半导体离子注入机
@杜重5162：离子注入机是将所需离子经过加速、选择、扫描从而将离子“注入”半导体材料的设备.其整个系统如甲图所示.其工作原理简化图如乙图所示.MN是理想平行... - 作业帮
靳逄18092128824…… [答案] (1)粒子在电场中加速,由动能定理得: q* 1 2U0= 1 2mv2, 解得:v= qU0m; (2)粒子从D点射出时,设半径为r,所加电压为... ＂,title:＂离子注入机是将所需离子经过加速、选择、扫描从而将离子“注入”半导体材料的设备.其整个系统如甲图所示.其...
@杜重5162：半导体材料中,离子注入与离子掺杂有什么区别? -
靳逄18092128824…… 离子注入是离子参杂的一种. 随着VLSI器件的发展,到了70年代,器件尺寸不断减小,结深降到1um以下,扩散技术有些力不从心.在这种情况下,离子注入技术比较好的发挥其优势.目前,结深小于1um的平面工艺,基本都采用离子注入技术...
@杜重5162：离子注入技术的基本信息 -
靳逄18092128824…… 离子注入首先是作为一种半导体材料的掺杂技术发展起来的,它所取得的成功是其优越性的最好例证.低温掺杂、精确的剂量控制、掩蔽容易、均匀性好这些优点,使得经离子注入掺杂所制成的几十种半导体器件和集成电路具有速度快、功耗低...
@杜重5162：什么是离子注入?什么是离子注入机? -
靳逄18092128824…… 当真空中有一束离子束射向一块固体材料时,离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面,这个现象叫做溅射;而当离子束射到固体材料时,从固体材料表面弹了回来,或者穿出固体材料而去,这些现象叫做散射;另外有一种现象是,离...
@杜重5162：人类发明的信息技术主要有哪些? -
靳逄18092128824…… 信息技术产品协议涉及的产品很广泛,约300多个税号,主要集中在协调编码制第84、85和90章,个别产品在第38、68和70章.主要包括以下几类: 1.计算机及软件:计算机系统、笔记本电脑、中央处理器、键盘、打印机、显示器、扫描仪、...
@杜重5162：离子源的离子源的应用 - 离子束 -
靳逄18092128824…… ion beam 以近似一致的速度沿几乎同一方向运动的一群离子. 离子源是用以获得离子束的装置.我们知道,在各类离子源中,用得最多的是等离子体离子源,即用电场将离子从一团等离子体中引出来.这类离子源的主要参数由等离子体的密度、温度和引出系统的质量决定.属于这类离子源的有:潘宁放电型离子源射频离子源、微波离子源、双等离子体源、富立曼离子源等.另一类使用较多的离子源是电子碰撞型离子源,主要用于各种质谱仪器中.此外,离子源还有表面电离源、光致电离离子源、液态金属离子源等类型.
@杜重5162：离子注入后 工件原子或分子会溅射吗 -
靳逄18092128824…… 离子注入需要有适用的离子注入设备.半导体掺杂用离子注入机的能量范围为20~400千电子伏.硼离子注入硅的注入深度一般在1微米以下,束流强度为几十至几百微安.离子注入机有先分析后加速和先加速后分析两种型式.优点:(1)它是一种纯净的无公害的表面处理技术;(2)无需热激活,无需在高温环境下进行,因而不会改变工件的外形尺寸和表面光洁度;(3)离子注入层由离子束与基体表面发生一系列物理和化学相互作用而形成的一个新表面层,它与基体之间不存在剥落问题;(4)离子注入后无需再进行机械加工和热处理
@杜重5162：离子注入的应用 -
靳逄18092128824…… 在电子工业中,离子注入成为了微电子工艺中的一种重要的掺杂技术,也是控制MOSFET阈值电压的一个重要手段.因此在当代制造大规模集成电路中,可以说是一种必不可少的手段. 离子注入的方法就是在真空中、低温下,把杂质离子加速(对Si,电压≥105 V),获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中;同时也会在半导体中产生一些晶格缺陷,因此在离子注入后需用低温进行退火或激光退火来消除这些缺陷.离子注入的杂质浓度分布一般呈现为高斯分布,并且浓度最高处不是在表面,而是在表面以内的一定深度处. 离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、深度分布和面均匀性,而且是低温工艺(可防止原来杂质的再扩散等),同时可实现自对准技术(以减小电容效应).
@杜重5162：微电子企业的主要加工设备 -
靳逄18092128824…… 磁增强反应离子刻蚀机 等离子体刻蚀机 磁控溅射台 离子注入机 PECVD MOCVD 激光调阻机 铝丝压焊机 半导体设备 薄膜平坦化设备 立式扩散氧化炉 多晶硅铸锭炉
@杜重5162：离子注入机的辐射大吗? -
靳逄18092128824…… 一般注入时,都是个在封闭式的真空环境,所以辐射没那么大.
