围,耐压,电流能力,功率耗散能力,等等,根据锂电池规格选择合适的mos管.
@倪河6612：NMOS的源极与漏极的标示有什么含?NMOS的源极与漏极的标示有
邹孟19238897416…… 左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义:(1)N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;(2)“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavilydopedregion),也就是此区的电子浓度远高于其他区域
@倪河6612：什么是NMOS工艺 -
邹孟19238897416…… 英文全称为:N-Mental-Oxide-Semiconductor;Metal-Oxide-SemIConductor的意思为金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为MOS晶体管.它有P型MOS管和N型MOS管之分.由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由...
