nmos的三个极
@杜很3870：怎么判断NMOS三极管的极性 -
寇宋19525141085…… 引脚朝下,型号面对自己,从左到右一次是G D S,90%都是这样的,类似S9013的是一般是D G S,漏极 栅极 源极.
@杜很3870：MOS管的三个电极分别为Us= - 5V,Ug=1V,Ud=3V,Ugs(th)=4V为什么此时的工作状 -
寇宋19525141085…… 算一下几个值就好了,UGS=6V.UDS=8V. 根据NMOS增强型场效应管(UGSth就说明了是增强型,电压UD>US说明是N沟道)的状态判断条件: 当UGS<UGSth时,截止(关断区); UDS<UGS-UGS(th)时,可变电阻区(相当于三极管饱和区); UDS=UGS-UGS(th)时,预夹断(恒流区与可变电阻区的临界点); UDS>UGS-UGS(th)时,恒流区(相当于三极管放大区); 你现在可以计算一下:UDS=8V>UGS-UGS(th)=2V,所以明显是属于恒流区,此时对于每个UGS,都有一个iD与它对应,MOS管可视为电压UGS控制的恒流源. 你可以参考:童诗白,《模拟电子技术基础》第四版,P46页.
@杜很3870：MOS管开关电路? -
寇宋19525141085…… MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态.由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态.MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间,而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的.
@杜很3870：NMOS的源极与漏极的标示有什么含?NMOS的源极与漏极的标示有
寇宋19525141085…… 左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义:(1)N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;(2)“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavilydopedregion),也就是此区的电子浓度远高于其他区域
@杜很3870：N沟道MOS哪个是G极哪个是D级哪个是S级,怎么识别这三极啊...怎么判断这MOS的好坏
寇宋19525141085…… 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道.原因是制造N沟道耗尽型MOS管时,...
@杜很3870：请教:MOS管做开关电路 -
寇宋19525141085…… 你电路的问题很明显,要了解原理,请参考以下电路: 带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》.
@杜很3870：线路板上的mos管是什么? -
寇宋19525141085…… mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管.或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体.双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化.双极型晶体管的增益就...
@杜很3870：三极管和MOS管怎么区分 -
寇宋19525141085…… 如果想分别出三极管和mos管而前提是不借助任何资料的情况下,我建议还是使用万用表来通过对三极管和mos管的三个电极进行测量来分出所测设备是三极管的哪个类型以及哪个引脚具体的三极管和mos管的具体分别以及工作原理我就不说了...
@杜很3870：请问开关三极管IRF9504N的三个极是怎么区分好的,坏. -
寇宋19525141085…… IRF9504是MOS管. MOS管最容易出的故障是静电击穿, 判断击穿的办法是: 第一步, 放电, 用导线将GDS互联即可. 不放电所得的测试结论90%是错误的.: 第二步: 用万用表二极管档测任意两极间不短路. 共测六次, 其中NMOS管S红D黑时(PMOS管S黑D红), 有个相当于二极管的读数, 所有其它读数都为无穷大(1)为完好.
@杜很3870：场效应管也是三个极输出,为什么不叫三极管?
寇宋19525141085…… 二极管、三极管是沿袭原来电子管的叫法,由半导体晶体制成的管子具有三极管的功能的叫半导体晶体三极管,简称为半导体管或者晶体管. 在晶体管中靠两种载流子形成电流的叫双极型晶体管, 另有一种仅靠一种载流子导电并在侧向电场控制下通断的晶体管称为场效应晶体管,场效应晶体管可以按结构分为结型场效应晶体管和MOS场效应晶体管;按MOS场效应晶体管中空穴、电子参与导电分别将两类MOS场效应晶体管称为PMOS场效应晶体管NMOS场效应晶体管.由此观之,“双极”、“单极”是指晶体管中参与导电的载流子类型数,如同通讯系统的“双工”、“单工”的区别一样,而不是应该是“双结”和“单结”.
