p型mos管输入高电平
@国古5451：为什么我的p沟道mos管栅极输入时高电平但是源极和漏极不截止呀 -
亓怕13159873412…… 单单栅极高电平也不行,还要看源极的电压多大,如果源极电压比栅极电压还大,他俩的差值超过了开启电压,那同样不会截止.
@国古5451：CMOS门电路输入高电平低电平的电压有没有什么规定啊? -
亓怕13159873412…… 有一些相关的规定. 1,比如与芯片类型有关,74hcxx输入高低电平分界在0.3-0.7vdd之间,如果电源电压为5v,分界在1.5v到3.5v都算合格.所以低于1.5v肯定是输入低电平,高于3.5v肯定是输入高电平,而1.5v到3.5v则不能确定.所以ttl芯片不...
@国古5451：这种情况下三极管输入高电平,MOS导通吗??三极管连接MOS管的那段输出是高电平还是低电平 -
亓怕13159873412…… 是的,因为Q1是P沟道MOS管,但Vgs小於一定值时,Q1就会导通(你图Q1错了,在高端驱动情况下,S极应接在VCC的R51那边). 当Q2输入低电平时Q2截止,Q1的G极通过R51,使G极电平等於S极,所以Q1也截止. 当Q2输入高电平时Q2导通,Q1的G极通过R50拉低,使Vgs小於导通阀值,Q1导通,输出高电平(电压).
@国古5451：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
亓怕13159873412…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@国古5451：传输模拟高电平用什么管?N管还是P管?为什么 -
亓怕13159873412…… 这个要分N MOS管还是PMOS管的,而且和D级(N管)或者S级(P管)的电源有关,例如 N管D接,接上拉电阻到+12V,这时候如果NMOS管的开启电压如果是P管,S级接电源,只要G极电压低于S级电压,就形成导电沟道.从而使PMOS管形成一个可变的R,SG电压差越大,R越小,当R足够小时, 电平就为低电平
@国古5451：请问四种mos管的开关特性 -
亓怕13159873412…… 1. 实际使用中不太关心什么增强型、耗尽型,可能是工艺已经不是瓶颈了,只需要关注具体参数.截止、导通规则理解正确.2. 需注意的是:N型管在导通后g电压要高于s电压某个范围以上才能维持饱和导通,这样损耗最小.这个压差对于小信号开关管一般是2.5V,功率管一般是4.5V, Vg-Vs>4.5V.截止时电压最好为0, 任何浮动都可能导致放大态而迅速发热.所以N型s极经常接地,g极常有弱下拉.同理P型管要让它饱和导通或深度截止,S-G的压差也要维持在特定范围.3. 开关电源的控制芯片除了产生带死区推挽式脉冲外,就是让所产脉冲符合上述要求的电压.
@国古5451：MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低? -
亓怕13159873412…… MOS管PDF中都有一个Vth的参数,这个参数是MOS开通的门限电压,当MOS管GS两端电压低于此电压时为低,高于此电压时开始导通,当高于Vmiller(这个PDF中不一定有)电压后完全导通.
@国古5451：TTL电路和CMOS电路的区别和联系 -
亓怕13159873412…… 联系:CMOS电路与TTL电路通过电平转换能使两者电平域值能匹配.两者区别如下: 一、主体不同 1、TTL电路:是晶体管-晶体管逻辑电路. 2、CMOS电路:是互补型金属氧化物半导体电路. 二、特点不同 1、TTL电路:采用双极型工艺...
@国古5451：请教:MOS管做开关电路 -
亓怕13159873412…… 你电路的问题很明显,要了解原理,请参考以下电路: 带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》.
@国古5451：ttl电路和cmos电路的区别 -
亓怕13159873412…… TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写 (Transister-Transister-Logic ) ,是数字集成电 路的一大门类.它采用双极型工艺制造,具有高速度低功耗和品种多等特点. CMOS是:金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的...
亓怕13159873412…… 单单栅极高电平也不行,还要看源极的电压多大,如果源极电压比栅极电压还大,他俩的差值超过了开启电压,那同样不会截止.
@国古5451：CMOS门电路输入高电平低电平的电压有没有什么规定啊? -
亓怕13159873412…… 有一些相关的规定. 1,比如与芯片类型有关,74hcxx输入高低电平分界在0.3-0.7vdd之间,如果电源电压为5v,分界在1.5v到3.5v都算合格.所以低于1.5v肯定是输入低电平,高于3.5v肯定是输入高电平,而1.5v到3.5v则不能确定.所以ttl芯片不...
@国古5451：这种情况下三极管输入高电平,MOS导通吗??三极管连接MOS管的那段输出是高电平还是低电平 -
亓怕13159873412…… 是的,因为Q1是P沟道MOS管,但Vgs小於一定值时,Q1就会导通(你图Q1错了,在高端驱动情况下,S极应接在VCC的R51那边). 当Q2输入低电平时Q2截止,Q1的G极通过R51,使G极电平等於S极,所以Q1也截止. 当Q2输入高电平时Q2导通,Q1的G极通过R50拉低,使Vgs小於导通阀值,Q1导通,输出高电平(电压).
@国古5451：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
亓怕13159873412…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@国古5451：传输模拟高电平用什么管?N管还是P管?为什么 -
亓怕13159873412…… 这个要分N MOS管还是PMOS管的,而且和D级(N管)或者S级(P管)的电源有关,例如 N管D接,接上拉电阻到+12V,这时候如果NMOS管的开启电压如果是P管,S级接电源,只要G极电压低于S级电压,就形成导电沟道.从而使PMOS管形成一个可变的R,SG电压差越大,R越小,当R足够小时, 电平就为低电平
@国古5451：请问四种mos管的开关特性 -
亓怕13159873412…… 1. 实际使用中不太关心什么增强型、耗尽型,可能是工艺已经不是瓶颈了,只需要关注具体参数.截止、导通规则理解正确.2. 需注意的是:N型管在导通后g电压要高于s电压某个范围以上才能维持饱和导通,这样损耗最小.这个压差对于小信号开关管一般是2.5V,功率管一般是4.5V, Vg-Vs>4.5V.截止时电压最好为0, 任何浮动都可能导致放大态而迅速发热.所以N型s极经常接地,g极常有弱下拉.同理P型管要让它饱和导通或深度截止,S-G的压差也要维持在特定范围.3. 开关电源的控制芯片除了产生带死区推挽式脉冲外,就是让所产脉冲符合上述要求的电压.
@国古5451：MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低? -
亓怕13159873412…… MOS管PDF中都有一个Vth的参数,这个参数是MOS开通的门限电压,当MOS管GS两端电压低于此电压时为低,高于此电压时开始导通,当高于Vmiller(这个PDF中不一定有)电压后完全导通.
@国古5451：TTL电路和CMOS电路的区别和联系 -
亓怕13159873412…… 联系:CMOS电路与TTL电路通过电平转换能使两者电平域值能匹配.两者区别如下: 一、主体不同 1、TTL电路:是晶体管-晶体管逻辑电路. 2、CMOS电路:是互补型金属氧化物半导体电路. 二、特点不同 1、TTL电路:采用双极型工艺...
@国古5451：请教:MOS管做开关电路 -
亓怕13159873412…… 你电路的问题很明显,要了解原理,请参考以下电路: 带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路,原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》.
@国古5451：ttl电路和cmos电路的区别 -
亓怕13159873412…… TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写 (Transister-Transister-Logic ) ,是数字集成电 路的一大门类.它采用双极型工艺制造,具有高速度低功耗和品种多等特点. CMOS是:金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的...
