pmos为什么低电平导通吗
@朱蚀1504：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
柳劳13310943756…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@朱蚀1504：pmos管是高电平导通还是低电平导通啊 -
柳劳13310943756…… 低电平导通
@朱蚀1504：CMOS反相器输出为低电平时,其等效结构中是NMOS导通还是PMOS导通 -
柳劳13310943756…… 当然是下面的NMOS导通.
@朱蚀1504：TTL与非门和CMOS与非门
柳劳13310943756…… 它们的输入端均是一端接高电平,TTL的另一端通过一个10k的电阻接地,这个10K电阻使得输入端电压大于1.2V,也就是输入为高电平,因为TTL是电流驱动器件,输入端内部有上拉电阻.将10K减小到1K,输入就应为低电平了.CMOS是电压驱动器件,10K电阻接地就使得CMOS输入为低电平,所以CMOS与非门输出为高电平.
@朱蚀1504：求PMOS和NMOS在POWER management的区别 -
柳劳13310943756…… 你好,关于PMOS和NMOS在POWER management的区别 1. NMOS是栅极高电平导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通 2. PMOS是栅极低电平导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通 缺点是价格贵、导通电阻大、发热大、效率低,优点是容易驱动,只要把栅极电压拉下来就可以了 希望对你有帮助
@朱蚀1504：无论输入是高电平还是低电平,cmos反向器中总有一个mos管 -
柳劳13310943756…… CMOS反相器输出为低电平时,其等效结构中是NMOS导通,当输出高电平时,其等效结构中是PMOS导通.
@朱蚀1504：门电路工作原理? -
柳劳13310943756…… CMOS看,由于制造工艺的改进,CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 .CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL.此外,几乎所有的超大规模存储器件 ,以及PLD器件都采用...
@朱蚀1504：cmos的主要有哪些构成 -
柳劳13310943756…… cmos的主要有哪些构成: CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成,它的特点是低功耗.由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至,比线性的三极管(BJT)效率要高得多,因此功耗很低. 相对于其他逻辑系列,CMOS逻辑电路具有以下优点: 1、允许的电源电压范围宽,方便电源电路的设计; 2、逻辑摆幅大,使电路抗干扰能力强; 3、静态功耗低; 4、隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大,从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多.
@朱蚀1504：51单片机控制PMOS管去开关5V不成功,求高手解决? -
柳劳13310943756…… PMOS焊接在洞洞板上测试,满负载(80mA)没问题, 但是PCB上满负载时,单片机管脚输出低电平去导通PMOS,却被拉高, 去掉其中一个负载才可以导通,单片机输出恢复到正常的低电平, ---- 这个问题,恐怕是电路问题,仔细检查电路吧. ---- 以低电平、拉电流方式来控制5V的外设,是个正确的方法. 如果外部器件的电源,超出了5V,才应该用高电平.
@朱蚀1504：pmos晶体管的工作原理 -
柳劳13310943756…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
柳劳13310943756…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@朱蚀1504：pmos管是高电平导通还是低电平导通啊 -
柳劳13310943756…… 低电平导通
@朱蚀1504：CMOS反相器输出为低电平时,其等效结构中是NMOS导通还是PMOS导通 -
柳劳13310943756…… 当然是下面的NMOS导通.
@朱蚀1504：TTL与非门和CMOS与非门
柳劳13310943756…… 它们的输入端均是一端接高电平,TTL的另一端通过一个10k的电阻接地,这个10K电阻使得输入端电压大于1.2V,也就是输入为高电平,因为TTL是电流驱动器件,输入端内部有上拉电阻.将10K减小到1K,输入就应为低电平了.CMOS是电压驱动器件,10K电阻接地就使得CMOS输入为低电平,所以CMOS与非门输出为高电平.
@朱蚀1504：求PMOS和NMOS在POWER management的区别 -
柳劳13310943756…… 你好,关于PMOS和NMOS在POWER management的区别 1. NMOS是栅极高电平导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通 2. PMOS是栅极低电平导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通 缺点是价格贵、导通电阻大、发热大、效率低,优点是容易驱动,只要把栅极电压拉下来就可以了 希望对你有帮助
@朱蚀1504：无论输入是高电平还是低电平,cmos反向器中总有一个mos管 -
柳劳13310943756…… CMOS反相器输出为低电平时,其等效结构中是NMOS导通,当输出高电平时,其等效结构中是PMOS导通.
@朱蚀1504：门电路工作原理? -
柳劳13310943756…… CMOS看,由于制造工艺的改进,CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 .CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL.此外,几乎所有的超大规模存储器件 ,以及PLD器件都采用...
@朱蚀1504：cmos的主要有哪些构成 -
柳劳13310943756…… cmos的主要有哪些构成: CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成,它的特点是低功耗.由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至,比线性的三极管(BJT)效率要高得多,因此功耗很低. 相对于其他逻辑系列,CMOS逻辑电路具有以下优点: 1、允许的电源电压范围宽,方便电源电路的设计; 2、逻辑摆幅大,使电路抗干扰能力强; 3、静态功耗低; 4、隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大,从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多.
@朱蚀1504：51单片机控制PMOS管去开关5V不成功,求高手解决? -
柳劳13310943756…… PMOS焊接在洞洞板上测试,满负载(80mA)没问题, 但是PCB上满负载时,单片机管脚输出低电平去导通PMOS,却被拉高, 去掉其中一个负载才可以导通,单片机输出恢复到正常的低电平, ---- 这个问题,恐怕是电路问题,仔细检查电路吧. ---- 以低电平、拉电流方式来控制5V的外设,是个正确的方法. 如果外部器件的电源,超出了5V,才应该用高电平.
@朱蚀1504：pmos晶体管的工作原理 -
柳劳13310943756…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
