增强型nmos导通原理
@赖天3126：NMOS晶体管的工作原理 -
华耿15941296456…… N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分. 转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同...
@赖天3126：增强型NMOS管夹断后为什么还会导电 -
华耿15941296456…… 因为夹断后它的漏端形成了空间电荷区,由于空间电荷区的高电场作用,在沟道中的电荷当遇到这个区域时会很快的被扫到漏端,即其导电机理.而对于Vd,此时分为两步分一部分为Vt另一部分为空间电荷区的电压降,而此时由于有效的L减小 从而Vt减小了一点,Vd的增加的部分完全用于补偿漏端的空间电荷区的电压降了.造成了我们能够观察到的饱和Id.
@赖天3126：pmos晶体管的工作原理 -
华耿15941296456…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@赖天3126：nmos管导通饱和截止条件 -
华耿15941296456…… PMOS增强型管:uG-uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压; NMOS增强型管:uG-uS>0,且 |uG-uS|>|uGS(th)| ,uGS|th|是开启电压; PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压.NMOS相反.
@赖天3126：N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别 -
华耿15941296456…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道. 2、控制方法是不一样的.耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的 增强型NMOS,都是正电压控制的.
@赖天3126：MOS管导通方式 -
华耿15941296456…… N MOS增强型需要在Vgs加入正电压 才能导通, 如下图所示
@赖天3126：版图里NMOS的n+ implant层和diffusion 层的区别 -
华耿15941296456…… 首先明确一点,这里说的UGS不能小于0不是说小于0是会出现什么问题,而是说小于0是它不工作.因为在实际电路中任何情况都是可能的. N沟道增强型绝缘栅场效应管就是增强型NMOS. 先从NMOS的工作原理讲起: 对于增强型NMOS,绝...
@赖天3126：什么是增强型MOS管?什么是增强型MOS管?什么是耗尽型MOS管
华耿15941296456…… 增强型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面没有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压大于0;PMOS,小于0.耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0.通过改变有源区的掺杂浓度,控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料,可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET.
@赖天3126：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? -
华耿15941296456…… NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
@赖天3126：为什么加低电压,N沟道增强型MOS管截止 -
华耿15941296456…… 对增强型NMOS来说,他的衬底是P型的,源和漏是N型的,只有在栅上加一个足够的电压,使得器件沟道形成一个反型层(n)才能打开器件. 我们叫这个电压为阈值电压,当低于这个电压的时候,管子没有进入强反型,电流能力很弱,当太低的时候就截止了. 建议看看半导体物理,希望对你有帮助.
华耿15941296456…… N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分. 转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同...
@赖天3126：增强型NMOS管夹断后为什么还会导电 -
华耿15941296456…… 因为夹断后它的漏端形成了空间电荷区,由于空间电荷区的高电场作用,在沟道中的电荷当遇到这个区域时会很快的被扫到漏端,即其导电机理.而对于Vd,此时分为两步分一部分为Vt另一部分为空间电荷区的电压降,而此时由于有效的L减小 从而Vt减小了一点,Vd的增加的部分完全用于补偿漏端的空间电荷区的电压降了.造成了我们能够观察到的饱和Id.
@赖天3126：pmos晶体管的工作原理 -
华耿15941296456…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@赖天3126：nmos管导通饱和截止条件 -
华耿15941296456…… PMOS增强型管:uG-uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压; NMOS增强型管:uG-uS>0,且 |uG-uS|>|uGS(th)| ,uGS|th|是开启电压; PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压.NMOS相反.
@赖天3126：N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别 -
华耿15941296456…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道. 2、控制方法是不一样的.耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的 增强型NMOS,都是正电压控制的.
@赖天3126：MOS管导通方式 -
华耿15941296456…… N MOS增强型需要在Vgs加入正电压 才能导通, 如下图所示
@赖天3126：版图里NMOS的n+ implant层和diffusion 层的区别 -
华耿15941296456…… 首先明确一点,这里说的UGS不能小于0不是说小于0是会出现什么问题,而是说小于0是它不工作.因为在实际电路中任何情况都是可能的. N沟道增强型绝缘栅场效应管就是增强型NMOS. 先从NMOS的工作原理讲起: 对于增强型NMOS,绝...
@赖天3126：什么是增强型MOS管?什么是增强型MOS管?什么是耗尽型MOS管
华耿15941296456…… 增强型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面没有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压大于0;PMOS,小于0.耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0.通过改变有源区的掺杂浓度,控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料,可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET.
@赖天3126：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? -
华耿15941296456…… NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
@赖天3126：为什么加低电压,N沟道增强型MOS管截止 -
华耿15941296456…… 对增强型NMOS来说,他的衬底是P型的,源和漏是N型的,只有在栅上加一个足够的电压,使得器件沟道形成一个反型层(n)才能打开器件. 我们叫这个电压为阈值电压,当低于这个电压的时候,管子没有进入强反型,电流能力很弱,当太低的时候就截止了. 建议看看半导体物理,希望对你有帮助.
