nmos源漏判断

@段度998:NMOS的源极与漏极的标示有什么含?NMOS的源极与漏极的标示有
陶爱13183529352…… 左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义:(1)N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;(2)“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavilydopedregion),也就是此区的电子浓度远高于其他区域

@段度998:如何判断NMOS管和PMOS管 -
陶爱13183529352…… 1. 可以根据电流的方向来判断,从管子中流出的为NMOS管. 2. 还可以根据电流的方向来判断,流入管子的为PMOS管. 3. 还可以从电压的高低来判断,如果D在上,S在下,说明D端电压高于S端电压,管子导通则为NMOS管,相反,S在上,D在下,S端电压高于D端电压而导通,说明为PMOS管.

@段度998:怎么判断NMOS三极管的极性 -
陶爱13183529352…… 引脚朝下,型号面对自己,从左到右一次是G D S,90%都是这样的,类似S9013的是一般是D G S,漏极 栅极 源极.

@段度998:MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢? -
陶爱13183529352…… MOS管导通的时候,沟道是什么类型的就是什么沟道,比如源漏都是N型的,那么MOS管要导通,沟道必须也是N型的才能把源漏连接起来进行导电,所以最简单的判断就是看源漏是什么类型掺杂的,就是什么类型的沟道.当然上面说的这些是针对你初学半导体器件时候知道器件截面图时用来判断的,如果是实际的产品的话,就看栅压是加正压MOS管能导通,还是栅压加负压能导通,如果加正压能导通的就是N沟道MOS管,如果加负压能导通的就是P沟道MOS管了

@段度998:比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... -
陶爱13183529352…… 电流只经过沟道,不经过衬底,没毛病.这里的沟道也叫“反型层”. 沟道的作用:连接两个N掺杂区,这样就可以导通了.沟道来自于P掺杂区,因为G极和衬底B之间电场的作用,电子大量聚集在G极这里,所以这一块的P区就变成了N区(所...

@段度998:谁知道场效应管的 G,S,D极怎么分? -
陶爱13183529352…… G极是在绝缘层上覆盖一层金属并引出的电极就是栅极源极S和漏极D区分,只是个人分析找极法:一般有NMOS增强型是在栅极G,源极S上加上的正极,用万能表可以测得,剩下的就是漏极D了, NMOS耗尽型应该也是!N型不管是增强还是耗尽正极一般为漏极D,负极为源极S,栅极G为正极的是增强型 为负极的是耗尽型!P型不管是增强还是耗尽正极一般为漏极S,负极为源极D,栅极无!

@段度998:场效应管(MOS)三个脚怎么区分?N和P怎么区分?
陶爱13183529352…… 场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极.将万用表置于R*1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻.当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G. 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极:若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极.

@段度998:N沟道MOS哪个是G极哪个是D级哪个是S级,怎么识别这三极啊...怎么判断这MOS的好坏
陶爱13183529352…… 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道.原因是制造N沟道耗尽型MOS管时,...

@段度998:电动车控制器MOS管如何检测好坏 -
陶爱13183529352…… 首先,断开控制器与电源连接,把控制器粗黑线与粗红线碰接短路,这样做的目的是放完内部电容余电. 然后,把三根粗黄线对粗黑碰线短接,目的同上.一定要放电后再进行测量.这三根粗黄线实际上是三根相线. 做完以上准备工作后...

@段度998:ltps 中pmos和nmos的区别 -
陶爱13183529352…… LTPS TFT中 PMOS也叫PTFT, 源漏端是P型掺杂,栅极下面,也就是沟道中,是N型掺杂. NMOS也叫NTFT,源漏端是N型掺杂,栅极下面,也就是沟道中,是P型掺杂. *通常,N型掺杂用的是磷元素,P型掺杂用的是硼元素. 一般在电路中,PTFT是负电压开启,NTFT是正电压开启.

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