为什么nmos高电平导通
@吕欧654：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
亢贝18835945573…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@吕欧654：为什么CMOS反相器当V1输入为0时T1会导通? -
亢贝18835945573…… 显然是这样啊,nmos栅电压小于阈值电压时就截至了,所以输入为0时,nmos是截止的.pmos的转移特性曲线和nmos相反,所以是导通的.正是这样,输出相当于和电源短路(pmos导通),和地开路(nmos截至),于是输出就是高电平~实现反相器的作用~
@吕欧654：CMOS传输门 -
亢贝18835945573…… MOS管的导通条件就是衬底和门极之间施加反偏电压,接地或高电平是为了提供导通条件 --电子设计网dzsj
@吕欧654：MOS管开关电路 -
亢贝18835945573…… 1 这个电路采用是NMOS管,如果COP是高组态,那么为什么A点处是高电平,那个Rcop上拉电阻如果达到1M,那么A处还是高电平吗? 答:正是由于Rcop所以COP是高组态时处是高电平.即便Rcop阻值高达10MA处还会是高电平,只是阻值太高容易引入干扰,所以取几K的阻值就好. 2 图中标识的放电用FET,我大概分析下是:NMOS管的栅极B如果是低电平,那么放电用MOS管应该是导通的,此时电流流向是D流向S的,这个分析对吗?答:应该DOB是高电平时放电FET导通.
@吕欧654：CMOS传输门为什么C=1时T1T2管是至少有一个导通,不是一定都导通吗? -
亢贝18835945573…… 这是因为两个CMOS管的沟道类型不同,对于N沟道管C=1时导通,P沟道管则反之C=0时导通.
@吕欧654：门电路工作原理? -
亢贝18835945573…… CMOS看,由于制造工艺的改进,CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 .CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL.此外,几乎所有的超大规模存储器件 ,以及PLD器件都采用...
@吕欧654：MOS管截止时内阻不是很大么?为什么P沟道MOS截止时输出低电平,N沟道输出高电平? -
亢贝18835945573…… 输出高低电平跟MOS管的种类无关啊,关键看你的电路连接,比如N沟道,如果你是漏极D作为输出端,截止时就是高电平,但如果你是源极S作为输出,截止的时候就是低电平啊.P沟道也一样,看你把输出端连接到MOS管的哪一脚,P沟道截止一样可以输出高电平的. 当然如果都接漏极,就会是你说的P沟道低,N沟道高了.你如果要问这是为什么的话,好吧:P沟道供电是接到源极的,漏极接GND,所以截止时P沟道输出就是漏极所连接的GND,即低.而N沟道供电是接到漏极的,明白了吧
@吕欧654：在晶体管的逻辑电平中,为什么NMOS提供强0弱1?怎么解释?求高人指点 -
亢贝18835945573…… 因栅源电压VGS>VTN,若NMOS源端输出,则输出电压小于栅压,否则NMOS关闭了.
@吕欧654：请问这个电路里面P0.3低电平的时候为什么MOS管导通? -
亢贝18835945573…… 图中的MOS管为P沟道增强型场效应管,其开启电压为高电平,即当其栅极为高电平时,该MOS管导通. 当P0.3为低电平时,9013截止,集电极为高电平,故MOS管导通.
@吕欧654：芯片是如何输出负电平的? -
亢贝18835945573…… 1、逻辑电路.只有高低之分.7404振荡电路不是标准电平应用.输出端一般是CMOS互补推挽结构.上面一个PMOS,下面一个NMOS.源极分别接电源和地,栅极搞到一起.只要栅极为高,NMOS导通.就出低电平啦. 2、负电平,对于功率型芯片,是开关电源范畴.电荷泵等芯片可以输出.还有的,如232芯片,其实内部还是个开关电源.
亢贝18835945573…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@吕欧654：为什么CMOS反相器当V1输入为0时T1会导通? -
亢贝18835945573…… 显然是这样啊,nmos栅电压小于阈值电压时就截至了,所以输入为0时,nmos是截止的.pmos的转移特性曲线和nmos相反,所以是导通的.正是这样,输出相当于和电源短路(pmos导通),和地开路(nmos截至),于是输出就是高电平~实现反相器的作用~
@吕欧654：CMOS传输门 -
亢贝18835945573…… MOS管的导通条件就是衬底和门极之间施加反偏电压,接地或高电平是为了提供导通条件 --电子设计网dzsj
@吕欧654：MOS管开关电路 -
亢贝18835945573…… 1 这个电路采用是NMOS管,如果COP是高组态,那么为什么A点处是高电平,那个Rcop上拉电阻如果达到1M,那么A处还是高电平吗? 答:正是由于Rcop所以COP是高组态时处是高电平.即便Rcop阻值高达10MA处还会是高电平,只是阻值太高容易引入干扰,所以取几K的阻值就好. 2 图中标识的放电用FET,我大概分析下是:NMOS管的栅极B如果是低电平,那么放电用MOS管应该是导通的,此时电流流向是D流向S的,这个分析对吗?答:应该DOB是高电平时放电FET导通.
@吕欧654：CMOS传输门为什么C=1时T1T2管是至少有一个导通,不是一定都导通吗? -
亢贝18835945573…… 这是因为两个CMOS管的沟道类型不同,对于N沟道管C=1时导通,P沟道管则反之C=0时导通.
@吕欧654：门电路工作原理? -
亢贝18835945573…… CMOS看,由于制造工艺的改进,CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 .CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL.此外,几乎所有的超大规模存储器件 ,以及PLD器件都采用...
@吕欧654：MOS管截止时内阻不是很大么?为什么P沟道MOS截止时输出低电平,N沟道输出高电平? -
亢贝18835945573…… 输出高低电平跟MOS管的种类无关啊,关键看你的电路连接,比如N沟道,如果你是漏极D作为输出端,截止时就是高电平,但如果你是源极S作为输出,截止的时候就是低电平啊.P沟道也一样,看你把输出端连接到MOS管的哪一脚,P沟道截止一样可以输出高电平的. 当然如果都接漏极,就会是你说的P沟道低,N沟道高了.你如果要问这是为什么的话,好吧:P沟道供电是接到源极的,漏极接GND,所以截止时P沟道输出就是漏极所连接的GND,即低.而N沟道供电是接到漏极的,明白了吧
@吕欧654：在晶体管的逻辑电平中,为什么NMOS提供强0弱1?怎么解释?求高人指点 -
亢贝18835945573…… 因栅源电压VGS>VTN,若NMOS源端输出,则输出电压小于栅压,否则NMOS关闭了.
@吕欧654：请问这个电路里面P0.3低电平的时候为什么MOS管导通? -
亢贝18835945573…… 图中的MOS管为P沟道增强型场效应管,其开启电压为高电平,即当其栅极为高电平时,该MOS管导通. 当P0.3为低电平时,9013截止,集电极为高电平,故MOS管导通.
@吕欧654：芯片是如何输出负电平的? -
亢贝18835945573…… 1、逻辑电路.只有高低之分.7404振荡电路不是标准电平应用.输出端一般是CMOS互补推挽结构.上面一个PMOS,下面一个NMOS.源极分别接电源和地,栅极搞到一起.只要栅极为高,NMOS导通.就出低电平啦. 2、负电平,对于功率型芯片,是开关电源范畴.电荷泵等芯片可以输出.还有的,如232芯片,其实内部还是个开关电源.
