pmos源极和漏极的电位
@卞雄888：PMOS管的漏极电压和源极电压那个大 -
凌钢18841933587…… PMOS管的源极电压大于漏极电压.与NMOS管正好相反.
@卞雄888：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
凌钢18841933587…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@卞雄888：pmos晶体管的工作原理 -
凌钢18841933587…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@卞雄888：MOS管P沟道不用栅极触发就通?
凌钢18841933587…… Pmos要截止,由于电机接了12V电源,需要栅极接12V才能关闭.对于PMOS来说,和PNP类似.需要把12V当零,GND当做-12V.这时,0V截止,负电压导通.接的+5V相当于-7V,当然要导通了.
@卞雄888：关于PMOS栅源电压 -
凌钢18841933587…… 你的H桥是P-Nmos管组合的那种吧,保证栅源电压小于20V可以在栅源之间并上一个稳压二极管来钳制栅源电压.N管同样如此
@卞雄888：在电子技术中:论电流方向来说N沟道MOS管与PNP晶体管这种流向是不是一样的? -
凌钢18841933587…… 理想的mos管,不管nmos还是pmos,沟道打开的时候,电流可从源到漏,也可从漏到源.但是实际的mos管,由于制造工艺的原因,在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管.由于这个寄生二极管的存在,当沟道关闭后,mos管源漏之间仍然能够单向导电.因此,为了让mos管正常工作,必须保证该寄生二极管处于反偏.具体来说,对于nmos,寄生二极管方向是从源到漏,因此电路上电流应该从漏到源,即漏极电位高于源极才能正常工作;而pmos则相反.可简单归纳为“n正驱(栅极电位高于硅基底)反通(漏极高于源极),p反驱正通”
@卞雄888：电子技术 MOS管的导电沟道为什么一端宽一端窄 -
凌钢18841933587…… 你说的是CMOS吧,通常NMOS的导电沟道要低于PMOS这个影响因素就比较多了,主要是两者迁移率不同导致的,而两者要达到绝对值相同的阈值电压就要求宽长比不同.另外CMOS工艺中的沟道长度都是相同的,到宽度不同
@卞雄888：Vdd,Vddd,Vcom、Vdda、Vddg、Veeg - 作业帮
凌钢18841933587…… [答案] VCC:C=circuit 表示电路的意思,即接入电路的电压; VDD:D=device 表示器件的意思,即器件内部的工作电压; VSS:S=... 和PMOS or NMOS场效应管的漏极D.同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样.因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常...
@卞雄888：为什么我的p沟道mos管栅极输入时高电平但是源极和漏极不截止呀 -
凌钢18841933587…… 单单栅极高电平也不行,还要看源极的电压多大,如果源极电压比栅极电压还大,他俩的差值超过了开启电压,那同样不会截止.
@卞雄888：mos管开关电路是怎样工作的? -
凌钢18841933587…… ■mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关,场效应管有三个极:源极S、漏极 D和栅极(或叫控制极)G. 工作原理是:在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压(因为管型而异)后,再给G极和源极之间加上控制电压,就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ,如果信号电压够大,这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了.
凌钢18841933587…… PMOS管的源极电压大于漏极电压.与NMOS管正好相反.
@卞雄888：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
凌钢18841933587…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@卞雄888：pmos晶体管的工作原理 -
凌钢18841933587…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@卞雄888：MOS管P沟道不用栅极触发就通?
凌钢18841933587…… Pmos要截止,由于电机接了12V电源,需要栅极接12V才能关闭.对于PMOS来说,和PNP类似.需要把12V当零,GND当做-12V.这时,0V截止,负电压导通.接的+5V相当于-7V,当然要导通了.
@卞雄888：关于PMOS栅源电压 -
凌钢18841933587…… 你的H桥是P-Nmos管组合的那种吧,保证栅源电压小于20V可以在栅源之间并上一个稳压二极管来钳制栅源电压.N管同样如此
@卞雄888：在电子技术中:论电流方向来说N沟道MOS管与PNP晶体管这种流向是不是一样的? -
凌钢18841933587…… 理想的mos管,不管nmos还是pmos,沟道打开的时候,电流可从源到漏,也可从漏到源.但是实际的mos管,由于制造工艺的原因,在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管.由于这个寄生二极管的存在,当沟道关闭后,mos管源漏之间仍然能够单向导电.因此,为了让mos管正常工作,必须保证该寄生二极管处于反偏.具体来说,对于nmos,寄生二极管方向是从源到漏,因此电路上电流应该从漏到源,即漏极电位高于源极才能正常工作;而pmos则相反.可简单归纳为“n正驱(栅极电位高于硅基底)反通(漏极高于源极),p反驱正通”
@卞雄888：电子技术 MOS管的导电沟道为什么一端宽一端窄 -
凌钢18841933587…… 你说的是CMOS吧,通常NMOS的导电沟道要低于PMOS这个影响因素就比较多了,主要是两者迁移率不同导致的,而两者要达到绝对值相同的阈值电压就要求宽长比不同.另外CMOS工艺中的沟道长度都是相同的,到宽度不同
@卞雄888：Vdd,Vddd,Vcom、Vdda、Vddg、Veeg - 作业帮
凌钢18841933587…… [答案] VCC:C=circuit 表示电路的意思,即接入电路的电压; VDD:D=device 表示器件的意思,即器件内部的工作电压; VSS:S=... 和PMOS or NMOS场效应管的漏极D.同样你可在电路图中看见Vee和Vss,含义一样.因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常...
@卞雄888：为什么我的p沟道mos管栅极输入时高电平但是源极和漏极不截止呀 -
凌钢18841933587…… 单单栅极高电平也不行,还要看源极的电压多大,如果源极电压比栅极电压还大,他俩的差值超过了开启电压,那同样不会截止.
@卞雄888：mos管开关电路是怎样工作的? -
凌钢18841933587…… ■mos管开关电路中要用到MOS场效应管来代替开关,场效应管有三个极:源极S、漏极 D和栅极(或叫控制极)G. 工作原理是:在给源极和漏极 之间加上正确极性和大小的电压(因为管型而异)后,再给G极和源极之间加上控制电压,就会有相应大小的电流从源极流向漏极 ,如果信号电压够大,这个电路就能瞬间饱和而成为一个开关了.
