耗尽型mos管导通的条件
@阙强321：谁能简明扼要介绍MOS 管,包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异? -
景俭15348762010…… 其实网上这方面资料有的是,你也应该看到不少.我说说我自己的理解. 关于MOS管记住几点就可以了 1、P和N .这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5...
@阙强321：N沟道耗尽型MOSFET源栅漏极电压关系为什么时处于导通状态 -
景俭15348762010…… 例如,对于耗尽型n-MOSFET,在栅电压为0时即存在电子导电的沟道,就是线性导通状态;只有加上一定的栅极电压(负电压)后才能使沟道消失(整个沟道夹断),这时的栅电压称为”夹断电压”Vp,也就是耗尽型FET的阈值电压,当“源...
@阙强321：结型、MOS 增强性、耗尽型都是如何完全导通的? -
景俭15348762010…… 结型和耗尽型沟道是已经存在的 增强型P沟道的栅极对源极加的是负电压 我们知道P型半导体的多子是空穴,带正电荷,怎样才能在靠近栅极的N型半导体形成P型呢,把衬底里面的正电荷吸引过来就行(比如学校里面老师少学生多,我们可以通知老师到一个地方去,在学校的这个地方就是老师比学生多了),这样源极和漏极这两快P形半导体之间再也不是N型的半导体,而是P型(叫反型层)的了,既然都一样,没有了PN结的反向截止,导电沟道就形成了. 增强型P沟道的栅极对源极加的是负电压就是为了吸引带正电荷的空穴
@阙强321：NMOS管子的问题 -
景俭15348762010…… 耗尽型MOS管在 常态是导通的,需要加反向的夹断电压才能关断.因此不适用于单电源的开关电路.个人理解.
@阙强321：耗尽型和增强型的mos管使用上有什么区别 -
景俭15348762010…… 耗尽型与增强型都属于MOS管(绝缘栅型场效应管).前者在不加栅源电压时漏极和源极为耗尽层不能导通,而且工作是栅源电压只能是正向的;增强型则可以导通,栅源电压可正可负.
@阙强321：请问场效应管的工作条件 -
景俭15348762010…… 场效应管一般工作在开关状态,即在饱和和截止区之间转换. 具体要求一般是: 栅极(G)与源极(S)之间的电压高于开启电压(Ugs(th),场效应管的datasheet里面有,一般是2-4V),又小于8V左右时,漏源电压(UDS)小于漏源击穿电压(BUDS)时,场效应管可以工作在饱和区. 截止区的条件就很简单了,只要Ugs小于开启电压即可. 按照我以前的经验,UGS最好不要太小,靠近8V这样会好一些,导通电阻Rds会小一些,整个管子的功耗也可以小一点.
@阙强321：P型MOS管的导通条件是什么?是不是 uG - uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压 - 作业帮
景俭15348762010…… [答案] 对PMOS增强型管是正确的,耗尽型则不同.
@阙强321：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? - 作业帮
景俭15348762010…… [答案] NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数. 耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,...
@阙强321：对于耗尽型N沟道MOS管,为什么栅源之间电压在小于零等于零和大于零的一定范围内均能正常工作? -
景俭15348762010…… 工作是什么意思?就是起作用,起到我们想要它实现得功能得作用,当然就是导通得意思. 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产...
@阙强321：耗尽形N沟道mos夹断 -
景俭15348762010…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在g端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道.2、控制方法是不一样的.耗尽型ugs可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得ugs>ugs(th)才行,一般的 增强型nmos,都是正电压控制的.
景俭15348762010…… 其实网上这方面资料有的是,你也应该看到不少.我说说我自己的理解. 关于MOS管记住几点就可以了 1、P和N .这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5...
@阙强321：N沟道耗尽型MOSFET源栅漏极电压关系为什么时处于导通状态 -
景俭15348762010…… 例如,对于耗尽型n-MOSFET,在栅电压为0时即存在电子导电的沟道,就是线性导通状态;只有加上一定的栅极电压(负电压)后才能使沟道消失(整个沟道夹断),这时的栅电压称为”夹断电压”Vp,也就是耗尽型FET的阈值电压,当“源...
@阙强321：结型、MOS 增强性、耗尽型都是如何完全导通的? -
景俭15348762010…… 结型和耗尽型沟道是已经存在的 增强型P沟道的栅极对源极加的是负电压 我们知道P型半导体的多子是空穴,带正电荷,怎样才能在靠近栅极的N型半导体形成P型呢,把衬底里面的正电荷吸引过来就行(比如学校里面老师少学生多,我们可以通知老师到一个地方去,在学校的这个地方就是老师比学生多了),这样源极和漏极这两快P形半导体之间再也不是N型的半导体,而是P型(叫反型层)的了,既然都一样,没有了PN结的反向截止,导电沟道就形成了. 增强型P沟道的栅极对源极加的是负电压就是为了吸引带正电荷的空穴
@阙强321：NMOS管子的问题 -
景俭15348762010…… 耗尽型MOS管在 常态是导通的,需要加反向的夹断电压才能关断.因此不适用于单电源的开关电路.个人理解.
@阙强321：耗尽型和增强型的mos管使用上有什么区别 -
景俭15348762010…… 耗尽型与增强型都属于MOS管(绝缘栅型场效应管).前者在不加栅源电压时漏极和源极为耗尽层不能导通,而且工作是栅源电压只能是正向的;增强型则可以导通,栅源电压可正可负.
@阙强321：请问场效应管的工作条件 -
景俭15348762010…… 场效应管一般工作在开关状态,即在饱和和截止区之间转换. 具体要求一般是: 栅极(G)与源极(S)之间的电压高于开启电压(Ugs(th),场效应管的datasheet里面有,一般是2-4V),又小于8V左右时,漏源电压(UDS)小于漏源击穿电压(BUDS)时,场效应管可以工作在饱和区. 截止区的条件就很简单了,只要Ugs小于开启电压即可. 按照我以前的经验,UGS最好不要太小,靠近8V这样会好一些,导通电阻Rds会小一些,整个管子的功耗也可以小一点.
@阙强321：P型MOS管的导通条件是什么?是不是 uG - uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压 - 作业帮
景俭15348762010…… [答案] 对PMOS增强型管是正确的,耗尽型则不同.
@阙强321：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? - 作业帮
景俭15348762010…… [答案] NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数. 耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,...
@阙强321：对于耗尽型N沟道MOS管,为什么栅源之间电压在小于零等于零和大于零的一定范围内均能正常工作? -
景俭15348762010…… 工作是什么意思?就是起作用,起到我们想要它实现得功能得作用,当然就是导通得意思. 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产...
@阙强321：耗尽形N沟道mos夹断 -
景俭15348762010…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在g端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道.2、控制方法是不一样的.耗尽型ugs可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得ugs>ugs(th)才行,一般的 增强型nmos,都是正电压控制的.
