mos管的饱和区和非饱和区
@阳彭4811：请问MOS管的有源导通区是不是就是常说的非饱和区,而线性导通区就是指饱和区? - 作业帮
强堵17065463112…… [答案] 答:你看这张图片,你就知道了,和你的理解刚好相反.有源导通区应该指饱和区,而线性导通区是非饱和区.
@阳彭4811：MOS管输出特性曲线有三个区分别是 -
强堵17065463112…… 在曲线中,工作区可分为三部分: 可调电阻区(或称非饱和区); 饱和区; 击穿区.
@阳彭4811：如何调整mos管使其工作在饱和状态 -
强堵17065463112…… 1、MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容). 2、MOS管的导通是一个过程,你需要仔仔细细看一...
@阳彭4811：电力场效应管的电力MOSFET的基本特性 -
强堵17065463112…… (1)漏极电流ID和栅源间电压 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性. ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs. (2)MOSFET的漏极伏安特性(即输出特性): 截止区(对应于GTR的截止区) 饱和区...
@阳彭4811：mosfet漏电流不饱和原因 -
强堵17065463112…… VDS<=VGS,处于非饱和区,所以漏电流没饱和,另外即使是处于饱和区的mosfet也会由于沟道长度调制效应,漏电流也会随VDS增加而缓慢增加. 补充:你找一本半导体器件的书找到MOS器件看看他的沟道宽度调制效应就知道了.简单说就是随着VDS增大,沟道长度变短,沟道电阻将减小,而在有效沟道上的压降仍保持VDsat不变,所以沟道电流就会增大.这就是在饱和区中,漏电流随VDS增大而略有增大的原因.MOS器件还有很多二阶效应,如果楼主真的想全搞懂,还是借本半导体物理和器件的教材,推倒比较多.
@阳彭4811：MOS管 输出特性曲线 -
强堵17065463112…… 称非饱和区);饱和区;击穿区.
@阳彭4811：怎样判断MOS管是否工作在“开关状态” -
强堵17065463112…… mos管的放大区就是饱和区,mos的三种状态没有击穿区,是截至区 ,击穿区可以定义为第四种状态.
@阳彭4811：电力场效应管的场效应管 -
强堵17065463112…… 电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的mos型(metal oxide semiconductor fet),简称电力mosfet(power mosfet) 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(static induction transistor——sit). ...
@阳彭4811：pmos晶体管的工作原理 -
强堵17065463112…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
强堵17065463112…… [答案] 答:你看这张图片,你就知道了,和你的理解刚好相反.有源导通区应该指饱和区,而线性导通区是非饱和区.
@阳彭4811：MOS管输出特性曲线有三个区分别是 -
强堵17065463112…… 在曲线中,工作区可分为三部分: 可调电阻区(或称非饱和区); 饱和区; 击穿区.
@阳彭4811：如何调整mos管使其工作在饱和状态 -
强堵17065463112…… 1、MOS管的三个区:可变电阻区(对应三极管的饱和区),恒流区(对应三极管的放大区),夹断区(对应三极管的截止区),还有一个击穿区(对应三极管的击穿区,属于电力电子内容). 2、MOS管的导通是一个过程,你需要仔仔细细看一...
@阳彭4811：电力场效应管的电力MOSFET的基本特性 -
强堵17065463112…… (1)漏极电流ID和栅源间电压 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性. ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs. (2)MOSFET的漏极伏安特性(即输出特性): 截止区(对应于GTR的截止区) 饱和区...
@阳彭4811：mosfet漏电流不饱和原因 -
强堵17065463112…… VDS<=VGS,处于非饱和区,所以漏电流没饱和,另外即使是处于饱和区的mosfet也会由于沟道长度调制效应,漏电流也会随VDS增加而缓慢增加. 补充:你找一本半导体器件的书找到MOS器件看看他的沟道宽度调制效应就知道了.简单说就是随着VDS增大,沟道长度变短,沟道电阻将减小,而在有效沟道上的压降仍保持VDsat不变,所以沟道电流就会增大.这就是在饱和区中,漏电流随VDS增大而略有增大的原因.MOS器件还有很多二阶效应,如果楼主真的想全搞懂,还是借本半导体物理和器件的教材,推倒比较多.
@阳彭4811：MOS管 输出特性曲线 -
强堵17065463112…… 称非饱和区);饱和区;击穿区.
@阳彭4811：怎样判断MOS管是否工作在“开关状态” -
强堵17065463112…… mos管的放大区就是饱和区,mos的三种状态没有击穿区,是截至区 ,击穿区可以定义为第四种状态.
@阳彭4811：电力场效应管的场效应管 -
强堵17065463112…… 电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的mos型(metal oxide semiconductor fet),简称电力mosfet(power mosfet) 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(static induction transistor——sit). ...
@阳彭4811：pmos晶体管的工作原理 -
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