晶体管rbe公式
@融疤616：rbe的计算公式
哈夏15219678356…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@融疤616：工程上用来估算晶体管输入电阻的公式:R=300+(1+β)26/I 中I 是什么电流? - 作业帮
哈夏15219678356…… [答案] 晶体管输入电阻一般用符号rbe表示,其中26是温度的电压当量UT,在室温时UT=26mV,分母电流应该是发射极电流Ie,这个估算公式应该写为: rbe=300+(1+β)26(mV)/Ie 其中300表示体电阻,单位是Ω. 既然300单位是Ω,那么26(mV)/Ie中的Ie单位应...
@融疤616：三极管r eb值
哈夏15219678356…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@融疤616：multisim 中晶体管的rbe怎么算,用晶体管模型里的参数 -
哈夏15219678356…… rbe由一般由基极体积电阻、PN结电阻及射极体积电阻组成射极体积电阻很小一般忽略, 基极体积电阻由晶体管工艺决定一般由数十至二、三百,PN结电阻与流过电流有关即26(mv)/i(ma) 若是晶体管则改为26(mv)/ie(ma)*β 所以 rbe=基极体积电阻+26(mv)/ie(ma)*β 26(mv)/i(ma) (为波尔兹曼微电阻常数).
@融疤616：低频小功率晶体管的输入内阻公式? -
哈夏15219678356…… 首先我很纳闷你的公式怎么会有具体的数字- - ,你难道是看题里有?r(be)的近似表达式为Rbe=Rbb'+β*Ut/Icq这是基于h参数的等效模型,用于研究动态参数,它的四个参数都是在Q点处求偏导数得到的,具体过程太多就不写了,你可以参照低频教材很容易就找得到的东西,有比较详细的讲解
@融疤616：三极管rbe值 -
哈夏15219678356…… 它对交流而言就是一个动态电阻, 第一有经验公式,不过那是估计值; 第二是为△U be÷△Ibe 也是动态的 看晶体管的特性曲线,假如在小信号的情况下,它是一场数, 在大信号的情况下,由于晶体管的内部电子变化,只能取估值,就看你要做什么,用什么方法取到精度多大的值.
@融疤616：已知某小功率管IB=20μA,估算其输入电阻rbe= - -------. -
哈夏15219678356…… 假设晶体管是硅管.硅管的PN结压降为0.5伏. rbe=0.5/0.00002=25000欧=2.5K
@融疤616：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
哈夏15219678356…… rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ这个公式来源于rbe=rbb'+(1+β)rb'e而rb'e是发射结的等效交流电阻rb'e=△u/△i=du/di=1/(di/du)di/du由二极管正向导通电流对电压求导数得到这个26mv可以认为是发射结上的交流电压降
@融疤616：2.电路如图所示,电路中的晶体管β=60 -
哈夏15219678356…… (1)静态工作点可以求一个,就是集电极电流ICQ;也可以求三个,再加上基极电流IBQ和集--射间电压UCEQ. 本图所示电路静态工作点的求解公式: 1、 IBQ=(Vcc-UBE)/Rb 一般认为UBE是已知(硅管为0.6V,锗管为0.3V,在题中若没有说明...
@融疤616：三极管电路中,rbe(be为脚码)是什么意思?怎么定义的? -
哈夏15219678356…… rbe是BJT晶体管的输入电阻,其定义是BJT输入特性曲线的斜率,即输入的发射结电压增量与基极电流增量的比值,脚码b代表基极,e代表发射极,rbe就代表基极到发射极之间的动态电阻.
哈夏15219678356…… rbe的计算公式:rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻.三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件.作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关.三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种.其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOS FET和VMOS都是绝缘型的场效应管.
@融疤616：工程上用来估算晶体管输入电阻的公式:R=300+(1+β)26/I 中I 是什么电流? - 作业帮
哈夏15219678356…… [答案] 晶体管输入电阻一般用符号rbe表示,其中26是温度的电压当量UT,在室温时UT=26mV,分母电流应该是发射极电流Ie,这个估算公式应该写为: rbe=300+(1+β)26(mV)/Ie 其中300表示体电阻,单位是Ω. 既然300单位是Ω,那么26(mV)/Ie中的Ie单位应...
