增强型nmos管的截止条件
@岳帖2892：N沟道增强型MOS开关的截止条件是什么? -
卓孔18832395688…… N沟道增强型MOS开关的截止条件是G、S极间的电压Ugs大于或等于Ugs(th)(也用UT表示)、D、S极间的电压Uds大于0.
@岳帖2892：nmos管导通饱和截止条件 -
卓孔18832395688…… PMOS增强型管:uG-uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压; NMOS增强型管:uG-uS>0,且 |uG-uS|>|uGS(th)| ,uGS|th|是开启电压; PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压.NMOS相反.
@岳帖2892：为什么加低电压,N沟道增强型MOS管截止 -
卓孔18832395688…… 对增强型NMOS来说,他的衬底是P型的,源和漏是N型的,只有在栅上加一个足够的电压,使得器件沟道形成一个反型层(n)才能打开器件. 我们叫这个电压为阈值电压,当低于这个电压的时候,管子没有进入强反型,电流能力很弱,当太低的时候就截止了. 建议看看半导体物理,希望对你有帮助.
@岳帖2892：什么条件下可以将N沟道增强型Mos管近似看作一个理想开关 -
卓孔18832395688…… 最好是让MOS管处于饱和和截止状态的时候,具体的要求是. 截止:Ugs<0,关断效果更好]; 饱和:UDS
@岳帖2892：什么是增强型MOS管?什么是增强型MOS管?什么是耗尽型MOS管
卓孔18832395688…… 增强型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面没有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压大于0;PMOS,小于0.耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0.通过改变有源区的掺杂浓度,控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料,可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET.
@岳帖2892：增强型mosfet串联,都处于截止状态是怎么分压的 -
卓孔18832395688…… 假设是NMOS串联,并且上A管下B管,A管B管栅极、衬底都接地保证截止.理想情况下:处于截至状态的MOS管,源漏两端都被各自PN结产生的耗尽区所包围而隔离,没有电流能够通过.加载在A管漏端的电压,会全部落在A管漏区的PN结的耗尽区中,传导不到A管源极.因此它们没有分压,因为电场线从A管漏极->PN结耗尽层->衬底->地,根本不会理会A管的源极.可以说A管的源极被完全隔离,感觉头顶上就是空气,开路.这种情况下,A管源极(两个管子的连接点)会保持悬空状态.实际情况下:衬底本征载流子会形成漏电流,可能会将两管连接点钳位成某一个电位.这要看具体的工艺,不是随便能够确定的.
@岳帖2892：就VGS而言,增强型MOS管是什么极性的 -
卓孔18832395688…… 增强型MOS管导通的时候,UGS是正值,一般高于2-4V(正电压,即G点的电压高于S点).如果是截止的话,可以小于2-4V,负电压也是可以的(用于彻底关断).
@岳帖2892：MOS管的三个电极分别为Us= - 5V,Ug=1V,Ud=3V,Ugs(th)=4V为什么此时的工作状 -
卓孔18832395688…… 算一下几个值就好了,UGS=6V.UDS=8V. 根据NMOS增强型场效应管(UGSth就说明了是增强型,电压UD>US说明是N沟道)的状态判断条件: 当UGS<UGSth时,截止(关断区); UDS<UGS-UGS(th)时,可变电阻区(相当于三极管饱和区); UDS=UGS-UGS(th)时,预夹断(恒流区与可变电阻区的临界点); UDS>UGS-UGS(th)时,恒流区(相当于三极管放大区); 你现在可以计算一下:UDS=8V>UGS-UGS(th)=2V,所以明显是属于恒流区,此时对于每个UGS,都有一个iD与它对应,MOS管可视为电压UGS控制的恒流源. 你可以参考:童诗白,《模拟电子技术基础》第四版,P46页.
@岳帖2892：pmos晶体管的工作原理 -
卓孔18832395688…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@岳帖2892：电子MOS管耗尽行常闭 增强的常开是吗? -
卓孔18832395688…… 对NMOS,增强型源极、漏极电压为0时关断,大于开启电压时导通 耗尽型:源极、漏极为0和正时开通,为负且小于截止电压时关断.好像没听说过常开、常闭这种说法
卓孔18832395688…… N沟道增强型MOS开关的截止条件是G、S极间的电压Ugs大于或等于Ugs(th)(也用UT表示)、D、S极间的电压Uds大于0.
