n勾到mos管导通
@柴审3001：N沟道场效应管控制极启动电压多少伏,栅极加1V电压能导通不? -
向妹19233984339…… 需要查手册. 大功率增强型NMOS管,开启电压最少要2V.
@柴审3001：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
向妹19233984339…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@柴审3001：什么型号的N沟道场效应管在4v栅极电压下可以完全导通? -
向妹19233984339…… 4V完全导通?不可能的.一般MOS管完全导通要10V以上,而且MOS管的导通其实也是一个过程,UGS(th)只是开始导通,这个值一般也都有2-4V了.我建议你还是换固态继电器这种当开关比较好,适合你的要求.
@柴审3001：请问,那种n沟道的mos的驱动电压(G端电压)在5v时候就完全导通啊?控制的电压最大12v,1A. -
向妹19233984339…… IRF3205,Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A⑤)
@柴审3001：有没有5v就可以把n沟道的mos管完全导通的,都有什么型号? -
向妹19233984339…… 很多, 像2N7002基本上3V不到就可以完全导通了
@柴审3001：【求教】MOS管开关电路. -
向妹19233984339…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
@柴审3001：N沟道结型场效应管可以反向导通吗 -
向妹19233984339…… 结型场效应管可以反向工作. 1、以N型为例,除栅极是P型外,其它两极D和S均连在N型层上——故D、S可以对调. 2、场效应管具有双向导通性(即总是从通道的高压端流向低压端,即D→S,或S→D),这一点与双极型管完全不同,双极型管不能两个方向上导通,加反向高压只会使双极型管损坏.但绝缘栅场效应管(MOS)因有寄生二极管,不可反向(如反向,寄生二极管导通了).知识:无论是NMOS管还是PMOS管,都只有一种载流子导电,故称其为单极型晶体管.
@柴审3001：mos如何管构成二极管 -
向妹19233984339…… 对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET,漏极到源极之间有一个本体二极管,其特性是:电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流,耐压=场效应管耐压,方向N沟道的是源极为正、漏极为负,P沟道相反! 只要加适当的电...
@柴审3001：为什么这样接N型场效应管不能导通 -
向妹19233984339…… 你的R3接的方法,有错误,R3要接到VCC电源端,这个mos管是个开关管,假设开关管的gs有1/2的vcc,导致开关管的ds之间导通,即就是:UD=US,这样的话,US=12v,Ug=6v,这个n沟道的mos管,会自动的关闭,所以需要把R3挪到mos管的d级那边,mos管打开和关闭就很容易了,给分把.
@柴审3001：N沟道耗尽型MOSFET源栅漏极电压关系为什么时处于导通状态 -
向妹19233984339…… 例如,对于耗尽型n-MOSFET,在栅电压为0时即存在电子导电的沟道,就是线性导通状态;只有加上一定的栅极电压(负电压)后才能使沟道消失(整个沟道夹断),这时的栅电压称为”夹断电压”Vp,也就是耗尽型FET的阈值电压,当“源...
向妹19233984339…… 需要查手册. 大功率增强型NMOS管,开启电压最少要2V.
@柴审3001：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
向妹19233984339…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@柴审3001：什么型号的N沟道场效应管在4v栅极电压下可以完全导通? -
向妹19233984339…… 4V完全导通?不可能的.一般MOS管完全导通要10V以上,而且MOS管的导通其实也是一个过程,UGS(th)只是开始导通,这个值一般也都有2-4V了.我建议你还是换固态继电器这种当开关比较好,适合你的要求.
@柴审3001：请问,那种n沟道的mos的驱动电压(G端电压)在5v时候就完全导通啊?控制的电压最大12v,1A. -
向妹19233984339…… IRF3205,Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=8.0mohm, Id=110A⑤)
@柴审3001：有没有5v就可以把n沟道的mos管完全导通的,都有什么型号? -
向妹19233984339…… 很多, 像2N7002基本上3V不到就可以完全导通了
@柴审3001：【求教】MOS管开关电路. -
向妹19233984339…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
@柴审3001：N沟道结型场效应管可以反向导通吗 -
向妹19233984339…… 结型场效应管可以反向工作. 1、以N型为例,除栅极是P型外,其它两极D和S均连在N型层上——故D、S可以对调. 2、场效应管具有双向导通性(即总是从通道的高压端流向低压端,即D→S,或S→D),这一点与双极型管完全不同,双极型管不能两个方向上导通,加反向高压只会使双极型管损坏.但绝缘栅场效应管(MOS)因有寄生二极管,不可反向(如反向,寄生二极管导通了).知识:无论是NMOS管还是PMOS管,都只有一种载流子导电,故称其为单极型晶体管.
@柴审3001：mos如何管构成二极管 -
向妹19233984339…… 对于增强型场效应管或者说现在常用的功率MOSFET,漏极到源极之间有一个本体二极管,其特性是:电流通过能力+场效应管的最大持续导通允许电流,耐压=场效应管耐压,方向N沟道的是源极为正、漏极为负,P沟道相反! 只要加适当的电...
@柴审3001：为什么这样接N型场效应管不能导通 -
向妹19233984339…… 你的R3接的方法,有错误,R3要接到VCC电源端,这个mos管是个开关管,假设开关管的gs有1/2的vcc,导致开关管的ds之间导通,即就是:UD=US,这样的话,US=12v,Ug=6v,这个n沟道的mos管,会自动的关闭,所以需要把R3挪到mos管的d级那边,mos管打开和关闭就很容易了,给分把.
@柴审3001：N沟道耗尽型MOSFET源栅漏极电压关系为什么时处于导通状态 -
向妹19233984339…… 例如,对于耗尽型n-MOSFET,在栅电压为0时即存在电子导电的沟道,就是线性导通状态;只有加上一定的栅极电压(负电压)后才能使沟道消失(整个沟道夹断),这时的栅电压称为”夹断电压”Vp,也就是耗尽型FET的阈值电压,当“源...
