pmos高电位导通
@良柔1132：怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 -
上詹15893227228…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@良柔1132：pmos管是高电平导通还是低电平导通啊 -
上詹15893227228…… 低电平导通
@良柔1132：MOS管P沟道不用栅极触发就通?
上詹15893227228…… Pmos要截止,由于电机接了12V电源,需要栅极接12V才能关闭.对于PMOS来说,和PNP类似.需要把12V当零,GND当做-12V.这时,0V截止,负电压导通.接的+5V相当于-7V,当然要导通了.
@良柔1132：Pmos管的开关应用电路,单片机高电平导通低电平关,控制一个4.2V的电压,单片机也是4.2V供电.求大神指点 -
上詹15893227228…… 建议把R6改小点.
@良柔1132：PMOS开关电路一直导通 -
上詹15893227228…… 你是b悬空量的吧,在b点接10k左右的电阻试试.
@良柔1132：cmos与非门电路分析 -
上詹15893227228…… 其实都可以推算的,这里的与非门都工作在开关状态. A\B=0\0时,T3\T4(都是PMOS)都导通,所以F就是VDD,也就是高电平. 其实从这里推论,只要A、B任意有一个是0,F都是VDD. A\B=1\1时,T3\T4都截止,这没话说. 而下面的两个,T1先导通,导通后,T2的S极接地,T2也满足了饱和导通的条件,所以也跟着导通,所以F的电位就相当于接地,所以是0V. 把这四种情况汇总起来,就是与非门的真值表. PS:数字电路的晶体管状态非常好判断,晶体管基本上都工作在开关状态.如果是放大状态的话,管子要消耗压降,再加上电流,很容易热起来.
@良柔1132：CMOS传输门Tp导通的问题 -
上詹15893227228…… 这个一个互补性传输门.其中T1为nmos;T2为pmos;mos管导通条件是|vgs|-|vth|>0; 那么对于pmos作为开关来说Vg=0,Vs=Vo,Vi=Vo那么根据导通条件,|0-Vi|>|Vthp|,即Vi>|Vthp|; 总之一句话,N管适合传输低电平,P管适合传输高电平. 另外加载在T2的VDD只是pmos的衬底偏置,保证pmos正常工作,不参与电路分析.
@良柔1132：pmos晶体管的工作原理 -
上詹15893227228…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@良柔1132：MOS管打开时,是否正向和反向都能导通? -
上詹15893227228…… 是的. 一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压,那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通,当然,对于PMOS也一样. 因为对于MOS管来说,管内的衬底在制造时被连接到了S端,S端已经被确定了,而DS端无法互换,但是DS间的电流方向却可以是双向的.
@良柔1132：RFID电子标签电路组成及原理 -
上詹15893227228…… 一个完整超高频无源RFID标签由天线和标签芯片两部分组成,其中,标签芯片一般包括以下几部分电路: - 电源恢复电路 - 电源稳压电路 - 反向散射调制电路 - 解调电路 - 时钟恢复/产生电路 - 启动信号产生电路 - 参考源产生电路 - 控制单元 ...
上詹15893227228…… 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
@良柔1132：pmos管是高电平导通还是低电平导通啊 -
上詹15893227228…… 低电平导通
@良柔1132：MOS管P沟道不用栅极触发就通?
上詹15893227228…… Pmos要截止,由于电机接了12V电源,需要栅极接12V才能关闭.对于PMOS来说,和PNP类似.需要把12V当零,GND当做-12V.这时,0V截止,负电压导通.接的+5V相当于-7V,当然要导通了.
@良柔1132：Pmos管的开关应用电路,单片机高电平导通低电平关,控制一个4.2V的电压,单片机也是4.2V供电.求大神指点 -
上詹15893227228…… 建议把R6改小点.
@良柔1132：PMOS开关电路一直导通 -
上詹15893227228…… 你是b悬空量的吧,在b点接10k左右的电阻试试.
@良柔1132：cmos与非门电路分析 -
上詹15893227228…… 其实都可以推算的,这里的与非门都工作在开关状态. A\B=0\0时,T3\T4(都是PMOS)都导通,所以F就是VDD,也就是高电平. 其实从这里推论,只要A、B任意有一个是0,F都是VDD. A\B=1\1时,T3\T4都截止,这没话说. 而下面的两个,T1先导通,导通后,T2的S极接地,T2也满足了饱和导通的条件,所以也跟着导通,所以F的电位就相当于接地,所以是0V. 把这四种情况汇总起来,就是与非门的真值表. PS:数字电路的晶体管状态非常好判断,晶体管基本上都工作在开关状态.如果是放大状态的话,管子要消耗压降,再加上电流,很容易热起来.
@良柔1132：CMOS传输门Tp导通的问题 -
上詹15893227228…… 这个一个互补性传输门.其中T1为nmos;T2为pmos;mos管导通条件是|vgs|-|vth|>0; 那么对于pmos作为开关来说Vg=0,Vs=Vo,Vi=Vo那么根据导通条件,|0-Vi|>|Vthp|,即Vi>|Vthp|; 总之一句话,N管适合传输低电平,P管适合传输高电平. 另外加载在T2的VDD只是pmos的衬底偏置,保证pmos正常工作,不参与电路分析.
@良柔1132：pmos晶体管的工作原理 -
上詹15893227228…… PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor别名 : positive MOS金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在...
@良柔1132：MOS管打开时,是否正向和反向都能导通? -
上詹15893227228…… 是的. 一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压,那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通,当然,对于PMOS也一样. 因为对于MOS管来说,管内的衬底在制造时被连接到了S端,S端已经被确定了,而DS端无法互换,但是DS间的电流方向却可以是双向的.
@良柔1132：RFID电子标签电路组成及原理 -
上詹15893227228…… 一个完整超高频无源RFID标签由天线和标签芯片两部分组成,其中,标签芯片一般包括以下几部分电路: - 电源恢复电路 - 电源稳压电路 - 反向散射调制电路 - 解调电路 - 时钟恢复/产生电路 - 启动信号产生电路 - 参考源产生电路 - 控制单元 ...