@岳帖2892：nmos管导通饱和截止条件 -
卓孔18832395688…… PMOS增强型管:uG-uS|uGS(th)| , uGS|th|是开启电压; NMOS增强型管:uG-uS>0,且 |uG-uS|>|uGS(th)| ,uGS|th|是开启电压; PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压.NMOS相反.
@岳帖2892：为什么加低电压,N沟道增强型MOS管截止 -
卓孔18832395688…… 对增强型NMOS来说,他的衬底是P型的,源和漏是N型的,只有在栅上加一个足够的电压,使得器件沟道形成一个反型层(n)才能打开器件. 我们叫这个电压为阈值电压,当低于这个电压的时候,管子没有进入强反型,电流能力很弱,当太低的时候就截止了. 建议看看半导体物理,希望对你有帮助.
@岳帖2892：什么条件下可以将N沟道增强型Mos管近似看作一个理想开关 -
卓孔18832395688…… 最好是让MOS管处于饱和和截止状态的时候,具体的要求是. 截止:Ugs<0,关断效果更好]; 饱和:UDS
@岳帖2892：什么是增强型MOS管?什么是增强型MOS管?什么是耗尽型MOS管
卓孔18832395688…… 增强型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面没有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压大于0;PMOS,小于0.耗尽型:栅极与衬底间不加电压时,栅极下面已有沟道存在.也就是说,对于NMOS,阈值电压小于0;PMOS,大于0.通过改变有源区的掺杂浓度,控制栅极绝缘层厚度和选择某种功函数的栅极材料,可以制造出增强型或耗尽型的MOSFET.
@岳帖2892：增强型mosfet串联,都处于截止状态是怎么分压的 -
卓孔18832395688…… 假设是NMOS串联,并且上A管下B管,A管B管栅极、衬底都接地保证截止.理想情况下:处于截至状态的MOS管,源漏两端都被各自PN结产生的耗尽区所包围而隔离,没有电流能够通过.加载在A管漏端的电压,会全部落在A管漏区的PN结的耗尽区中,传导不到A管源极.因此它们没有分压,因为电场线从A管漏极->PN结耗尽层->衬底->地,根本不会理会A管的源极.可以说A管的源极被完全隔离,感觉头顶上就是空气,开路.这种情况下,A管源极(两个管子的连接点)会保持悬空状态.实际情况下:衬底本征载流子会形成漏电流,可能会将两管连接点钳位成某一个电位.这要看具体的工艺,不是随便能够确定的.
@岳帖2892：就VGS而言,增强型MOS管是什么极性的 -
卓孔18832395688…… 增强型MOS管导通的时候,UGS是正值,一般高于2-4V(正电压,即G点的电压高于S点).如果是截止的话,可以小于2-4V,负电压也是可以的(用于彻底关断).
@岳帖2892：MOS管的三个电极分别为Us= - 5V,Ug=1V,Ud=3V,Ugs(th)=4V为什么此时的工作状 -
卓孔18832395688…… 算一下几个值就好了,UGS=6V.UDS=8V. 根据NMOS增强型场效应管(UGSth就说明了是增强型,电压UD>US说明是N沟道)的状态判断条件: 当UGS<UGSth时,截止(关断区); UDS<UGS-UGS(th)时,可变电阻区(相当于三极管饱和区); UDS=UGS-UGS(th)时,预夹断(恒流区与可变电阻区的临界点); UDS>UGS-UGS(th)时,恒流区(相当于三极管放大区); 你现在可以计算一下:UDS=8V>UGS-UGS(th)=2V,所以明显是属于恒流区,此时对于每个UGS,都有一个iD与它对应,MOS管可视为电压UGS控制的恒流源. 你可以参考:童诗白,《模拟电子技术基础》第四版,P46页.
@岳帖2892：pmos晶体管的工作原理 -
卓孔18832395688…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@岳帖2892：电子MOS管耗尽行常闭 增强的常开是吗? -
卓孔18832395688…… 对NMOS,增强型源极、漏极电压为0时关断,大于开启电压时导通 耗尽型:源极、漏极为0和正时开通,为负且小于截止电压时关断.好像没听说过常开、常闭这种说法
