n型mos管电流方向
@徐纪6580：n沟道mos管,为什么电流必须从D进入从s流出 -
汝玲17564595704…… 反过来流动也是可以的.1. 对于普通水平导电的MOSFET,D极与S极是可以互换的,没有“必须”一说.2. 对于V-MOSFET,因为存在反向的底村寄生二极管,D、S不再对称,反向电流可以不受栅极电压控制,通过二极管继续流通.
@徐纪6580：mos管,三极管,问一下大家电流的流向问题 -
汝玲17564595704…… N沟道MOS管相当于NPN型管,P沟道MOS管相当于PNP型管电流流向一个道理
@徐纪6580：比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... -
汝玲17564595704…… 电流只经过沟道,不经过衬底,没毛病.这里的沟道也叫“反型层”. 沟道的作用:连接两个N掺杂区,这样就可以导通了.沟道来自于P掺杂区,因为G极和衬底B之间电场的作用,电子大量聚集在G极这里,所以这一块的P区就变成了N区(所...
@徐纪6580：MOS管打开时,是否正向和反向都能导通? -
汝玲17564595704…… 是的. 一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压,那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通,当然,对于PMOS也一样. 因为对于MOS管来说,管内的衬底在制造时被连接到了S端,S端已经被确定了,而DS端无法互换,但是DS间的电流方向却可以是双向的.
@徐纪6580：mos管的电流走向 -
汝玲17564595704…… 这位朋友:首先我肯定地说你这个电路图如果作为原理图的话,那准准是错的!因为没有人能够看懂它,也根本行不通!但是如果是个实际的接线图,或是叫作原件图那就是另外一回事了.它就是对的了.这不怪你,就应该怪厂家.厂家是经常...
@徐纪6580：MOSFET - P和MOSFET - N区别在那里?谢谢了 -
汝玲17564595704…… MOSFET-P和MOSFET-N的区别: 1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道; 2、为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极. 而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负...
@徐纪6580：MOS管的源极,漏极,栅极是不是联通的,电流是什么走向?
汝玲17564595704…… 栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反.而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样.
@徐纪6580：在电子技术中:论电流方向来说N沟道MOS管与PNP晶体管这种流向是不是一样的? -
汝玲17564595704…… 理想的mos管,不管nmos还是pmos,沟道打开的时候,电流可从源到漏,也可从漏到源.但是实际的mos管,由于制造工艺的原因,在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管.由于这个寄生二极管的存在,当沟道关闭后,mos管源漏之间仍然能够单向导电.因此,为了让mos管正常工作,必须保证该寄生二极管处于反偏.具体来说,对于nmos,寄生二极管方向是从源到漏,因此电路上电流应该从漏到源,即漏极电位高于源极才能正常工作;而pmos则相反.可简单归纳为“n正驱(栅极电位高于硅基底)反通(漏极高于源极),p反驱正通”
@徐纪6580：MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件 -
汝玲17564595704…… MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上.2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省.3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中. MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和...
@徐纪6580：N沟道mos管源极电流可以向漏极流吗? -
汝玲17564595704…… 功率MOS管通常内部有一个反接的二极管, 就是说源极S电流可以向漏极D流. 我怎么在IR公司的官网上都找不到 IRF907Z ??!!
汝玲17564595704…… 反过来流动也是可以的.1. 对于普通水平导电的MOSFET,D极与S极是可以互换的,没有“必须”一说.2. 对于V-MOSFET,因为存在反向的底村寄生二极管,D、S不再对称,反向电流可以不受栅极电压控制,通过二极管继续流通.
@徐纪6580：mos管,三极管,问一下大家电流的流向问题 -
汝玲17564595704…… N沟道MOS管相当于NPN型管,P沟道MOS管相当于PNP型管电流流向一个道理
@徐纪6580：比如说N沟道增强型MOS管,电流从漏极到源极,是不是电流只经过沟道而不经过衬底,还有连接在衬底和源极... -
汝玲17564595704…… 电流只经过沟道,不经过衬底,没毛病.这里的沟道也叫“反型层”. 沟道的作用:连接两个N掺杂区,这样就可以导通了.沟道来自于P掺杂区,因为G极和衬底B之间电场的作用,电子大量聚集在G极这里,所以这一块的P区就变成了N区(所...
@徐纪6580：MOS管打开时,是否正向和反向都能导通? -
汝玲17564595704…… 是的. 一般NMOS管只要保证GS端的电压大于开启电压,那么在DS间的电流不管正向、反向都能导通,当然,对于PMOS也一样. 因为对于MOS管来说,管内的衬底在制造时被连接到了S端,S端已经被确定了,而DS端无法互换,但是DS间的电流方向却可以是双向的.
@徐纪6580：mos管的电流走向 -
汝玲17564595704…… 这位朋友:首先我肯定地说你这个电路图如果作为原理图的话,那准准是错的!因为没有人能够看懂它,也根本行不通!但是如果是个实际的接线图,或是叫作原件图那就是另外一回事了.它就是对的了.这不怪你,就应该怪厂家.厂家是经常...
@徐纪6580：MOSFET - P和MOSFET - N区别在那里?谢谢了 -
汝玲17564595704…… MOSFET-P和MOSFET-N的区别: 1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道; 2、为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极. 而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负...
@徐纪6580：MOS管的源极,漏极,栅极是不是联通的,电流是什么走向?
汝玲17564595704…… 栅极控制源极和漏极间的电流,MOS导通后源和漏之间形成沟道,电流可以在沟道中流动,n管是漏流向源,p管相反.而MOS栅极一端是多晶硅,绝缘的,没电流,只是控制沟道电流的大小,就像水龙头一样.
@徐纪6580：在电子技术中:论电流方向来说N沟道MOS管与PNP晶体管这种流向是不是一样的? -
汝玲17564595704…… 理想的mos管,不管nmos还是pmos,沟道打开的时候,电流可从源到漏,也可从漏到源.但是实际的mos管,由于制造工艺的原因,在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管.由于这个寄生二极管的存在,当沟道关闭后,mos管源漏之间仍然能够单向导电.因此,为了让mos管正常工作,必须保证该寄生二极管处于反偏.具体来说,对于nmos,寄生二极管方向是从源到漏,因此电路上电流应该从漏到源,即漏极电位高于源极才能正常工作;而pmos则相反.可简单归纳为“n正驱(栅极电位高于硅基底)反通(漏极高于源极),p反驱正通”
@徐纪6580：MOS管特性,包括电流流向,沟道开启条件 -
汝玲17564595704…… MOS管的特性:1、它的栅极-源极间电阻很大,可达10GΩ以上.2、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省.3、集成化时工艺简单,因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中. MOS管有N沟道和P沟道两类,每一类又分为增强型和...
@徐纪6580：N沟道mos管源极电流可以向漏极流吗? -
汝玲17564595704…… 功率MOS管通常内部有一个反接的二极管, 就是说源极S电流可以向漏极D流. 我怎么在IR公司的官网上都找不到 IRF907Z ??!!