靳逄18092128824…… [答案] (1)粒子在电场中加速,由动能定理得: q* 1 2U0= 1 2mv2, 解得:v= qU0m; (2)粒子从D点射出时,设半径为r,所加电压为... ＂,title:＂离子注入机是将所需离子经过加速、选择、扫描从而将离子“注入”半导体材料的设备.其整个系统如甲图所示.其...
@杜重5162：半导体材料中,离子注入与离子掺杂有什么区别? -
靳逄18092128824…… 离子注入是离子参杂的一种. 随着VLSI器件的发展,到了70年代,器件尺寸不断减小,结深降到1um以下,扩散技术有些力不从心.在这种情况下,离子注入技术比较好的发挥其优势.目前,结深小于1um的平面工艺,基本都采用离子注入技术...
@杜重5162：离子注入技术的基本信息 -
靳逄18092128824…… 离子注入首先是作为一种半导体材料的掺杂技术发展起来的,它所取得的成功是其优越性的最好例证.低温掺杂、精确的剂量控制、掩蔽容易、均匀性好这些优点,使得经离子注入掺杂所制成的几十种半导体器件和集成电路具有速度快、功耗低...
@杜重5162：什么是离子注入?什么是离子注入机? -
靳逄18092128824…… 当真空中有一束离子束射向一块固体材料时,离子束把固体材料的原子或分子撞出固体材料表面,这个现象叫做溅射;而当离子束射到固体材料时,从固体材料表面弹了回来,或者穿出固体材料而去,这些现象叫做散射;另外有一种现象是,离...
@杜重5162：人类发明的信息技术主要有哪些? -
靳逄18092128824…… 信息技术产品协议涉及的产品很广泛,约300多个税号,主要集中在协调编码制第84、85和90章,个别产品在第38、68和70章.主要包括以下几类: 1.计算机及软件:计算机系统、笔记本电脑、中央处理器、键盘、打印机、显示器、扫描仪、...
@杜重5162：离子源的离子源的应用 - 离子束 -
靳逄18092128824…… ion beam 以近似一致的速度沿几乎同一方向运动的一群离子. 离子源是用以获得离子束的装置.我们知道,在各类离子源中,用得最多的是等离子体离子源,即用电场将离子从一团等离子体中引出来.这类离子源的主要参数由等离子体的密度、温度和引出系统的质量决定.属于这类离子源的有:潘宁放电型离子源射频离子源、微波离子源、双等离子体源、富立曼离子源等.另一类使用较多的离子源是电子碰撞型离子源,主要用于各种质谱仪器中.此外,离子源还有表面电离源、光致电离离子源、液态金属离子源等类型.
@杜重5162：离子注入后 工件原子或分子会溅射吗 -
靳逄18092128824…… 离子注入需要有适用的离子注入设备.半导体掺杂用离子注入机的能量范围为20~400千电子伏.硼离子注入硅的注入深度一般在1微米以下,束流强度为几十至几百微安.离子注入机有先分析后加速和先加速后分析两种型式.优点:(1)它是一种纯净的无公害的表面处理技术;(2)无需热激活,无需在高温环境下进行,因而不会改变工件的外形尺寸和表面光洁度;(3)离子注入层由离子束与基体表面发生一系列物理和化学相互作用而形成的一个新表面层,它与基体之间不存在剥落问题;(4)离子注入后无需再进行机械加工和热处理
@杜重5162：离子注入的应用 -
靳逄18092128824…… 在电子工业中,离子注入成为了微电子工艺中的一种重要的掺杂技术,也是控制MOSFET阈值电压的一个重要手段.因此在当代制造大规模集成电路中,可以说是一种必不可少的手段. 离子注入的方法就是在真空中、低温下,把杂质离子加速(对Si,电压≥105 V),获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中;同时也会在半导体中产生一些晶格缺陷,因此在离子注入后需用低温进行退火或激光退火来消除这些缺陷.离子注入的杂质浓度分布一般呈现为高斯分布,并且浓度最高处不是在表面,而是在表面以内的一定深度处. 离子注入的优点是能精确控制杂质的总剂量、深度分布和面均匀性,而且是低温工艺(可防止原来杂质的再扩散等),同时可实现自对准技术(以减小电容效应).
@杜重5162：微电子企业的主要加工设备 -
靳逄18092128824…… 磁增强反应离子刻蚀机 等离子体刻蚀机 磁控溅射台 离子注入机 PECVD MOCVD 激光调阻机 铝丝压焊机 半导体设备 薄膜平坦化设备 立式扩散氧化炉 多晶硅铸锭炉
@杜重5162：离子注入机的辐射大吗? -
靳逄18092128824…… 一般注入时,都是个在封闭式的真空环境,所以辐射没那么大.
