p型增强型mos管
@方奋6580：p沟道mos管怎么实现场效应 -
管疤18168299688…… 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N够道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两级之间不通导,栅极上有足够的正电压(源极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道.改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻.这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管.如果N型硅衬底表面不加栅压就以存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小.这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管.统称为PMOS晶体管.
@方奋6580：P - mos管是靠空穴导电的,如果在漏极加正电压,源极接地为什么不行 -
管疤18168299688…… MOS管种类很多,像结型,增强型,耗尽型,不知你指的是哪种?它们工工艺与结构原理都不相同应用起来也不同,要想搞清你的问题还要从工艺来说.拿增强型来讲:P-MOS它共有4个极分别为:G、D、S、还有个衬底,现在的衬底跟S都是在内部接一起的,如果你是单电源的话,直接在D加正电压,S接地,很可能会烧坏P-MOS,电流会很大!G也就没啥作用了,根本就不能工作.
@方奋6580：p沟道的增强型mos管,d和s接电源,当g悬空,即g什么都不接时,该mos管会工作吗? -
管疤18168299688…… 有可能工作,并且很容易烧坏,因为mos管是电压开启型管子,基本不需要电流的,直接在漏源极接电源在高频或者感扰较大的情况下,悬空的栅极很容易出现少量电荷低电压导通mos管,在这种状态下mos工作在非全导通状态,相当于电阻,发热比较严重,达到一定温度就冒烟或者炸管了.因此mos管的钳位电阻是很有必要的.
@方奋6580：P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? -
管疤18168299688…… 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强
@方奋6580：在什么条件下才可以将P沟道增强型MOS管近似地看作一个理想开关? -
管疤18168299688…… 增强型比较清楚: 1、p沟道增强型:当ugs2、n沟道增强型:当ugs>ugs(th)时,开启.这个ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2v ~ 4v之间. 耗尽型的管子比较少见. 1、p沟道耗尽型:当ugs 2、n沟道耗尽型:当ugs>ugs(off)时导通,这个ugs(off)是一个负数值.
@方奋6580：谁能简明扼要介绍MOS 管,包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异? -
管疤18168299688…… 其实网上这方面资料有的是,你也应该看到不少.我说说我自己的理解. 关于MOS管记住几点就可以了 1、P和N .这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5...
@方奋6580：增强型P沟道MOS管当加适当电压(Ugs - 作业帮
管疤18168299688…… [答案] 当然需要,如果漏电压高于源电压的话,那么那个漏才是源,源才是漏,电极的名字都换过来了. 那么名字换过来需要吗?当然需要,因为Ugs是栅源电压,在这件事上这俩电极不对称! 所以,漏电压一定低于源电压,Uds一定小于0,这是结论,不...
@方奋6580：常用MOS管有哪些型号? -
管疤18168299688…… MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型两种.即:N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管.具体到型号,你可以在网上搜一下,有MOS管型号对照表.
@方奋6580：pmos晶体管的工作原理 -
管疤18168299688…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@方奋6580：场效应管所有符号,我不常用mos,到底是N型和P型的我分不开. - 作业帮
管疤18168299688…… [答案] mos管分四种,N沟道增强型和耗尽型,P沟道增强型和耗尽型.箭头指向g的且带虚线的为N增强,没有虚线的为N耗尽.箭头背向g端的且带虚线的为P增强,不带虚线则为P耗尽.希望说的你能明白,小妹新手,多多关照!有没说清楚的继续,
管疤18168299688…… 金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N够道与P沟道两大类,P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两级之间不通导,栅极上有足够的正电压(源极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道.改变栅压可以改变沟道中的电子密度,从而改变沟道的电阻.这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管.如果N型硅衬底表面不加栅压就以存在P型反型层沟道,加上适当的偏压,可使沟道的电阻增大或减小.这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管.统称为PMOS晶体管.
@方奋6580：P - mos管是靠空穴导电的,如果在漏极加正电压,源极接地为什么不行 -
管疤18168299688…… MOS管种类很多,像结型,增强型,耗尽型,不知你指的是哪种?它们工工艺与结构原理都不相同应用起来也不同,要想搞清你的问题还要从工艺来说.拿增强型来讲:P-MOS它共有4个极分别为:G、D、S、还有个衬底,现在的衬底跟S都是在内部接一起的,如果你是单电源的话,直接在D加正电压,S接地,很可能会烧坏P-MOS,电流会很大!G也就没啥作用了,根本就不能工作.
@方奋6580：p沟道的增强型mos管,d和s接电源,当g悬空,即g什么都不接时,该mos管会工作吗? -
管疤18168299688…… 有可能工作,并且很容易烧坏,因为mos管是电压开启型管子,基本不需要电流的,直接在漏源极接电源在高频或者感扰较大的情况下,悬空的栅极很容易出现少量电荷低电压导通mos管,在这种状态下mos工作在非全导通状态,相当于电阻,发热比较严重,达到一定温度就冒烟或者炸管了.因此mos管的钳位电阻是很有必要的.
@方奋6580：P沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管区别? -
管疤18168299688…… 从结构上看,N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅-源极间电压vGS=0时,耗尽型MOS管中的漏-源极间已有导电沟道产生,而增强
@方奋6580：在什么条件下才可以将P沟道增强型MOS管近似地看作一个理想开关? -
管疤18168299688…… 增强型比较清楚: 1、p沟道增强型:当ugs2、n沟道增强型:当ugs>ugs(th)时,开启.这个ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2v ~ 4v之间. 耗尽型的管子比较少见. 1、p沟道耗尽型:当ugs 2、n沟道耗尽型:当ugs>ugs(off)时导通,这个ugs(off)是一个负数值.
@方奋6580：谁能简明扼要介绍MOS 管,包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异? -
管疤18168299688…… 其实网上这方面资料有的是,你也应该看到不少.我说说我自己的理解. 关于MOS管记住几点就可以了 1、P和N .这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5...
@方奋6580：增强型P沟道MOS管当加适当电压(Ugs - 作业帮
管疤18168299688…… [答案] 当然需要,如果漏电压高于源电压的话,那么那个漏才是源,源才是漏,电极的名字都换过来了. 那么名字换过来需要吗?当然需要,因为Ugs是栅源电压,在这件事上这俩电极不对称! 所以,漏电压一定低于源电压,Uds一定小于0,这是结论,不...
@方奋6580：常用MOS管有哪些型号? -
管疤18168299688…… MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和耗尽型两种.即:N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管.具体到型号,你可以在网上搜一下,有MOS管型号对照表.
@方奋6580：pmos晶体管的工作原理 -
管疤18168299688…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@方奋6580：场效应管所有符号,我不常用mos,到底是N型和P型的我分不开. - 作业帮
管疤18168299688…… [答案] mos管分四种,N沟道增强型和耗尽型,P沟道增强型和耗尽型.箭头指向g的且带虚线的为N增强,没有虚线的为N耗尽.箭头背向g端的且带虚线的为P增强,不带虚线则为P耗尽.希望说的你能明白,小妹新手,多多关照!有没说清楚的继续,
