mos管低电平导通
@许忽3918：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
禹钥15098312729…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@许忽3918：请问这个电路里面P0.3低电平的时候为什么MOS管导通? -
禹钥15098312729…… 图中的MOS管为P沟道增强型场效应管,其开启电压为高电平,即当其栅极为高电平时,该MOS管导通. 当P0.3为低电平时,9013截止,集电极为高电平,故MOS管导通.
@许忽3918：我怎么看着刚才那个电路是单片机输入低电平的时候mos导通呢?帮我看看吧 -
禹钥15098312729…… 单片机输出低电平---Q1截止---Q2的VBE=0---Q2截止---M1的VGS=0,所以M1是截止的.
@许忽3918：这个电路为什么上电瞬间三极管J9基极有一个低电平 -
禹钥15098312729…… 楼主,你不觉得在导通瞬间,J9和J10是存在导通冲突么?有可能存在J10的基极先高电平,然后MOS管G极低电平,瞬间导通,然后J9基极拉高,J10的基级又变成低电平了,mos管G极拉高,mos管关断.因为R6比R1大,三极管基级对地是有电容的,基级电压其实是一个rc上电过程,那么明显,J9的基极比j10的基极上电晚一点点咯,建议j9的电阻小些看看是不是这个问题.
@许忽3918：请教:MOS管做开关电路 -
禹钥15098312729…… 你电路的问题很明显,要了解原理,请参考以下电路: 带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》.
@许忽3918：MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低? -
禹钥15098312729…… MOS管PDF中都有一个Vth的参数,这个参数是MOS开通的门限电压,当MOS管GS两端电压低于此电压时为低,高于此电压时开始导通,当高于Vmiller(这个PDF中不一定有)电压后完全导通.
@许忽3918：CMOS逻辑电路的MOS参数 -
禹钥15098312729…… 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...
@许忽3918：功率开关管(MOS)如何控制电压输出?
禹钥15098312729…… (1有三只脚,其中G是栅极,对P沟道MOS管,高电平导通;对N沟道MOS管,低电平导通.关键的是处于下桥电路的N沟道MOS才真正控制输出电压. (2)电路中有PWM调制电路,由调速霍尔调制其占空比例.根据PWM占空比,开关管MOS导通为开、截止为关,由开和关在一个周期内所占时间比例不同来决定输出电压高低,比如在一个周期内,导通时间占60%、截止时间占40%,则占空比为6:4,或称占空比为60%. 要提高输出电压,应提高占空比,即导通时间增多,截止时间减少,电动机就会提高转速.
@许忽3918：mos管栅极和源级之间的关系?如下图!!!坐等 -
禹钥15098312729…… 还有你说的mos管导通其实与栅极没有多大关系,栅极加电压只是开启导电沟,也就是栅极就是阀门.高电压开低电压关.漏源之间并联的二极管时寄生二极管,有的大功率MOS管自身携带,由工艺决定.不是人为制作,你就看做事他具备这个特性.有的MOS管没有这个寄生二极管的.
@许忽3918：使用场效应管控制电流问题 -
禹钥15098312729…… 对于JFET来说,有增强型和耗尽型两种,如果是耗尽型,当栅源电压为零时,场效应晶体管导电沟道就是存在的,所以一定会有电流.但是如果你用的是增强型管子,理想状态是当你加的栅源电压小于阈值电压时,完全不会有电流,但是这也...
禹钥15098312729…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@许忽3918：请问这个电路里面P0.3低电平的时候为什么MOS管导通? -
禹钥15098312729…… 图中的MOS管为P沟道增强型场效应管,其开启电压为高电平,即当其栅极为高电平时,该MOS管导通. 当P0.3为低电平时,9013截止,集电极为高电平,故MOS管导通.
@许忽3918：我怎么看着刚才那个电路是单片机输入低电平的时候mos导通呢?帮我看看吧 -
禹钥15098312729…… 单片机输出低电平---Q1截止---Q2的VBE=0---Q2截止---M1的VGS=0,所以M1是截止的.
@许忽3918：这个电路为什么上电瞬间三极管J9基极有一个低电平 -
禹钥15098312729…… 楼主,你不觉得在导通瞬间,J9和J10是存在导通冲突么?有可能存在J10的基极先高电平,然后MOS管G极低电平,瞬间导通,然后J9基极拉高,J10的基级又变成低电平了,mos管G极拉高,mos管关断.因为R6比R1大,三极管基级对地是有电容的,基级电压其实是一个rc上电过程,那么明显,J9的基极比j10的基极上电晚一点点咯,建议j9的电阻小些看看是不是这个问题.
@许忽3918：请教:MOS管做开关电路 -
禹钥15098312729…… 你电路的问题很明显,要了解原理,请参考以下电路: 带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》.
@许忽3918：MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低? -
禹钥15098312729…… MOS管PDF中都有一个Vth的参数,这个参数是MOS开通的门限电压,当MOS管GS两端电压低于此电压时为低,高于此电压时开始导通,当高于Vmiller(这个PDF中不一定有)电压后完全导通.
@许忽3918：CMOS逻辑电路的MOS参数 -
禹钥15098312729…… 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...
@许忽3918：功率开关管(MOS)如何控制电压输出?
禹钥15098312729…… (1有三只脚,其中G是栅极,对P沟道MOS管,高电平导通;对N沟道MOS管,低电平导通.关键的是处于下桥电路的N沟道MOS才真正控制输出电压. (2)电路中有PWM调制电路,由调速霍尔调制其占空比例.根据PWM占空比,开关管MOS导通为开、截止为关,由开和关在一个周期内所占时间比例不同来决定输出电压高低,比如在一个周期内,导通时间占60%、截止时间占40%,则占空比为6:4,或称占空比为60%. 要提高输出电压,应提高占空比,即导通时间增多,截止时间减少,电动机就会提高转速.
@许忽3918：mos管栅极和源级之间的关系?如下图!!!坐等 -
禹钥15098312729…… 还有你说的mos管导通其实与栅极没有多大关系,栅极加电压只是开启导电沟,也就是栅极就是阀门.高电压开低电压关.漏源之间并联的二极管时寄生二极管,有的大功率MOS管自身携带,由工艺决定.不是人为制作,你就看做事他具备这个特性.有的MOS管没有这个寄生二极管的.
@许忽3918：使用场效应管控制电流问题 -
禹钥15098312729…… 对于JFET来说,有增强型和耗尽型两种,如果是耗尽型,当栅源电压为零时,场效应晶体管导电沟道就是存在的,所以一定会有电流.但是如果你用的是增强型管子,理想状态是当你加的栅源电压小于阈值电压时,完全不会有电流,但是这也...