寇宋19525141085…… 引脚朝下,型号面对自己,从左到右一次是G D S,90%都是这样的,类似S9013的是一般是D G S,漏极 栅极 源极.
@杜很3870：MOS管的三个电极分别为Us= - 5V,Ug=1V,Ud=3V,Ugs(th)=4V为什么此时的工作状 -
寇宋19525141085…… 算一下几个值就好了,UGS=6V.UDS=8V. 根据NMOS增强型场效应管(UGSth就说明了是增强型,电压UD>US说明是N沟道)的状态判断条件: 当UGS<UGSth时,截止(关断区); UDS<UGS-UGS(th)时,可变电阻区(相当于三极管饱和区); UDS=UGS-UGS(th)时,预夹断(恒流区与可变电阻区的临界点); UDS>UGS-UGS(th)时,恒流区(相当于三极管放大区); 你现在可以计算一下:UDS=8V>UGS-UGS(th)=2V,所以明显是属于恒流区,此时对于每个UGS,都有一个iD与它对应,MOS管可视为电压UGS控制的恒流源. 你可以参考:童诗白,《模拟电子技术基础》第四版,P46页.
@杜很3870：MOS管开关电路? -
寇宋19525141085…… MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态.由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态.MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程,但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间,而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的.
@杜很3870：NMOS的源极与漏极的标示有什么含?NMOS的源极与漏极的标示有
寇宋19525141085…… 左图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表着两个意义:(1)N代表掺杂(doped)在源极与漏极区域的杂质极性为N;(2)“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域(heavilydopedregion),也就是此区的电子浓度远高于其他区域
@杜很3870：N沟道MOS哪个是G极哪个是D级哪个是S级,怎么识别这三极啊...怎么判断这MOS的好坏
寇宋19525141085…… 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道.原因是制造N沟道耗尽型MOS管时,...
@杜很3870：请教:MOS管做开关电路 -
寇宋19525141085…… 你电路的问题很明显,要了解原理,请参考以下电路: 带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》.
@杜很3870：线路板上的mos管是什么? -
寇宋19525141085…… mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管.或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体.双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化.双极型晶体管的增益就...
@杜很3870：三极管和MOS管怎么区分 -
寇宋19525141085…… 如果想分别出三极管和mos管而前提是不借助任何资料的情况下,我建议还是使用万用表来通过对三极管和mos管的三个电极进行测量来分出所测设备是三极管的哪个类型以及哪个引脚具体的三极管和mos管的具体分别以及工作原理我就不说了...
@杜很3870：请问开关三极管IRF9504N的三个极是怎么区分好的,坏. -
寇宋19525141085…… IRF9504是MOS管. MOS管最容易出的故障是静电击穿, 判断击穿的办法是: 第一步, 放电, 用导线将GDS互联即可. 不放电所得的测试结论90%是错误的.: 第二步: 用万用表二极管档测任意两极间不短路. 共测六次, 其中NMOS管S红D黑时(PMOS管S黑D红), 有个相当于二极管的读数, 所有其它读数都为无穷大(1)为完好.
@杜很3870：场效应管也是三个极输出,为什么不叫三极管?
寇宋19525141085…… 二极管、三极管是沿袭原来电子管的叫法,由半导体晶体制成的管子具有三极管的功能的叫半导体晶体三极管,简称为半导体管或者晶体管. 在晶体管中靠两种载流子形成电流的叫双极型晶体管, 另有一种仅靠一种载流子导电并在侧向电场控制下通断的晶体管称为场效应晶体管,场效应晶体管可以按结构分为结型场效应晶体管和MOS场效应晶体管;按MOS场效应晶体管中空穴、电子参与导电分别将两类MOS场效应晶体管称为PMOS场效应晶体管NMOS场效应晶体管.由此观之,“双极”、“单极”是指晶体管中参与导电的载流子类型数,如同通讯系统的“双工”、“单工”的区别一样,而不是应该是“双结”和“单结”.
