n沟道增强型和耗尽型图
@广忽2440：什么是场效应管? -
沈陈18951089249…… 场效应管 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件--------------------------------------------------------------1.概念:场效应晶体...
@广忽2440：请问如何在电路图中判断mos管是增强型还是耗尽型,是N沟道还是P沟道, -
沈陈18951089249…… 增强型栅极虚线,耗尽行栅极是实线,P沟道箭头由栅极指向外,N沟道箭头由外指向栅极.还有一种是结型场效应管,一般不用,就不增加楼主的负担了
@广忽2440：N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别 -
沈陈18951089249…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道. 2、控制方法是不一样的.耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的 增强型NMOS,都是正电压控制的.
@广忽2440：N沟MOS管的构造及功能? -
沈陈18951089249…… MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N＂沟与'p“沟的MOSFET, 结构 如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图.它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO...
@广忽2440：cmos管图示问题 -
沈陈18951089249…… 前图是P(空穴)沟道耗尽型MOS管,中间箭头为连着P型衬底的电极,向上的电极d为漏极,向下的电极s为源极,旁边的g为栅极.右图为N(自由电子)沟道耗尽型MOS管,两者引脚名称和功能相同.栅极连着金属铝板.g与s、d及衬底之间...
@广忽2440：场效应管中N沟道增强性和耗尽型计算公式有区别吗? -
沈陈18951089249…… 场效应管按结构可分为结型场效应管(缩写为JFET)和绝缘栅场效应管(缩写为JGFET),从导电方式看,场效应管分为N型沟道型与P型沟道型.绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种,而JFET只有耗尽型.一、基本结构场效应管是利用...
@广忽2440：门电路工作原理? -
沈陈18951089249…… CMOS看,由于制造工艺的改进,CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 .CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL.此外,几乎所有的超大规模存储器件 ,以及PLD器件都采用...
@广忽2440：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? -
沈陈18951089249…… NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
@广忽2440：什么叫场效应管? -
沈陈18951089249…… 场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名. 由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称 单极型晶体管 .
@广忽2440：电力场效应管的场效应管 -
沈陈18951089249…… 电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的mos型(metal oxide semiconductor fet),简称电力mosfet(power mosfet) 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(static induction transistor——sit). ...
沈陈18951089249…… 场效应管 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧,属于电压控制型器件--------------------------------------------------------------1.概念:场效应晶体...
@广忽2440：请问如何在电路图中判断mos管是增强型还是耗尽型,是N沟道还是P沟道, -
沈陈18951089249…… 增强型栅极虚线,耗尽行栅极是实线,P沟道箭头由栅极指向外,N沟道箭头由外指向栅极.还有一种是结型场效应管,一般不用,就不增加楼主的负担了
@广忽2440：N沟道耗尽型mos管与增强型mos管在计算时有何区别 -
沈陈18951089249…… 1、原理不同,最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道. 2、控制方法是不一样的.耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通,而增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的 增强型NMOS,都是正电压控制的.
@广忽2440：N沟MOS管的构造及功能? -
沈陈18951089249…… MOS依照其“通道”的极性不同,可分为'N＂沟与'p“沟的MOSFET, 结构 如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图.它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图lb),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO...
@广忽2440：cmos管图示问题 -
沈陈18951089249…… 前图是P(空穴)沟道耗尽型MOS管,中间箭头为连着P型衬底的电极,向上的电极d为漏极,向下的电极s为源极,旁边的g为栅极.右图为N(自由电子)沟道耗尽型MOS管,两者引脚名称和功能相同.栅极连着金属铝板.g与s、d及衬底之间...
@广忽2440：场效应管中N沟道增强性和耗尽型计算公式有区别吗? -
沈陈18951089249…… 场效应管按结构可分为结型场效应管(缩写为JFET)和绝缘栅场效应管(缩写为JGFET),从导电方式看,场效应管分为N型沟道型与P型沟道型.绝缘栅型场效应管有增强型和耗尽型两种,而JFET只有耗尽型.一、基本结构场效应管是利用...
@广忽2440：门电路工作原理? -
沈陈18951089249…… CMOS看,由于制造工艺的改进,CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 .CMOS电路的工作速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL.此外,几乎所有的超大规模存储器件 ,以及PLD器件都采用...
@广忽2440：N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么? -
沈陈18951089249…… NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
@广忽2440：什么叫场效应管? -
沈陈18951089249…… 场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名. 由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称 单极型晶体管 .
@广忽2440：电力场效应管的场效应管 -
沈陈18951089249…… 电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的mos型(metal oxide semiconductor fet),简称电力mosfet(power mosfet) 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(static induction transistor——sit). ...
