nmos的源极和漏极
@屠试1057：NMOS的源极与漏极的标示有什么含?NMOS的源极与漏极的标示有
凌庞18665987819…… 左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义:(1)N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;(2)“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavilydopedregion),也就是此区的电子浓度远高于其他区域
@屠试1057：比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... -
凌庞18665987819…… 电流只经过沟道,不经过衬底,没毛病.这里的沟道也叫“反型层”. 沟道的作用:连接两个N掺杂区,这样就可以导通了.沟道来自于P掺杂区,因为G极和衬底B之间电场的作用,电子大量聚集在G极这里,所以这一块的P区就变成了N区(所...
@屠试1057：什么是NMOS工艺 -
凌庞18665987819…… 英文全称为:N-Mental-Oxide-Semiconductor;Metal-Oxide-SemIConductor的意思为金属-氧化物-半导体,而拥有这种结构的晶体管我们称之为MOS晶体管.它有P型MOS管和N型MOS管之分.由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,由...
@屠试1057：PMOS是什么意思
凌庞18665987819…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管 全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor 别名 : positive MOS 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N...
@屠试1057：NMOS晶体管的工作原理 -
凌庞18665987819…… N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分. 转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同...
@屠试1057：谁知道场效应管的 G,S,D极怎么分? -
凌庞18665987819…… G极是在绝缘层上覆盖一层金属并引出的电极就是栅极源极S和漏极D区分,只是个人分析找极法:一般有NMOS增强型是在栅极G,源极S上加上的正极,用万能表可以测得,剩下的就是漏极D了, NMOS耗尽型应该也是!N型不管是增强还是耗尽正极一般为漏极D,负极为源极S,栅极G为正极的是增强型 为负极的是耗尽型!P型不管是增强还是耗尽正极一般为漏极S,负极为源极D,栅极无!
@屠试1057：【求教】MOS管开关电路. -
凌庞18665987819…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
@屠试1057：为什么放了一个mosfet电压反而变小了 -
凌庞18665987819…… MOSFET核:金属—氧化层—半导体电容 电压施加MOS电容两端半导体电荷布跟着改变考虑p-type半导体(电洞浓度NA)形MOS电容电压VGB施加栅极与基极端(图)电洞浓度减少电浓度增加VGB够强接近栅极端电浓度超电洞p-type半导体电...
@屠试1057：MOS管测量好坏时,漏极和源极有几百欧为正常,那它在电路中怎样实现关断呢 -
凌庞18665987819…… 其实MOS主要是通过栅控制器件的开启和导通,所以以NMOS管为例,只需要将栅压降得足够低,让它在衬底中无法形成反型层,也就没有了沟道,没有低阻通路,自然就变成高阻态,从漏源两端看上去,它便是关断的
凌庞18665987819…… 左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义:(1)N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;(2)“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavilydopedregion),也就是此区的电子浓度远高于其他区域
@屠试1057：比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... -
凌庞18665987819…… 电流只经过沟道,不经过衬底,没毛病.这里的沟道也叫“反型层”. 沟道的作用:连接两个N掺杂区,这样就可以导通了.沟道来自于P掺杂区,因为G极和衬底B之间电场的作用,电子大量聚集在G极这里,所以这一块的P区就变成了N区(所...
@屠试1057：什么是NMOS工艺 -
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@屠试1057：PMOS是什么意思
凌庞18665987819…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管 全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor 别名 : positive MOS 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N...
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凌庞18665987819…… N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分. 转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同...
@屠试1057：谁知道场效应管的 G,S,D极怎么分? -
凌庞18665987819…… G极是在绝缘层上覆盖一层金属并引出的电极就是栅极源极S和漏极D区分,只是个人分析找极法:一般有NMOS增强型是在栅极G,源极S上加上的正极,用万能表可以测得,剩下的就是漏极D了, NMOS耗尽型应该也是!N型不管是增强还是耗尽正极一般为漏极D,负极为源极S,栅极G为正极的是增强型 为负极的是耗尽型!P型不管是增强还是耗尽正极一般为漏极S,负极为源极D,栅极无!
@屠试1057：【求教】MOS管开关电路. -
凌庞18665987819…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
@屠试1057：为什么放了一个mosfet电压反而变小了 -
凌庞18665987819…… MOSFET核:金属—氧化层—半导体电容 电压施加MOS电容两端半导体电荷布跟着改变考虑p-type半导体(电洞浓度NA)形MOS电容电压VGB施加栅极与基极端(图)电洞浓度减少电浓度增加VGB够强接近栅极端电浓度超电洞p-type半导体电...
@屠试1057：MOS管测量好坏时,漏极和源极有几百欧为正常,那它在电路中怎样实现关断呢 -
凌庞18665987819…… 其实MOS主要是通过栅控制器件的开启和导通,所以以NMOS管为例,只需要将栅压降得足够低,让它在衬底中无法形成反型层,也就没有了沟道,没有低阻通路,自然就变成高阻态,从漏源两端看上去,它便是关断的
