oring+电路nmos导通
@柴炭5670：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
陶时15539348734…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@柴炭5670：列出下图CMOS逻辑电路的真值表,其中输出为X,输入为A、B、C. -
陶时15539348734…… 当C输入1时,最右面的NMOS导通,无论A,B输入什么,X都为0. 当C输入0时,与C相连的PMOS导通,分两种情况1)A,B至少一个输入0时,最上面的两个PMOS至少有一个导通,所以上半部分导通,但下面两个串联的NMOS最多只能导通一个,所以X输出12)A,B都输入1时,上面两个PMOS截止,所以上半部分截止,但下面两个串联的NMOS均导通,所以X输出0.所以真值表如下:A B C X0 0 1 00 1 1 01 0 1 01 1 1 00 0 0 10 1 0 11 0 0 11 1 0 0
@柴炭5670：芯片是如何输出负电平的? -
陶时15539348734…… 1、逻辑电路.只有高低之分.7404振荡电路不是标准电平应用.输出端一般是CMOS互补推挽结构.上面一个PMOS,下面一个NMOS.源极分别接电源和地,栅极搞到一起.只要栅极为高,NMOS导通.就出低电平啦. 2、负电平,对于功率型芯片,是开关电源范畴.电荷泵等芯片可以输出.还有的,如232芯片,其实内部还是个开关电源.
@柴炭5670：N沟道场效应管控制极启动电压多少伏,栅极加1V电压能导通不? -
陶时15539348734…… 需要查手册. 大功率增强型NMOS管,开启电压最少要2V.
@柴炭5670：【求教】MOS管开关电路. -
陶时15539348734…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
@柴炭5670：帮忙推荐低电压导通的NMOS管,谢谢了! -
陶时15539348734…… 你的板卡输出的电压已经有5V了,一般的NMOS管就都可以打通.并不是G极电压一定要小于2V,大于2V也可以导通.但是最好不要大于规格书的最大电压就可以了.
@柴炭5670：开关电源上面的MOS管要怎么选择,要注意哪些参数,有什么好的方法推荐没有? -
陶时15539348734…… 在ORing FET应用中,MOS管的作用是开关器件,但是由于服务器类应用中电源不间断工作,这个开关实际上始终处于导通状态.其开关功能只发挥在启动和关断,以及电源出现故障之时 .相比从事以开关为核心应用的设计人员,ORing FET...
@柴炭5670：求救nmos电容和pmos电容的区别 -
陶时15539348734…… NMOS的电流Id必须从D流到S,而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS(ON)非常小,在导通时D与S电压几乎一样;“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压,这是N沟道MOS管导通的必要条件....
@柴炭5670：MOS管选择注重的参数有哪几项? -
陶时15539348734…… 1、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力;2、输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制;3、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率;4、 MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标.
@柴炭5670：寻求真正的电子工程师,irf640 NMOS管开关电路 ,求解!!! -
陶时15539348734…… 大哥,不是这样做的吧,NPN+PMOS才做电源控制,你这是NPN+NMOS,R21直接换成0欧,你去量,肯定就通了,只不过没有控制啥事了. 还有NMOS的衬底一般做出来的时候是和源极接在一起的,开机NMOS需控制电压(相对衬底)大于开启电压,你这样接 衬底完全悬空了,现在的电路无论你怎么控制都达不到你的要求,电路本身设计就错了,NMOS一般是做低输出的,PMOS才是高输出电路,这个性质和三极管的NPN和PNP差不多的.
陶时15539348734…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@柴炭5670：列出下图CMOS逻辑电路的真值表,其中输出为X,输入为A、B、C. -
陶时15539348734…… 当C输入1时,最右面的NMOS导通,无论A,B输入什么,X都为0. 当C输入0时,与C相连的PMOS导通,分两种情况1)A,B至少一个输入0时,最上面的两个PMOS至少有一个导通,所以上半部分导通,但下面两个串联的NMOS最多只能导通一个,所以X输出12)A,B都输入1时,上面两个PMOS截止,所以上半部分截止,但下面两个串联的NMOS均导通,所以X输出0.所以真值表如下:A B C X0 0 1 00 1 1 01 0 1 01 1 1 00 0 0 10 1 0 11 0 0 11 1 0 0
@柴炭5670：芯片是如何输出负电平的? -
陶时15539348734…… 1、逻辑电路.只有高低之分.7404振荡电路不是标准电平应用.输出端一般是CMOS互补推挽结构.上面一个PMOS,下面一个NMOS.源极分别接电源和地,栅极搞到一起.只要栅极为高,NMOS导通.就出低电平啦. 2、负电平,对于功率型芯片,是开关电源范畴.电荷泵等芯片可以输出.还有的,如232芯片,其实内部还是个开关电源.
@柴炭5670：N沟道场效应管控制极启动电压多少伏,栅极加1V电压能导通不? -
陶时15539348734…… 需要查手册. 大功率增强型NMOS管,开启电压最少要2V.
@柴炭5670：【求教】MOS管开关电路. -
陶时15539348734…… MOS和三极管相像,但是三极管属于电流驱动型,而MOS属于电压驱动型,因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压.一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通,但是为了考虑可靠性,往往是加上一个电阻,接到12V左右,这是我们常用的.如图我们产品中的一个图,是电机驱动,用的就是MOS的开关特性.另外,数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关,因为数字电路只有0和1.图中的PWM是单片机IO端口直接过来的,0V和5V可变.后面一个推挽电路,然后给MOS.
@柴炭5670：帮忙推荐低电压导通的NMOS管,谢谢了! -
陶时15539348734…… 你的板卡输出的电压已经有5V了,一般的NMOS管就都可以打通.并不是G极电压一定要小于2V,大于2V也可以导通.但是最好不要大于规格书的最大电压就可以了.
@柴炭5670：开关电源上面的MOS管要怎么选择,要注意哪些参数,有什么好的方法推荐没有? -
陶时15539348734…… 在ORing FET应用中,MOS管的作用是开关器件,但是由于服务器类应用中电源不间断工作,这个开关实际上始终处于导通状态.其开关功能只发挥在启动和关断,以及电源出现故障之时 .相比从事以开关为核心应用的设计人员,ORing FET...
@柴炭5670：求救nmos电容和pmos电容的区别 -
陶时15539348734…… NMOS的电流Id必须从D流到S,而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS(ON)非常小,在导通时D与S电压几乎一样;“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压,这是N沟道MOS管导通的必要条件....
@柴炭5670：MOS管选择注重的参数有哪几项? -
陶时15539348734…… 1、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力;2、输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制;3、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率;4、 MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标.
@柴炭5670：寻求真正的电子工程师,irf640 NMOS管开关电路 ,求解!!! -
陶时15539348734…… 大哥,不是这样做的吧,NPN+PMOS才做电源控制,你这是NPN+NMOS,R21直接换成0欧,你去量,肯定就通了,只不过没有控制啥事了. 还有NMOS的衬底一般做出来的时候是和源极接在一起的,开机NMOS需控制电压(相对衬底)大于开启电压,你这样接 衬底完全悬空了,现在的电路无论你怎么控制都达不到你的要求,电路本身设计就错了,NMOS一般是做低输出的,PMOS才是高输出电路,这个性质和三极管的NPN和PNP差不多的.
