低电平触发是nmos还是pmos
@祖星5912：CMOS反相器输出为低电平时,其等效结构中是NMOS导通还是PMOS导通 -
屠皇17167963406…… 当然是下面的NMOS导通.
@祖星5912：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
屠皇17167963406…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@祖星5912：pmos管是高电平导通还是低电平导通啊 -
屠皇17167963406…… 低电平导通
@祖星5912：无论输入是高电平还是低电平,cmos反向器中总有一个mos管 -
屠皇17167963406…… CMOS反相器输出为低电平时,其等效结构中是NMOS导通,当输出高电平时,其等效结构中是PMOS导通.
@祖星5912：单片机中的电平触发方式和边沿触发方式是什么意思? -
屠皇17167963406…… 有很大的区别, 电平触发方式是按照电平的高或者低来触发,所以用的时候,必须在发生触发事件后立即将电平拉到非触发电平上,如果不这样做的话,会导致程序一直在触发事件程序入口处,而不会执行其他地方的程序.所以一般比较少用. 边沿触发方式是按照(上或下)边沿触发事件,由于触发的条件是边沿(上或下),所以即使在触发事件后,保存原来的电平都没有关系,不会一直在触发的,一般都用这种方式.
@祖星5912：芯片是如何输出负电平的? -
屠皇17167963406…… 1、逻辑电路.只有高低之分.7404振荡电路不是标准电平应用.输出端一般是CMOS互补推挽结构.上面一个PMOS,下面一个NMOS.源极分别接电源和地,栅极搞到一起.只要栅极为高,NMOS导通.就出低电平啦. 2、负电平,对于功率型芯片,是开关电源范畴.电荷泵等芯片可以输出.还有的,如232芯片,其实内部还是个开关电源.
@祖星5912：求PMOS和NMOS在POWER management的区别 -
屠皇17167963406…… 你好,关于PMOS和NMOS在POWER management的区别 1. NMOS是栅极高电平导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通 2. PMOS是栅极低电平导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通 缺点是价格贵、导通电阻大、发热大、效率低,优点是容易驱动,只要把栅极电压拉下来就可以了 希望对你有帮助
@祖星5912：如果一个3V的电压接在MOS管的控制级(G),并且MOS管接地,那么他的发射级是高电平还是低电平
屠皇17167963406…… 这个要分N MOS管还是PMOS管的,而且和D级(N管)或者S级(P管)的电源有关,例如 N管D接,接上拉电阻到+12V,这时候如果NMOS管的开启电压<3V,则NMOS管导通,把电位拉低. 如果是P管,S级接电源,只要G极电压低于S级电压,就形成导电沟道.从而使PMOS管形成一个可变的R,SG电压差越大,R越小,当R足够小时, 电平就为低电平
@祖星5912：51单片机INT1中断电平触发方式和跳变沿触发方式有什么区别 -
屠皇17167963406…… 真正的区别在于: 电平触发方式时,中断标志寄存器不锁存中断请求信号.也就是说,单片机把每个机器周期的S5P2采样到的外部中断源口线的电平逻辑直接赋值到中断标志寄存器.标志寄存器对于请求信号来说是透明的.这样当中断请求被...
@祖星5912：单片机中的外部中断低电平触发和下降沿触发有什么区别 -
屠皇17167963406…… 个人理解:低电平触发,低电平的时候一直处于中断状态;下降沿触发,由高变低的这个点上产生中断.单片机中的外部中断低电平触发和下降沿触发有什么区别
屠皇17167963406…… 当然是下面的NMOS导通.
@祖星5912：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
屠皇17167963406…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@祖星5912：pmos管是高电平导通还是低电平导通啊 -
屠皇17167963406…… 低电平导通
@祖星5912：无论输入是高电平还是低电平,cmos反向器中总有一个mos管 -
屠皇17167963406…… CMOS反相器输出为低电平时,其等效结构中是NMOS导通,当输出高电平时,其等效结构中是PMOS导通.
@祖星5912：单片机中的电平触发方式和边沿触发方式是什么意思? -
屠皇17167963406…… 有很大的区别, 电平触发方式是按照电平的高或者低来触发,所以用的时候,必须在发生触发事件后立即将电平拉到非触发电平上,如果不这样做的话,会导致程序一直在触发事件程序入口处,而不会执行其他地方的程序.所以一般比较少用. 边沿触发方式是按照(上或下)边沿触发事件,由于触发的条件是边沿(上或下),所以即使在触发事件后,保存原来的电平都没有关系,不会一直在触发的,一般都用这种方式.
@祖星5912：芯片是如何输出负电平的? -
屠皇17167963406…… 1、逻辑电路.只有高低之分.7404振荡电路不是标准电平应用.输出端一般是CMOS互补推挽结构.上面一个PMOS,下面一个NMOS.源极分别接电源和地,栅极搞到一起.只要栅极为高,NMOS导通.就出低电平啦. 2、负电平,对于功率型芯片,是开关电源范畴.电荷泵等芯片可以输出.还有的,如232芯片,其实内部还是个开关电源.
@祖星5912：求PMOS和NMOS在POWER management的区别 -
屠皇17167963406…… 你好,关于PMOS和NMOS在POWER management的区别 1. NMOS是栅极高电平导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通 2. PMOS是栅极低电平导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通 缺点是价格贵、导通电阻大、发热大、效率低,优点是容易驱动,只要把栅极电压拉下来就可以了 希望对你有帮助
@祖星5912：如果一个3V的电压接在MOS管的控制级(G),并且MOS管接地,那么他的发射级是高电平还是低电平
屠皇17167963406…… 这个要分N MOS管还是PMOS管的,而且和D级(N管)或者S级(P管)的电源有关,例如 N管D接,接上拉电阻到+12V,这时候如果NMOS管的开启电压<3V,则NMOS管导通,把电位拉低. 如果是P管,S级接电源,只要G极电压低于S级电压,就形成导电沟道.从而使PMOS管形成一个可变的R,SG电压差越大,R越小,当R足够小时, 电平就为低电平
@祖星5912：51单片机INT1中断电平触发方式和跳变沿触发方式有什么区别 -
屠皇17167963406…… 真正的区别在于: 电平触发方式时,中断标志寄存器不锁存中断请求信号.也就是说,单片机把每个机器周期的S5P2采样到的外部中断源口线的电平逻辑直接赋值到中断标志寄存器.标志寄存器对于请求信号来说是透明的.这样当中断请求被...
@祖星5912：单片机中的外部中断低电平触发和下降沿触发有什么区别 -
屠皇17167963406…… 个人理解:低电平触发,低电平的时候一直处于中断状态;下降沿触发,由高变低的这个点上产生中断.单片机中的外部中断低电平触发和下降沿触发有什么区别
