nmos管饱和区电流公式
@贝勇3976：MOS管的漏极饱和电流公式中,Cox是什么 -
姚萧18594401717…… 是氧化层电容,其中OX即是氧化层的缩写
@贝勇3976：三极管饱和的基极电流怎么计算 -
姚萧18594401717…… 首先确定集电极饱和电流Ics,忽略集电极饱和压降,Ics=Vcc/RL,三极管电流放大系数取较低值即可,如HFE=50左右.则饱和状态时的基极电流应大于Ib=Ics/HFE,一般取2倍Ib.上述方法适宜于深度饱和电路,一般用于控制电路及低速开关电路.
@贝勇3976：NMOS晶体管的工作原理 -
姚萧18594401717…… N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分. 转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同...
@贝勇3976：驱动MOS管的驱动电流怎样计算? -
姚萧18594401717…… 1. Q5为NMOS管,R12为限流电阻(或是偏置电阻),源漏之间的二极管为保护二极管. 2. 源极接地,电压为0,当栅极(即图中右眼驱动1)的电压大于开启电压Vth(一般为0.7V)时,就可在源漏之间形成导电沟道,产生电流. 3. 栅极未加...
@贝勇3976：如何调整mos管使其工作在饱和状态 -
姚萧18594401717…… 1、MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容). 2、MOS管的导通是一个过程,你需要仔仔细细看一...
@贝勇3976：为什么要让电流镜所有管子工作在饱和区 -
姚萧18594401717…… 为什么要让电流镜所有管子工作在饱和区?这句话是针对mos管来说的,因为当mos进入饱和区后,其电流方程为I=0.5k(w/l)(Vgs-Vth)^2 , Vds对电流影响可以忽略.因此要求mos的镜像电流源要工作在饱和区. (对于bipolar三极管镜像恒流源三极管要工作在放大区,也就是线性区)
@贝勇3976：MOS管在截止区时,它的截止电流公式是什么? 求大婶助我..... -
姚萧18594401717…… 截止区的时候,就是相当于MOS管内部的导电沟道被抵消了 这个时候是没有电流的 只有少部分漏电流 具体的值参考MOS管手册提供的参数.
@贝勇3976：nmos管导通饱和截止条件 -
姚萧18594401717…… PMOS增强型管:uG-uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压; NMOS增强型管:uG-uS>0,且 |uG-uS|>|uGS(th)| ,uGS|th|是开启电压; PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压.NMOS相反.
@贝勇3976：三极管饱和区的各极电流怎么判断 -
姚萧18594401717…… 基极流到发射极,集电极流到发射极,Ib+Ic=Ie.三极管饱和后相当于开关闭合,因为此时ce之间的电压降很小0.2V左右.饱和后Vc
@贝勇3976：基极电流达到多少时三极管饱和?比如9013、9012之类的. -
姚萧18594401717…… 这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的: 假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5ma,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA,那么基极电流大于50μA就可以饱和. 对于...
姚萧18594401717…… 是氧化层电容,其中OX即是氧化层的缩写
@贝勇3976：三极管饱和的基极电流怎么计算 -
姚萧18594401717…… 首先确定集电极饱和电流Ics,忽略集电极饱和压降,Ics=Vcc/RL,三极管电流放大系数取较低值即可,如HFE=50左右.则饱和状态时的基极电流应大于Ib=Ics/HFE,一般取2倍Ib.上述方法适宜于深度饱和电路,一般用于控制电路及低速开关电路.
@贝勇3976：NMOS晶体管的工作原理 -
姚萧18594401717…… N沟道增强型MOS管的输出特性曲线与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分. 转移特性曲线由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同...
@贝勇3976：驱动MOS管的驱动电流怎样计算? -
姚萧18594401717…… 1. Q5为NMOS管,R12为限流电阻(或是偏置电阻),源漏之间的二极管为保护二极管. 2. 源极接地,电压为0,当栅极(即图中右眼驱动1)的电压大于开启电压Vth(一般为0.7V)时,就可在源漏之间形成导电沟道,产生电流. 3. 栅极未加...
@贝勇3976：如何调整mos管使其工作在饱和状态 -
姚萧18594401717…… 1、MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容). 2、MOS管的导通是一个过程,你需要仔仔细细看一...
@贝勇3976：为什么要让电流镜所有管子工作在饱和区 -
姚萧18594401717…… 为什么要让电流镜所有管子工作在饱和区?这句话是针对mos管来说的,因为当mos进入饱和区后,其电流方程为I=0.5k(w/l)(Vgs-Vth)^2 , Vds对电流影响可以忽略.因此要求mos的镜像电流源要工作在饱和区. (对于bipolar三极管镜像恒流源三极管要工作在放大区,也就是线性区)
@贝勇3976：MOS管在截止区时,它的截止电流公式是什么? 求大婶助我..... -
姚萧18594401717…… 截止区的时候,就是相当于MOS管内部的导电沟道被抵消了 这个时候是没有电流的 只有少部分漏电流 具体的值参考MOS管手册提供的参数.
@贝勇3976：nmos管导通饱和截止条件 -
姚萧18594401717…… PMOS增强型管:uG-uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压; NMOS增强型管:uG-uS>0,且 |uG-uS|>|uGS(th)| ,uGS|th|是开启电压; PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压.NMOS相反.
@贝勇3976：三极管饱和区的各极电流怎么判断 -
姚萧18594401717…… 基极流到发射极,集电极流到发射极,Ib+Ic=Ie.三极管饱和后相当于开关闭合,因为此时ce之间的电压降很小0.2V左右.饱和后Vc
@贝勇3976：基极电流达到多少时三极管饱和?比如9013、9012之类的. -
姚萧18594401717…… 这个值应该是不固定的,它和集电极负载、β值有关,估算是这样的: 假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5ma,用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA,那么基极电流大于50μA就可以饱和. 对于...
