场效应管5012参数
@谯辉5409：场效应管有哪几种参数?
富看18935189092…… VDSS----最大-耐压 VDGR----栅漏耐压 VGS(th)------控制栅门限电压(或叫最低栅控制电压) VGSM---控制栅最大电压 ID---------漏极最大电流 tr----------最大工作频率(或叫响应速度) RDS(on)--D/S导通电阻 使用者注意以上参数便行.
@谯辉5409：场效应管的主要参数有哪些?
富看18935189092…… 场效应管交流参数交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高
@谯辉5409：场效应管是干什么用,主要参数? -
富看18935189092…… 场效应管主要是用来做开关或者用在升压板上,主要的参数为Vds(耐电压),Ids(耐电流)以及Rds(on)(导通电阻).
@谯辉5409：随能介绍下场效应管的型号,标识,及如何用万用表判别好坏 -
富看18935189092…… 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二...
@谯辉5409：场效应管在电路中有什么作用啊为什么要叫它场效应管它的参数是多少啊谁能告诉我啊谢谢了 -
富看18935189092…… 从我的使用经验方面通俗地讲一下(其它正规说明网上很多,我就不说了):场效应管相当于CMOS型的三极管,N沟道的相当于NPN三极管,P沟道的相当于PNP三极管;其栅极(G)相当于三极管的基级,;漏极(S)相当于发射极;源极(D)相当于集极极.但由于它比起三极管有输入阻抗大、功耗低、抗干扰强的特点,在需要用小信号控制放大的情况下使用比用普通三极管要好得多.
@谯辉5409：irfpg50场效应管参数
富看18935189092……   irfpg50场效应管参数:   其型号为IRFPG50,类型为N沟道场效应管,耗散功率(PD)为180W,漏极电流(ID)为6.1A,漏极和源极电压(VDSS)为1000V,封装TO-247AC.   场效应晶体管有两种类型(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.
@谯辉5409：各位,场效应管K4107参数是多少,先谢了, -
富看18935189092…… K4107为 500V、17A、 N沟道的场效应管,具体参数如下:漏源电压(Drain−source voltage) VDSS=500 V,ID=15 A栅源电压(Gate−source voltage )VGSS ±30 V漏极功率耗散功率(Drain power dissipation) PD=150 W(Tc = 25°C)...
@谯辉5409：IXFH26N50场效应管数据 -
富看18935189092…… 26N50场效应管参数:500v,26a,导通电阻0.2欧,详情看下面的图片说明~
富看18935189092…… VDSS----最大-耐压 VDGR----栅漏耐压 VGS(th)------控制栅门限电压(或叫最低栅控制电压) VGSM---控制栅最大电压 ID---------漏极最大电流 tr----------最大工作频率(或叫响应速度) RDS(on)--D/S导通电阻 使用者注意以上参数便行.
@谯辉5409：场效应管的主要参数有哪些?
富看18935189092…… 场效应管交流参数交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间,而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内,特殊的可达100mS,甚至更高
@谯辉5409：场效应管是干什么用,主要参数? -
富看18935189092…… 场效应管主要是用来做开关或者用在升压板上,主要的参数为Vds(耐电压),Ids(耐电流)以及Rds(on)(导通电阻).
@谯辉5409：随能介绍下场效应管的型号,标识,及如何用万用表判别好坏 -
富看18935189092…… 1.概念: 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二...
@谯辉5409：场效应管在电路中有什么作用啊为什么要叫它场效应管它的参数是多少啊谁能告诉我啊谢谢了 -
富看18935189092…… 从我的使用经验方面通俗地讲一下(其它正规说明网上很多,我就不说了):场效应管相当于CMOS型的三极管,N沟道的相当于NPN三极管,P沟道的相当于PNP三极管;其栅极(G)相当于三极管的基级,;漏极(S)相当于发射极;源极(D)相当于集极极.但由于它比起三极管有输入阻抗大、功耗低、抗干扰强的特点,在需要用小信号控制放大的情况下使用比用普通三极管要好得多.
@谯辉5409：irfpg50场效应管参数
富看18935189092……   irfpg50场效应管参数:   其型号为IRFPG50,类型为N沟道场效应管,耗散功率(PD)为180W,漏极电流(ID)为6.1A,漏极和源极电压(VDSS)为1000V,封装TO-247AC.   场效应晶体管有两种类型(junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET).由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.
@谯辉5409：各位,场效应管K4107参数是多少,先谢了, -
富看18935189092…… K4107为 500V、17A、 N沟道的场效应管,具体参数如下:漏源电压(Drain−source voltage) VDSS=500 V,ID=15 A栅源电压(Gate−source voltage )VGSS ±30 V漏极功率耗散功率(Drain power dissipation) PD=150 W(Tc = 25°C)...
@谯辉5409：IXFH26N50场效应管数据 -
富看18935189092…… 26N50场效应管参数:500v,26a,导通电阻0.2欧,详情看下面的图片说明~