@融疤616：三极管r eb值
哈夏15219678356…… 严格的公式为:rbe=rbb'+(1+β)*26mV/Ie,过去,由于晶体管工艺不好,生产过很多锗材料的低频管,这种管子rbb'=300Ω,现在大多生产硅管了,其特征频率大大提高,rbb'一般只有几十Ω,而且特征频率越高,rbb'也越小,80Ω的有,50Ω,30Ω的都有,于是现代教材一般回避这个问题,不再要求计算rbe了,或者部分教材干脆来了一个rbe≈(1+β)*26mV/Ie.rbb'这个电阻很不好,它是三极管的基区电阻,在三极管π参数中我们会看到,它严重影响了三极管工作频率的提高,随着生产工艺水平的不断提高,rbb'会越来越小,最终被忽略不计.在微波三极管中,rbb'已经被忽略不计.
@融疤616：multisim 中晶体管的rbe怎么算,用晶体管模型里的参数 -
哈夏15219678356…… rbe由一般由基极体积电阻、PN结电阻及射极体积电阻组成射极体积电阻很小一般忽略, 基极体积电阻由晶体管工艺决定一般由数十至二、三百,PN结电阻与流过电流有关即26(mv)/i(ma) 若是晶体管则改为26(mv)/ie(ma)*β 所以 rbe=基极体积电阻+26(mv)/ie(ma)*β 26(mv)/i(ma) (为波尔兹曼微电阻常数).
@融疤616：低频小功率晶体管的输入内阻公式? -
哈夏15219678356…… 首先我很纳闷你的公式怎么会有具体的数字- - ,你难道是看题里有?r(be)的近似表达式为Rbe=Rbb'+β*Ut/Icq这是基于h参数的等效模型,用于研究动态参数,它的四个参数都是在Q点处求偏导数得到的,具体过程太多就不写了,你可以参照低频教材很容易就找得到的东西,有比较详细的讲解
@融疤616：三极管rbe值 -
哈夏15219678356…… 它对交流而言就是一个动态电阻, 第一有经验公式,不过那是估计值; 第二是为△U be÷△Ibe 也是动态的 看晶体管的特性曲线,假如在小信号的情况下,它是一场数, 在大信号的情况下,由于晶体管的内部电子变化,只能取估值,就看你要做什么,用什么方法取到精度多大的值.
@融疤616：已知某小功率管IB=20μA,估算其输入电阻rbe= - -------. -
哈夏15219678356…… 假设晶体管是硅管.硅管的PN结压降为0.5伏. rbe=0.5/0.00002=25000欧=2.5K
@融疤616：三极管输入电阻rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ -
哈夏15219678356…… rbe=300+(1+β)*26mv/ICQ这个公式来源于rbe=rbb'+(1+β)rb'e而rb'e是发射结的等效交流电阻rb'e=△u/△i=du/di=1/(di/du)di/du由二极管正向导通电流对电压求导数得到这个26mv可以认为是发射结上的交流电压降
@融疤616：2.电路如图所示,电路中的晶体管β=60 -
哈夏15219678356…… (1)静态工作点可以求一个,就是集电极电流ICQ;也可以求三个,再加上基极电流IBQ和集--射间电压UCEQ. 本图所示电路静态工作点的求解公式: 1、 IBQ=(Vcc-UBE)/Rb 一般认为UBE是已知(硅管为0.6V,锗管为0.3V,在题中若没有说明...
@融疤616：三极管电路中,rbe(be为脚码)是什么意思?怎么定义的? -
哈夏15219678356…… rbe是BJT晶体管的输入电阻,其定义是BJT输入特性曲线的斜率,即输入的发射结电压增量与基极电流增量的比值,脚码b代表基极,e代表发射极,rbe就代表基极到发射极之间的动态电阻.
