晶体管放大状态的条件
@步陈3040:晶体管具有放大作用,其外部条件和内部条件各为什么 -
隆生19358919649…… 内部条件 基区:较薄,掺杂浓度低. 发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高). 集电区:面积较大(利于少子漂移). 外部条件 发射结加正向偏置电压,使其正向导通. 集电结加反向偏置电压,使其反向截止.
@步陈3040:晶体管放大状态的特点 -
隆生19358919649…… 晶体管各极的电压:NPN管Vc>Vb>Ve时或PNP管Vc<Vb<Ve时,晶体管就处于放大状态; 晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.
@步陈3040:晶体三极管处于放大状态的条件是什么?
隆生19358919649…… 放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态.
隆生19358919649…… 内部条件 基区:较薄,掺杂浓度低. 发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高). 集电区:面积较大(利于少子漂移). 外部条件 发射结加正向偏置电压,使其正向导通. 集电结加反向偏置电压,使其反向截止.
@步陈3040:晶体管放大状态的特点 -
隆生19358919649…… 晶体管各极的电压:NPN管Vc>Vb>Ve时或PNP管Vc<Vb<Ve时,晶体管就处于放大状态; 晶体管处于放大状态时,集电结反偏,而发射结正偏.这就是晶体管处于放大工作状态时的特点.
@步陈3040:晶体三极管处于放大状态的条件是什么?
隆生19358919649…… 放大状态:当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压,并处于某一恰当的值时,三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置,这时基极电流对集电极电流起着控制作用,使三极管具有电流放大作用,其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb,这时三极管处放大状态.