晶体管能够放大的内部条件
@叶眉4353：晶体管具有放大作用,其外部条件和内部条件各为什么 - 作业帮
冯菊15651569531…… [答案] 内部条件 基区:较薄,掺杂浓度低. 发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高). 集电区:面积较大(利于少子漂移). 外部条件 发射结加正向偏置电压,使其正向导通. 集电结加反向偏置电压,使其反向截止.
@叶眉4353：晶体三极管具有放大作用的内外条件分别是什么 - 作业帮
冯菊15651569531…… [答案] 内部条件是基区薄、杂质浓度低,集电区体积大,杂质浓度不高;发射区杂质浓度最高 外部条件是发射结正偏,集电结反偏
@叶眉4353：请问:晶体管的放大条件是两个结都正偏吗? -
冯菊15651569531…… 如果是共发射极型NPN管 那么放大条件是发射极正偏 集电极反偏 其它情况以此类推
@叶眉4353：三极管具有放大电路的内部条件和外部条件各是什么 -
冯菊15651569531…… 三极管具有放大电路,要求: 外部条件是:电源、输入信号、输出负载. 内部条件是:放大倍数β大于1,发射结正向配置、集电结反向配置. 其中β是集电极电流除以基极电流得到的倍数. 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.
@叶眉4353：晶体管的结构及性能特点有哪些 -
冯菊15651569531…… 1.晶体管的结构 晶体管内部由两PN结构成,其三个电极分别为集电极(用字母C或c表示),基极(用字母B或b表示)和发射极(用字母E或e表示).如图5-4所示,晶体管的两个PN结分别称为集电结(C、B极之间)和发射结(B、E极之间)...
@叶眉4353：2.晶体三极管的放大条件是( ). -
冯菊15651569531…… A, 三极管NPN,PNP两种在放大区的前提条件就是发射结正偏,集电结反偏.NPN 型家的电源EC在集电结端为正,发射结为负.PNP型加的电源相反.
冯菊15651569531…… [答案] 内部条件 基区:较薄,掺杂浓度低. 发射区:掺杂浓度高(多子载流子浓度高). 集电区:面积较大(利于少子漂移). 外部条件 发射结加正向偏置电压,使其正向导通. 集电结加反向偏置电压,使其反向截止.
@叶眉4353：晶体三极管具有放大作用的内外条件分别是什么 - 作业帮
冯菊15651569531…… [答案] 内部条件是基区薄、杂质浓度低,集电区体积大,杂质浓度不高;发射区杂质浓度最高 外部条件是发射结正偏,集电结反偏
@叶眉4353：请问:晶体管的放大条件是两个结都正偏吗? -
冯菊15651569531…… 如果是共发射极型NPN管 那么放大条件是发射极正偏 集电极反偏 其它情况以此类推
@叶眉4353：三极管具有放大电路的内部条件和外部条件各是什么 -
冯菊15651569531…… 三极管具有放大电路,要求: 外部条件是:电源、输入信号、输出负载. 内部条件是:放大倍数β大于1,发射结正向配置、集电结反向配置. 其中β是集电极电流除以基极电流得到的倍数. 三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关.晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.
@叶眉4353：晶体管的结构及性能特点有哪些 -
冯菊15651569531…… 1.晶体管的结构 晶体管内部由两PN结构成,其三个电极分别为集电极(用字母C或c表示),基极(用字母B或b表示)和发射极(用字母E或e表示).如图5-4所示,晶体管的两个PN结分别称为集电结(C、B极之间)和发射结(B、E极之间)...
@叶眉4353：2.晶体三极管的放大条件是( ). -
冯菊15651569531…… A, 三极管NPN,PNP两种在放大区的前提条件就是发射结正偏,集电结反偏.NPN 型家的电源EC在集电结端为正,发射结为负.PNP型加的电源相反.
