nmos管怎么算导通
@倪促6388：如何求 nmos 和 pmos 的 k' -
谈须13799137971…… 除了输出电压,还要注意以下几个参数: 1、最大电流:器件最大支持的电流 2、℃/W 实际上就是芯片的封装,计算一下工作时LDO两端的压降,乘以平均电流就是这个器件上消耗的功率,再通过℃/W指标计算出温升是多少度,看看这个温度是否在你的设计预.
@倪促6388：N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别 -
谈须13799137971…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道. 2、控制方法是不一样的.耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的 增强型NMOS,都是正电压控制的.
@倪促6388：求解mos管的原理啊.. -
谈须13799137971…… 不用管这个符号,市面上的MOS一般分为NMOS和PMOS两种,NMOS都是VGS给正电压DS才导通,PMOS都是VGS给负电压SD导通的.没有不给电就导通的.
@倪促6388：场管怎么样才能判断为完全导通? -
谈须13799137971…… MOS管处于饱和状态就是完全通导. 如果用在降压电路,输出电压要低于输入电压.控制输出电压不是只有一种方法. 在LDO里是控制MOS管的通导电阻,当然是用G极的电压来控制,改变这个电压改变了MOS的电阻,把合适的电压分配给负载电...
@倪促6388：寻求真正的电子工程师,irf640 NMOS管开关电路 ,求解!!! -
谈须13799137971…… 大哥,不是这样做的吧,NPN+PMOS才做电源控制,你这是NPN+NMOS,R21直接换成0欧,你去量,肯定就通了,只不过没有控制啥事了. 还有NMOS的衬底一般做出来的时候是和源极接在一起的,开机NMOS需控制电压(相对衬底)大于开启电压,你这样接 衬底完全悬空了,现在的电路无论你怎么控制都达不到你的要求,电路本身设计就错了,NMOS一般是做低输出的,PMOS才是高输出电路,这个性质和三极管的NPN和PNP差不多的.
@倪促6388：关于MOS开关管驱动 -
谈须13799137971…… Vd<Vg-Vth时,NMOS工作在线性区,也就是不饱和导通区,并不是真正的导通.和你的理解正好相反.高压NMOS的开启在2V左右,所以30V的GS电压已经够了,甚至偏高.因为一般DS耐压100V左右的NMOS,其栅极耐压也就20或30V,这个要看你的MOS的说明书.理论上,GS电压越高,NMOS导通内阻越小,但是,由于要给栅极电容充电到高压,所以整个开启速度会变慢,所以并不是电压越高越好.关于周期,你可以用你的驱动电流和栅极电容进行计算,看看开启速度能不能满足你的要求.
@倪促6388：问题:有关于ASIC库设计中的CMOS基本逻辑电路.如何计算其逻辑作用力,如AOI221逻辑作用力具体如何求 -
谈须13799137971…… 这个图就是aoi221的各个管子的比例,姑且定义输出Y=bar(AB+CD+E),bar代表非,那么对于一个反相器而言,pmos和nmos的尺寸比为2:1(一般认为pmos迁移率是nmos的一半,所以尺寸如此设定可以达到平衡设计的要求).你可以把任何aoi...
@倪促6388：cmos与非门电路分析 -
谈须13799137971…… 其实都可以推算的,这里的与非门都工作在开关状态. A\B=0\0时,T3\T4(都是PMOS)都导通,所以F就是VDD,也就是高电平. 其实从这里推论,只要A、B任意有一个是0,F都是VDD. A\B=1\1时,T3\T4都截止,这没话说. 而下面的两个,T1先导通,导通后,T2的S极接地,T2也满足了饱和导通的条件,所以也跟着导通,所以F的电位就相当于接地,所以是0V. 把这四种情况汇总起来,就是与非门的真值表. PS:数字电路的晶体管状态非常好判断,晶体管基本上都工作在开关状态.如果是放大状态的话,管子要消耗压降,再加上电流,很容易热起来.
@倪促6388：驱动MOS管的驱动电流怎样计算? -
谈须13799137971…… 1. Q5为NMOS管,R12为限流电阻(或是偏置电阻),源漏之间的二极管为保护二极管. 2. 源极接地,电压为0,当栅极(即图中右眼驱动1)的电压大于开启电压Vth(一般为0.7V)时,就可在源漏之间形成导电沟道,产生电流. 3. 栅极未加...
@倪促6388：MOS管电路分析 -
谈须13799137971…… Q83为P沟道MOS管,Q84为N沟道MOS管.RELAY1_SET_N为3.3V时Q83截止,Q84导通;RELAY1_SET_N为0V时Q83导通,Q84截止.
