n沟道耗尽型mos管工作原理
@微阮2011：NMOS晶体管的工作原理 -
融软15740932169…… N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分. 转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同...
@微阮2011：耗尽型场效应管在UGS为正,为负,为0三种情况下,都有可能工作在恒流区. -
融软15740932169…… 这个很简单.关键在于MOS管的结构和工作原理.你的不足在于,没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子,衬底是B,而且是P型半导体,B与源极S连在一起.当GS为正电压时,G上为正电,会把衬底中的电子地吸引到G的对面(不会到...
@微阮2011：N沟道耗尽型和增强型 MO S管的工作原理? -
融软15740932169…… 都市电压控制型场效应管,
@微阮2011：MOS管的工作原理是怎样的? -
融软15740932169…… 简单的说MOS管通过沟道导电,沟道上的栅极偏压不同可以控制沟道导电电阻,从而达到饱和导通或者完全关闭(夹断).具体的在模拟电子线路或者半导体技术的书上讲的详细.
@微阮2011：mos晶体管的工作原理 -
融软15740932169…… 原发布者:王立伟24 第三章场效应管放大器3.1场效应管绝缘栅场效应管结型场效应管3.2场效应管放大电路效应管放大器的静态偏置效应管放大器的交流小信号模型效应管放大电路3.1场效应管BJT是一种电流控制元件(iB~iC),工作时,多数...
@微阮2011：MOS管导电沟道形成原理 - 作业帮
融软15740932169…… [答案] 这是P和N半导体相互浸入形成的. 如果外部不加控制电压就有导电沟道的是耗尽型 如果需要外部加控制电压才有导电沟道的是增强型.
@微阮2011：N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别 -
融软15740932169…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道. 2、控制方法是不一样的.耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的 增强型NMOS,都是正电压控制的.
@微阮2011：关于N沟道mos管的原理:书上说随UDS增大,导电沟道中的横向电场增强,方向由漏区指向源区 -
融软15740932169…… 源电压高到一定程度(其实就是预夹断之后),UGD的电压会呈现反压,也就是在反型层所在的沟道中出现空间电荷区,ID要从D到S,需要克服一段空间电荷区(耗尽层),这时候,MOSFET呈现得是一种放大状态.但如果UDS继续上升,空间电荷区继续扩张,会逐步挤占反型层的空间,直到反型层(其实反型层也是沟道的一部分)全部被挤占完毕,如果UDS继续上升,则会出现击穿
@微阮2011：MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件 -
融软15740932169…… MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上.2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省.3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中. MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和...
@微阮2011：什么叫mos场效应管 -
融软15740932169…… 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...
融软15740932169…… N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分. 转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同...
@微阮2011：耗尽型场效应管在UGS为正,为负,为0三种情况下,都有可能工作在恒流区. -
融软15740932169…… 这个很简单.关键在于MOS管的结构和工作原理.你的不足在于,没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子,衬底是B,而且是P型半导体,B与源极S连在一起.当GS为正电压时,G上为正电,会把衬底中的电子地吸引到G的对面(不会到...
@微阮2011：N沟道耗尽型和增强型 MO S管的工作原理? -
融软15740932169…… 都市电压控制型场效应管,
@微阮2011：MOS管的工作原理是怎样的? -
融软15740932169…… 简单的说MOS管通过沟道导电,沟道上的栅极偏压不同可以控制沟道导电电阻,从而达到饱和导通或者完全关闭(夹断).具体的在模拟电子线路或者半导体技术的书上讲的详细.
@微阮2011：mos晶体管的工作原理 -
融软15740932169…… 原发布者:王立伟24 第三章场效应管放大器3.1场效应管绝缘栅场效应管结型场效应管3.2场效应管放大电路效应管放大器的静态偏置效应管放大器的交流小信号模型效应管放大电路3.1场效应管BJT是一种电流控制元件(iB~iC),工作时,多数...
@微阮2011：MOS管导电沟道形成原理 - 作业帮
融软15740932169…… [答案] 这是P和N半导体相互浸入形成的. 如果外部不加控制电压就有导电沟道的是耗尽型 如果需要外部加控制电压才有导电沟道的是增强型.
@微阮2011：N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别 -
融软15740932169…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道. 2、控制方法是不一样的.耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的 增强型NMOS,都是正电压控制的.
@微阮2011：关于N沟道mos管的原理:书上说随UDS增大,导电沟道中的横向电场增强,方向由漏区指向源区 -
融软15740932169…… 源电压高到一定程度(其实就是预夹断之后),UGD的电压会呈现反压,也就是在反型层所在的沟道中出现空间电荷区,ID要从D到S,需要克服一段空间电荷区(耗尽层),这时候,MOSFET呈现得是一种放大状态.但如果UDS继续上升,空间电荷区继续扩张,会逐步挤占反型层的空间,直到反型层(其实反型层也是沟道的一部分)全部被挤占完毕,如果UDS继续上升,则会出现击穿
@微阮2011：MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件 -
融软15740932169…… MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上.2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省.3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中. MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和...
@微阮2011：什么叫mos场效应管 -
融软15740932169…… 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...
