n沟道耗尽型mos管恒流区
@蒙贵1986:N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电位有无固定的大小关系? -
宰骅15522039718…… 不一定.看管子的,看输出特性曲线就知道了.NJFET在恒流区有这个性质,UGS一定是负值且,UDS是正值.但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作,后两种可以说UDS一定大于UGS,但第一种情况下未必.
@蒙贵1986:耗尽型场效应管的可变电阻区和恒流区的分界线是什么
宰骅15522039718…… 耗尽型MOS场效应管的分界线也是Ugd=Up(夹断电压),增强型MOS场效应管与耗尽型MOS场效应管不同之处只在于耗尽型的Ugs可以小于0为负值,而增强型的一定要大于0才行. 效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,是仅由一种载流子参与导电的半导体器件.从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件. 场效应管分为结型和MOS型两种,结型包括N沟沟道和P沟道,MOS型也包括N沟道和P沟道两种,它们分别包含了增强型和耗尽型.
@蒙贵1986:耗尽型场效应管在UGS为正,为负,为0三种情况下,都有可能工作在恒流区. -
宰骅15522039718…… 这个很简单.关键在于MOS管的结构和工作原理.你的不足在于,没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子,衬底是B,而且是P型半导体,B与源极S连在一起.当GS为正电压时,G上为正电,会把衬底中的电子地吸引到G的对面(不会到...
@蒙贵1986:MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件 -
宰骅15522039718…… MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上.2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省.3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中. MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和...
@蒙贵1986:当UGS=0,UGS>0,UGS<0时,能作用在恒流区的场效应管分别有哪些?为什么? -
宰骅15522039718…… UGS=0,能作用在恒流区的场效应管有:N沟道、P沟道结型和耗尽型; UGS>0,能作用在恒流区的场效应管有:P沟道结型、N沟道增强型和耗尽型; UGS<0,能作用在恒流区的场效应管有:N沟道结型、P沟道增强型和耗尽型;
宰骅15522039718…… 不一定.看管子的,看输出特性曲线就知道了.NJFET在恒流区有这个性质,UGS一定是负值且,UDS是正值.但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作,后两种可以说UDS一定大于UGS,但第一种情况下未必.
@蒙贵1986:耗尽型场效应管的可变电阻区和恒流区的分界线是什么
宰骅15522039718…… 耗尽型MOS场效应管的分界线也是Ugd=Up(夹断电压),增强型MOS场效应管与耗尽型MOS场效应管不同之处只在于耗尽型的Ugs可以小于0为负值,而增强型的一定要大于0才行. 效应管是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件,是仅由一种载流子参与导电的半导体器件.从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件. 场效应管分为结型和MOS型两种,结型包括N沟沟道和P沟道,MOS型也包括N沟道和P沟道两种,它们分别包含了增强型和耗尽型.
@蒙贵1986:耗尽型场效应管在UGS为正,为负,为0三种情况下,都有可能工作在恒流区. -
宰骅15522039718…… 这个很简单.关键在于MOS管的结构和工作原理.你的不足在于,没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子,衬底是B,而且是P型半导体,B与源极S连在一起.当GS为正电压时,G上为正电,会把衬底中的电子地吸引到G的对面(不会到...
@蒙贵1986:MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件 -
宰骅15522039718…… MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上.2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省.3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中. MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和...
@蒙贵1986:当UGS=0,UGS>0,UGS<0时,能作用在恒流区的场效应管分别有哪些?为什么? -
宰骅15522039718…… UGS=0,能作用在恒流区的场效应管有:N沟道、P沟道结型和耗尽型; UGS>0,能作用在恒流区的场效应管有:P沟道结型、N沟道增强型和耗尽型; UGS<0,能作用在恒流区的场效应管有:N沟道结型、P沟道增强型和耗尽型;