谈须13799137971…… 除了输出电压,还要注意以下几个参数: 1、最大电流:器件最大支持的电流 2、℃/W 实际上就是芯片的封装,计算一下工作时LDO两端的压降,乘以平均电流就是这个器件上消耗的功率,再通过℃/W指标计算出温升是多少度,看看这个温度是否在你的设计预.
@倪促6388：N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别 -
谈须13799137971…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道. 2、控制方法是不一样的.耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的 增强型NMOS,都是正电压控制的.
@倪促6388：求解mos管的原理啊.. -
谈须13799137971…… 不用管这个符号,市面上的MOS一般分为NMOS和PMOS两种,NMOS都是VGS给正电压DS才导通,PMOS都是VGS给负电压SD导通的.没有不给电就导通的.
@倪促6388：场管怎么样才能判断为完全导通? -
谈须13799137971…… MOS管处于饱和状态就是完全通导. 如果用在降压电路,输出电压要低于输入电压.控制输出电压不是只有一种方法. 在LDO里是控制MOS管的通导电阻,当然是用G极的电压来控制,改变这个电压改变了MOS的电阻,把合适的电压分配给负载电...
@倪促6388：寻求真正的电子工程师,irf640 NMOS管开关电路 ,求解!!! -
谈须13799137971…… 大哥,不是这样做的吧,NPN+PMOS才做电源控制,你这是NPN+NMOS,R21直接换成0欧,你去量,肯定就通了,只不过没有控制啥事了. 还有NMOS的衬底一般做出来的时候是和源极接在一起的,开机NMOS需控制电压(相对衬底)大于开启电压,你这样接 衬底完全悬空了,现在的电路无论你怎么控制都达不到你的要求,电路本身设计就错了,NMOS一般是做低输出的,PMOS才是高输出电路,这个性质和三极管的NPN和PNP差不多的.
@倪促6388：关于MOS开关管驱动 -
谈须13799137971…… Vd<Vg-Vth时,NMOS工作在线性区,也就是不饱和导通区,并不是真正的导通.和你的理解正好相反.高压NMOS的开启在2V左右,所以30V的GS电压已经够了,甚至偏高.因为一般DS耐压100V左右的NMOS,其栅极耐压也就20或30V,这个要看你的MOS的说明书.理论上,GS电压越高,NMOS导通内阻越小,但是,由于要给栅极电容充电到高压,所以整个开启速度会变慢,所以并不是电压越高越好.关于周期,你可以用你的驱动电流和栅极电容进行计算,看看开启速度能不能满足你的要求.
@倪促6388：问题:有关于ASIC库设计中的CMOS基本逻辑电路.如何计算其逻辑作用力,如AOI221逻辑作用力具体如何求 -
谈须13799137971…… 这个图就是aoi221的各个管子的比例,姑且定义输出Y=bar(AB+CD+E),bar代表非,那么对于一个反相器而言,pmos和nmos的尺寸比为2:1(一般认为pmos迁移率是nmos的一半,所以尺寸如此设定可以达到平衡设计的要求).你可以把任何aoi...
@倪促6388：cmos与非门电路分析 -
谈须13799137971…… 其实都可以推算的,这里的与非门都工作在开关状态. A\B=0\0时,T3\T4(都是PMOS)都导通,所以F就是VDD,也就是高电平. 其实从这里推论,只要A、B任意有一个是0,F都是VDD. A\B=1\1时,T3\T4都截止,这没话说. 而下面的两个,T1先导通,导通后,T2的S极接地,T2也满足了饱和导通的条件,所以也跟着导通,所以F的电位就相当于接地,所以是0V. 把这四种情况汇总起来,就是与非门的真值表. PS:数字电路的晶体管状态非常好判断,晶体管基本上都工作在开关状态.如果是放大状态的话,管子要消耗压降,再加上电流,很容易热起来.
@倪促6388：驱动MOS管的驱动电流怎样计算? -
谈须13799137971…… 1. Q5为NMOS管,R12为限流电阻(或是偏置电阻),源漏之间的二极管为保护二极管. 2. 源极接地,电压为0,当栅极(即图中右眼驱动1)的电压大于开启电压Vth(一般为0.7V)时,就可在源漏之间形成导电沟道,产生电流. 3. 栅极未加...
@倪促6388：MOS管电路分析 -
谈须13799137971…… Q83为P沟道MOS管,Q84为N沟道MOS管.RELAY1_SET_N为3.3V时Q83截止,Q84导通;RELAY1_SET_N为0V时Q83导通,Q84截止.
