n沟道mos管电流流向
@申炭5194：n沟道mos管,为什么电流必须从D进入从s流出 -
东红18994715285…… 反过来流动也是可以的.1. 对于普通水平导电的MOSFET,D极与S极是可以互换的,没有“必须”一说.2. 对于V-MOSFET,因为存在反向的底村寄生二极管,D、S不再对称,反向电流可以不受栅极电压控制,通过二极管继续流通.
@申炭5194：比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... -
东红18994715285…… 电流只经过沟道,不经过衬底,没毛病.这里的沟道也叫“反型层”. 沟道的作用:连接两个N掺杂区,这样就可以导通了.沟道来自于P掺杂区,因为G极和衬底B之间电场的作用,电子大量聚集在G极这里,所以这一块的P区就变成了N区(所...
@申炭5194：在电子技术中:论电流方向来说N沟道MOS管与PNP晶体管这种流向是不是一样的? -
东红18994715285…… 理想的mos管,不管nmos还是pmos,沟道打开的时候,电流可从源到漏,也可从漏到源.但是实际的mos管,由于制造工艺的原因,在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管.由于这个寄生二极管的存在,当沟道关闭后,mos管源漏之间仍然能够单向导电.因此,为了让mos管正常工作,必须保证该寄生二极管处于反偏.具体来说,对于nmos,寄生二极管方向是从源到漏,因此电路上电流应该从漏到源,即漏极电位高于源极才能正常工作;而pmos则相反.可简单归纳为“n正驱(栅极电位高于硅基底)反通(漏极高于源极),p反驱正通”
@申炭5194：N沟道mos管源极电流可以向漏极流吗? -
东红18994715285…… 功率MOS管通常内部有一个反接的二极管, 就是说源极S电流可以向漏极D流. 我怎么在IR公司的官网上都找不到 IRF907Z ??!!
@申炭5194：如何通过MOS管实现理想二极管 -
东红18994715285…… 只要加适当的电压,将MOS导通就可以了.比如N沟MOS管,在GS两个脚加正电压,这时2A电流从S到D流过却可.如果MOS不导通,电流也可以从S到D流过,因为管内有二极管.(MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D.)
@申炭5194：MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件 -
东红18994715285…… MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上.2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省.3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中. MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和...
@申炭5194：数电中N沟道增强型MOS管为防止有电流从衬底流向流向源极和导电沟道,通常将衬底与源极相连接 -
东红18994715285…… 1、防止有电流从衬底流向流向源极和导电沟道,这里是防止衬底与源极的PN结导通,导通了的话,就会有电流从衬底的低掺杂的P型硅片流向源极的高掺杂N+区. 2、将衬底与源极相连接,两者的电位就相同了,没有正向压降,两者间的PN结就不会导通,从而就不会有电流流过PN结. 3、也可以不连接衬底与源极,但是要保证衬—源之间电压U(BS)使衬—源之间PN结反向偏置.这样也不会有电流从衬底经过PN结流向源极. 你自己再把书仔仔细细看看,这问题问老师,估计会挨骂.
@申炭5194：mos管,三极管,问一下大家电流的流向问题 -
东红18994715285…… N沟道MOS管相当于NPN型管,P沟道MOS管相当于PNP型管电流流向一个道理
@申炭5194：MOS管的源极,漏极,栅极是不是联通的,电流是什么走向?
东红18994715285…… 栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反.而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样.
@申炭5194：mos如何管构成二极管 -
东红18994715285…… 对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET,漏极到源极之间有一个本体二极管,其特性是:电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流,耐压=场效应管耐压,方向N沟道的是源极为正、漏极为负,P沟道相反! 只要加适当的电...
东红18994715285…… 反过来流动也是可以的.1. 对于普通水平导电的MOSFET,D极与S极是可以互换的,没有“必须”一说.2. 对于V-MOSFET,因为存在反向的底村寄生二极管,D、S不再对称,反向电流可以不受栅极电压控制,通过二极管继续流通.
@申炭5194：比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... -
东红18994715285…… 电流只经过沟道,不经过衬底,没毛病.这里的沟道也叫“反型层”. 沟道的作用:连接两个N掺杂区,这样就可以导通了.沟道来自于P掺杂区,因为G极和衬底B之间电场的作用,电子大量聚集在G极这里,所以这一块的P区就变成了N区(所...
@申炭5194：在电子技术中:论电流方向来说N沟道MOS管与PNP晶体管这种流向是不是一样的? -
东红18994715285…… 理想的mos管,不管nmos还是pmos,沟道打开的时候,电流可从源到漏,也可从漏到源.但是实际的mos管,由于制造工艺的原因,在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管.由于这个寄生二极管的存在,当沟道关闭后,mos管源漏之间仍然能够单向导电.因此,为了让mos管正常工作,必须保证该寄生二极管处于反偏.具体来说,对于nmos,寄生二极管方向是从源到漏,因此电路上电流应该从漏到源,即漏极电位高于源极才能正常工作;而pmos则相反.可简单归纳为“n正驱(栅极电位高于硅基底)反通(漏极高于源极),p反驱正通”
@申炭5194：N沟道mos管源极电流可以向漏极流吗? -
东红18994715285…… 功率MOS管通常内部有一个反接的二极管, 就是说源极S电流可以向漏极D流. 我怎么在IR公司的官网上都找不到 IRF907Z ??!!
@申炭5194：如何通过MOS管实现理想二极管 -
东红18994715285…… 只要加适当的电压,将MOS导通就可以了.比如N沟MOS管,在GS两个脚加正电压,这时2A电流从S到D流过却可.如果MOS不导通,电流也可以从S到D流过,因为管内有二极管.(MOS管导通后电流可以从D流向S也可以从S流向D.)
@申炭5194：MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件 -
东红18994715285…… MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上.2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省.3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中. MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和...
@申炭5194：数电中N沟道增强型MOS管为防止有电流从衬底流向流向源极和导电沟道,通常将衬底与源极相连接 -
东红18994715285…… 1、防止有电流从衬底流向流向源极和导电沟道,这里是防止衬底与源极的PN结导通,导通了的话,就会有电流从衬底的低掺杂的P型硅片流向源极的高掺杂N+区. 2、将衬底与源极相连接,两者的电位就相同了,没有正向压降,两者间的PN结就不会导通,从而就不会有电流流过PN结. 3、也可以不连接衬底与源极,但是要保证衬—源之间电压U(BS)使衬—源之间PN结反向偏置.这样也不会有电流从衬底经过PN结流向源极. 你自己再把书仔仔细细看看,这问题问老师,估计会挨骂.
@申炭5194：mos管,三极管,问一下大家电流的流向问题 -
东红18994715285…… N沟道MOS管相当于NPN型管,P沟道MOS管相当于PNP型管电流流向一个道理
@申炭5194：MOS管的源极,漏极,栅极是不是联通的,电流是什么走向?
东红18994715285…… 栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反.而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样.
@申炭5194：mos如何管构成二极管 -
东红18994715285…… 对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET,漏极到源极之间有一个本体二极管,其特性是:电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流,耐压=场效应管耐压,方向N沟道的是源极为正、漏极为负,P沟道相反! 只要加适当的电...
