mos管高电平导通
@韩红1182：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
纪储15262925361…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@韩红1182：此MOS管的作用 . -
纪储15262925361…… 高电平来临时,MOS管Tn导通,有电流从电阻和发光二极管上流过,发光二极管导通,发光二极管导通时发出的光使光耦隔离另一部分的晶体管感生出电流,从而输出电流.510欧的电阻应该是起到限流电阻的作用.另外光耦隔离结构内,由于器件之间并没有电连接,所以能起到信号隔离的作用.而信号的传递,则是通过电产生光,继而光又感生电得到的.
@韩红1182：这种情况下三极管输入高电平,MOS导通吗??三极管连接MOS管的那段输出是高电平还是低电平 -
纪储15262925361…… 是的,因为Q1是P沟道MOS管,但Vgs小於一定值时,Q1就会导通(你图Q1错了,在高端驱动情况下,S极应接在VCC的R51那边). 当Q2输入低电平时Q2截止,Q1的G极通过R51,使G极电平等於S极,所以Q1也截止. 当Q2输入高电平时Q2导通,Q1的G极通过R50拉低,使Vgs小於导通阀值,Q1导通,输出高电平(电压).
@韩红1182：MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低? -
纪储15262925361…… MOS管PDF中都有一个Vth的参数,这个参数是MOS开通的门限电压,当MOS管GS两端电压低于此电压时为低,高于此电压时开始导通,当高于Vmiller(这个PDF中不一定有)电压后完全导通.
@韩红1182：MOS管当电子开关使用中的疑问? -
纪储15262925361…… 第一个图你的理解是没有问题的.但是第二个图有严重问题.你可能认为给一个高电平,三极管输出高电平(约12V),MOS管导通.但是假如三极管导通,从三极管输出的电压比IO口电压还要小一个导通压降0.7v.另外发射结要经过一个电阻接地,不然12v和地就短路了.
@韩红1182：请教场效应管的简单接法 -
纪储15262925361…… 举例说明,左图为N沟道场效应管(型号IRF630),右图为P沟道场效应管(型号IRF9640),电源电压12V,具体到你这个电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法. 场效...
@韩红1182：CMOS逻辑电路的MOS参数 -
纪储15262925361…… 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...
@韩红1182：请问这个电路里面P0.3低电平的时候为什么MOS管导通? -
纪储15262925361…… 图中的MOS管为P沟道增强型场效应管,其开启电压为高电平,即当其栅极为高电平时,该MOS管导通. 当P0.3为低电平时,9013截止,集电极为高电平,故MOS管导通.
@韩红1182：功率开关管(MOS)如何控制电压输出?
纪储15262925361…… (1有三只脚,其中G是栅极,对P沟道MOS管,高电平导通;对N沟道MOS管,低电平导通.关键的是处于下桥电路的N沟道MOS才真正控制输出电压. (2)电路中有PWM调制电路,由调速霍尔调制其占空比例.根据PWM占空比,开关管MOS导通为开、截止为关,由开和关在一个周期内所占时间比例不同来决定输出电压高低,比如在一个周期内,导通时间占60%、截止时间占40%,则占空比为6:4,或称占空比为60%. 要提高输出电压,应提高占空比,即导通时间增多,截止时间减少,电动机就会提高转速.
@韩红1182：mos管栅极和源级之间的关系?如下图!!!坐等 -
纪储15262925361…… 还有你说的mos管导通其实与栅极没有多大关系,栅极加电压只是开启导电沟,也就是栅极就是阀门.高电压开低电压关.漏源之间并联的二极管时寄生二极管,有的大功率MOS管自身携带,由工艺决定.不是人为制作,你就看做事他具备这个特性.有的MOS管没有这个寄生二极管的.
纪储15262925361…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@韩红1182：此MOS管的作用 . -
纪储15262925361…… 高电平来临时,MOS管Tn导通,有电流从电阻和发光二极管上流过,发光二极管导通,发光二极管导通时发出的光使光耦隔离另一部分的晶体管感生出电流,从而输出电流.510欧的电阻应该是起到限流电阻的作用.另外光耦隔离结构内,由于器件之间并没有电连接,所以能起到信号隔离的作用.而信号的传递,则是通过电产生光,继而光又感生电得到的.
@韩红1182：这种情况下三极管输入高电平,MOS导通吗??三极管连接MOS管的那段输出是高电平还是低电平 -
纪储15262925361…… 是的,因为Q1是P沟道MOS管,但Vgs小於一定值时,Q1就会导通(你图Q1错了,在高端驱动情况下,S极应接在VCC的R51那边). 当Q2输入低电平时Q2截止,Q1的G极通过R51,使G极电平等於S极,所以Q1也截止. 当Q2输入高电平时Q2导通,Q1的G极通过R50拉低,使Vgs小於导通阀值,Q1导通,输出高电平(电压).
@韩红1182：MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低? -
纪储15262925361…… MOS管PDF中都有一个Vth的参数,这个参数是MOS开通的门限电压,当MOS管GS两端电压低于此电压时为低,高于此电压时开始导通,当高于Vmiller(这个PDF中不一定有)电压后完全导通.
@韩红1182：MOS管当电子开关使用中的疑问? -
纪储15262925361…… 第一个图你的理解是没有问题的.但是第二个图有严重问题.你可能认为给一个高电平,三极管输出高电平(约12V),MOS管导通.但是假如三极管导通,从三极管输出的电压比IO口电压还要小一个导通压降0.7v.另外发射结要经过一个电阻接地,不然12v和地就短路了.
@韩红1182：请教场效应管的简单接法 -
纪储15262925361…… 举例说明,左图为N沟道场效应管(型号IRF630),右图为P沟道场效应管(型号IRF9640),电源电压12V,具体到你这个电路中,图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值,从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法. 场效...
@韩红1182：CMOS逻辑电路的MOS参数 -
纪储15262925361…… 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...
@韩红1182：请问这个电路里面P0.3低电平的时候为什么MOS管导通? -
纪储15262925361…… 图中的MOS管为P沟道增强型场效应管,其开启电压为高电平,即当其栅极为高电平时,该MOS管导通. 当P0.3为低电平时,9013截止,集电极为高电平,故MOS管导通.
@韩红1182：功率开关管(MOS)如何控制电压输出?
纪储15262925361…… (1有三只脚,其中G是栅极,对P沟道MOS管,高电平导通;对N沟道MOS管,低电平导通.关键的是处于下桥电路的N沟道MOS才真正控制输出电压. (2)电路中有PWM调制电路,由调速霍尔调制其占空比例.根据PWM占空比,开关管MOS导通为开、截止为关,由开和关在一个周期内所占时间比例不同来决定输出电压高低,比如在一个周期内,导通时间占60%、截止时间占40%,则占空比为6:4,或称占空比为60%. 要提高输出电压,应提高占空比,即导通时间增多,截止时间减少,电动机就会提高转速.
@韩红1182：mos管栅极和源级之间的关系?如下图!!!坐等 -
纪储15262925361…… 还有你说的mos管导通其实与栅极没有多大关系,栅极加电压只是开启导电沟,也就是栅极就是阀门.高电压开低电压关.漏源之间并联的二极管时寄生二极管,有的大功率MOS管自身携带,由工艺决定.不是人为制作,你就看做事他具备这个特性.有的MOS管没有这个寄生二极管的.
